首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   14篇
  免费   0篇
  国内免费   13篇
电工技术   2篇
化学工业   2篇
金属工艺   1篇
能源动力   1篇
水利工程   4篇
石油天然气   1篇
无线电   14篇
一般工业技术   2篇
  2014年   1篇
  2012年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   3篇
  2008年   2篇
  2007年   2篇
  2005年   2篇
  2002年   1篇
  2001年   2篇
  2000年   2篇
  1999年   1篇
  1998年   2篇
  1997年   2篇
  1993年   1篇
  1992年   1篇
  1986年   1篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有27条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
利用分子束外延技术,在高温下(540℃)生长了具有三维空间有序的自组织InGaAs/GaAs量子点超晶格结构,利用傅里叶变换红外光谱仪测量到了明显的垂直人射吸收峰,中心响应波长在11μm.作为对比,在低温下(480℃)生长了相同的结构,傅里叶变换红外光谱几乎没有测量到明显的垂直入射吸收峰.高分辨率X射线双晶衍射测量表明高温生长的量子点超晶格具有更好的晶体质量,原子力显微镜测量表明在高温540℃下生长的量子点具有明显的横向有序;而在低温480℃下生长的量子点并没有显示出横向有序.在进行垂直入射的吸收测量时,为了扣除量子点超晶格的周期结构带来的干涉效应,提出使用生长条件完全相同但量子点区没有掺杂的样品作为背景,提高了测量的准确性及分辨率.结果表明空间有序的量子点超晶格结构比空间无序的量子点超晶格更适宜作红外探测器结构.  相似文献   
12.
13.
本文综述了有关新型的GaAs/AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作.双色探测器工作在3~5μm及8~12μm大气窗口波段范围,是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件.研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等.首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能组之间的光跃迁问题及光电子输运问题.  相似文献   
14.
凌钢板坯连铸生产的钢种多为碳的质量分数0.08%~0.16%包晶钢,由于高拉速使弯月面热流增加,产生严重的表面裂纹。除优化连铸工艺、设备参数外,通过浸入式水口结构优化设计,并配合优良性能的保护渣,使结晶器流场均匀、温度场均匀、坯壳凝固均匀,使铸坯表面缺陷得到消除。  相似文献   
15.
大沽河中下游地区地下水环境特征与污染机理研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
大沽河中下游地区地下水污染严重,符合地下水Ⅲ类标准的只占4.5%,水体污染有逐年增高的趋势.对本地区的水环境及污染机理研究得出,水文地质条件使污染物容易入渗,农业污染及农村粪便、垃圾是地下水受到广泛污染的主要因素,地下水的过量开采加速了地下水的污染进程.研究提出了控制农业及农村面源污染,发展生态农业,加强农村环境保护及环保基础设施建设等措施.  相似文献   
16.
探讨模糊评价法在水质评价中的应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
详细介绍了模糊评价法的原理,对比了模糊评价法和单因子评价法对水质的评价结果,表明模糊评价法根据模糊集的理论和方法确定水环境质量归类,充分考虑到多个污染因子的影响,能够对水质做出较为科学的评价。  相似文献   
17.
流体静压下研究电场畴的形成机制   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs/AIAs超晶格中电场畴的形成机制.对于第一个电流类平台区域,我们观察到两种级联共振隧穿过程,即当p≤2kbar时,高场畴为Γ-Γ级联共振隧穿过程,而当p>2kbar时,高场畴为Γ-X级联共振隧穿过程.对于第二个电流类平台区域,高场畴常压下为Γ-X级联共振隧穿.  相似文献   
18.
本文讨论了多结点样条函数中的一类矩阵的广义逆。从广义逆的角度研究基函数的构造。对k=2、3情况,论证了多结点样条插值函数的基函数的最佳性质。  相似文献   
19.
极性半导体中表面激子的性质   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。  相似文献   
20.
弱耦合超晶格中的高频自维持振荡   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格在直流偏压作用下的电场畴及自维持振荡,分析了通过加光照,变温、加横向磁场等方法使稳定场畴向动态场畴转换并产生自维持振荡的机制备指出有效漂移速度V(B,F)曲线线形对纵向输动行为的重要影响。在GaAs/AlAs窄势垒超晶格中得到了室温下千兆赫微波振荡。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号