一种高精密集成运算放大器的研制

基于运算放大器的基本原理和一些关键技术(基流自举补偿、偏置微调等)的运用,成功地研制出一种双极型高精度低失调集成运算放大器.测试结果显示,该运算放大器失调电压仅为10 μV,失调电流小于1 nA,开环增益为120 dB,单位增益带宽680 kHz.     

基于QT的嵌入式系统文件传输上位机软件设计

基于解决嵌入式设备远程文件传输的目的,采用QT编程技术设计了基于网络的嵌入式系统文件传输上位机软件.将MQTT通信协议和Ymodem文件传输机制相结合,借助QT官方库文件QTcpSocket、QtMqtt和QMqttClient以及自主实现Ymodem文件传输机制,实现了上位机的设计.该上位机可以在嵌入式设备处于较为复...     

基于稀疏贝叶斯学习的稀疏信号 表示ISAR成像方法

作为一种新的稀疏信号表示算法,SBL(稀疏贝叶斯学习)方法没有BP方法的结构错误,也比FOCUSS方法具有少的多的局部最小点.ISAR成像问题可以转化为稀疏信号表示的问题,因此本文首次将SBL用于ISAR成像.真实数据的成像结果表明SBL是一种比BP和FOCUSS更有效的ISAR成像算法.     

基因工程重组人乳头瘤病毒亚基因致癌的分子生物学及超微结构研究

我们用基因分子生物学结合超微结构的方法在318例人宫颈癌标本中证明人乳头瘤病毒16型(HPV-16)与中国妇女宫颈癌的发生关系密切。它的亚基因片段,E_6-E_7早期基因可能是HPV-16的致癌基因。本文采用近年来开始发展起来的基因工程方法,将HPV-16的全部早期区基因及E_6-E_7基因分别重组至逆转录病毒(小鼠白血病病毒)的基因组中,将比重组的逆转录病毒导入培养细胞,在细胞中大量牛成并释放病毒颗粒到培养液中(此细胞称为重组病毒生成细胞)。借助重组病毒感染方式介导基因转移进行体外转化研究。采用重组逆转录病毒感染方式研究属于DNA病毒的HPV-16的致癌潜能,国内外尚未见报道。我们证明它是目前体外研究转化功能效率最高,最稳定的方法。     

深亚微米CMOS器件可靠性机理及模型

随着CMOS集成电路特征尺寸的不断缩小,特别是在其发展到深亚微米阶段之后,CMOS器件面临着负偏置温度的不稳定性、栅氧化层经时击穿、互连系统的电迁移和热载流子注入等可靠性问题。重点对近年来研究得到的深亚微米CMOS器件可靠性机理及其可靠性模型进行了总结。     

RF/IF放大器发展动态综述

概述了国内外新型RF／IF放大器的产品性能和技术特点。结合电子系统使用环境，介绍了低噪声宽带放大器、运算放大器及比较器、中视频放大器、模拟乘法器等模拟集成电路的国内外发展动态。     

半导体激光器在不同制冷条件下散热研究

对半导体激光器在不同制冷条件下的散热进行实验研究.通过设计温度测试系统,分别在被动制冷、单条水路主动制冷和U型回路主动制冷的条件下,测量了多个高功率LD在不同工作电流下的温度,研究了在不同制冷条件下LD温度随电流的变化,发现U型回路主动制冷条件下,LD的散热效果最好.     

浅谈防焊显影不净

针对防焊出现的显影不净问题,通过实际的生产跟进分析验证,找出造成显影不净的主要因素：无尘房的温湿度、油墨本身的性能、油墨在产线（开油到显影的停放时间）。为解决此类问题提供思路。     

具有非线性能量收集的RIS辅助无线供电通信网络的吞吐量优化

为了提高无线供电通信网络（WPCN）的信息吞吐量及传能效率并实现系统可持续工作,研究可重构智能表面（RIS）辅助WPCN的吞吐量优化问题。采用非线性能量收集模型,并对RIS进行能量分配,通过联合优化RIS的反射相位和能量分配系数,基站的发射波束赋形,基站能量传输,下行能量传输和上行信息传输的时间分配,以最大限度提高网络用户信息传输的吞吐量。所考虑的优化问题的优化变量高度耦合,难以直接求解。提出基于分块优化、松弛变量引入和半正定松弛方法的高效算法求解该问题。仿真结果表明,与现有的基准方案对比,所提算法能显著提高系统吞吐量和可靠性。     

可用于高密度高速度领域的一种新型两端静态存储单元的设计

A vertical two-terminal silicon PNPN diode is presented for use in a high-density memory cell. The device design for high-speed operations was studied with experiments and calibrated simulations, which proves that the proposed memory cell can be operated at nanosecond range. The static and dynamic power dissipations were also studied, which indicated the availability of the proposed memory cell for VLS1 applications. Moreover, the memory cell is compatible with CMOS process, has little impact from process variation, and has good reliability.