RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料

用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-a,相应的电子迁移率为177cm2/(V·s);GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6′;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm2/(V·s),相应的电子气面密度为7.6×1012cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50mS/mm(栅长1μm),截止频率达13GHz(栅长0.5μm).     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.     

依据可靠性理论设计光纤通信系统

主要研究了可靠性理论在波分复用光纤通信系统中的应用，并依据可靠性理论对光纤通信系统进行了初步设计。首先给出光纤通信系统的可靠性理论模型，通过对这个基本模型进行理论分析和计算，得出的相关结论对光通信系统、设备的研制具有参考价值。     

原油储罐可动式牺牲阳极阴极保护

介绍一种油罐内部采用可动式牺牲阳极进行阴极保护的方法,可避免现有技术中油罐排水后牺牲阳极因脱离水层而失去阴极保护的问题。可动式牺牲阳极贴近罐内底板安装,始终保持与被保护罐底板的最近距离,随着时间的推移牺牲阳极表面消耗后,可在自重作用下沿固定柱向下移动,使油罐排水后也能在油罐残存水的作用下对罐底板的内表面起到阴极保护作用,使油罐在排水前或排水后以及应用若干年牺牲阳极大量消耗后仍能始终如一地处于良好保护状态。该阳极是针对油罐这种特定的阴极保护环境所设计,可使油罐内部阴极保护效果提升至少1倍以上。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

汽车电压调节器的性能可靠性计算机仿真

利用系统性能可靠性仿真,对汽车电压调节器的设计及性能进行分析,找出了对其性能可靠性影响最大的元器件,以及对环境温度敏感的元器件;通过提高元器件精度和改善半导体器件的温度特性,对初始设计进行了改进,提高了汽车电压调节器在使用中的性能可靠性.     

准噶尔盆地西北缘断裂体系分形特征与油气藏分布

应用分形理论对准噶尔盆地西北缘油气区的断裂体系进行研究,发现断裂的平面分布具有分形特征。对于断裂体系而言,分形维数越大,则断裂分布越不均匀,断裂越发育。在此基础上,讨论了断裂的性质及走向与分形维数的关系。正断裂以NW向为主,自相似性强,其分维数(0.5623)大于NE向正断裂的分维数(0.5611)。逆断裂则以NE向断裂为主,自相似性强,其分维数(1.1356)大于NW向逆断裂的分维数(0.9880)。在有断裂发育的油气藏中,其分维数(1.9640)大于无断裂油气藏的分维数(1.7630)。而在有逆断裂发育的油气藏中,其分维数(1.9540)更是远远大于有正断裂油气藏的分维数(1.1460)。     

溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质

报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜 .PL测量结果发现了位于 36 8nm处的室温光致发光峰.     

校园网宿舍网络管理模式的探讨

讨论了高校学生宿舍区网络的特点，结合天津商学院校园网的实践，讨论了校园网宿舍网络管理的模式。     

网络媒体必须增强社会责任感

"2003中国网络媒体论坛"于10月10日在北京开幕.国务院新闻办公室副主任蔡名照发表了主旨讲话.以下是讲话的部分内容.