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报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件的平均峰值探测率Dλ*=1.28×1010 cmW-1Hz1/2,峰值波长为λp=8.1 μm,截止波长为λc=8.47 μm。器件的非盲元率≥98.8%,不均匀性10%。 相似文献
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用纯Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率6 5 0 nm实折射率Al Ga In P压应变量子阱激光器.对偏角衬底,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面.制备的激光器条宽腔长分别为4 μm和6 0 0 μm,前后端面镀膜条件为10 % / 90 % .室温下阈值电流的典型值为4 6 m A,输出功率为4 0 m W时仍可保持基横模.10 m W,4 0 m W时的斜率效率分别为1.4 W/ A和1.1W/ A. 相似文献
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孙永伟 《电子制作.电脑维护与应用》2007,(2):11-11
人们在使用饮水机时,由于关机不方便等原因没有及时关断饮水机电源,造成电能的浪费。本文介绍一种方便实用的红外无线遥控饮水机,使用者只要坐在自家的沙发上或在办公桌前用普通任一款家电遥控器就能遥控饮水机。使用时用遥控器对准饮水机按任意键,饮水机就接通电路开始工作,不用时,再按遥控器任意键饮水机就停止工作,使用非常方便,原理简单,并有指示灯指示,是一个实用的电路。 相似文献
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在上一期的文章中,我们强调了创新的重要性,讨论了创新的瓶颈,一些典型企业运用创新方法论的状况,简单介绍了什么是TRIZ,以及它的发展历史等等.
本期文章我们将进一步介绍经典TRIZ理论的局限性,TRIZ在近年来的发展状况,不同的企业推行TRIZ的策略以及作者在企业推行TRIZ方面的一些经验教训等.
一、经典TRIZ的局限性
20世纪40年代到六七十年代,在TRIZ的历史上是阿奇舒勒年代,也就是创立阶段.这个阶段的一些工具奠定了TRIZ理论的基础,比如著名的发明原理和矛盾矩阵,进化法则,物场模型,标准解,ARIZ等等. 相似文献
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上一期中,我们介绍了如何定义问题。本期中我们将开始介绍分析问题的工具。在介绍标杆之前,我们首先介绍一个概念,主要价值参数。主要价值参数(MPV,Main Parameter ofValue)它的定义为指影响客户购买决定的参数。 相似文献
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TRIZ的流程简介在第一期中,我们谈到了TRIZ解决问题的基本思想.那就是先将一个我们所要解决的特殊问题转化成一个标准的通用性的问题,然后再寻找通用性的解决方案,最后再将这个通用性的解决方案转变成为我们所需要的特殊的解决方案.为了便于理解,我们这里打一个比方,例如我们的LED厂家遇到了一个散热的问题.这个问题在LED产业中也是非常重要的. 相似文献