存在CDMA干扰时超宽带系统性能分析

超宽带系统信号功率很低,并且占用很宽的频段,系统需要与其它窄带系统共存.因此,在进行系统设计时,必须考虑窄带干扰信号对超宽带系统性能的影响.文中采用特征函数的方法精确分析了多径信道环境下,存在CDMA信号干扰时直接序列超宽带系统的性能,推导得到系统的误码率公式;最后,在基于IEEE 802.15.3a推荐的多径信道环境下进行系统仿真和数值分析,结果表明,文中方法得到的系统性能与仿真结果基本吻合,能够较准确估计系统在存在CDMA窄带信号干扰时的性能.     

塔吊远程上锁及控制系统研究开发

为了提高塔吊在施工过程中的安全性和满足设备租赁的需求,文中设计了一套能够对塔吊进行远程上锁及控制的系统.本系统由运行在PC机上的上位机通过网络发送指令,远端的89C52单片机通过GPRS模块接收识别PC机指令,然后,89C52单片机通过继电器模块实现对塔吊的远程上锁和控制;使用VB编写上位机软件,包括用户认证、塔吊控制界面等功能模块,保证操作的安全性.通过实验证明了该控制系统的有效性.     

溶胶凝胶法制备V2O5薄膜及其热致相变光电特性

基于溶胶凝胶旋涂法和后退火工艺在石英玻璃基底上制备了高质量的V2O5薄膜,研究其相变光学特性和电学特性.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了V2O5薄膜的晶体结构和形貌,利用XPS图谱分析了V2O5薄膜的组分.在不同偏压和不同温度下测试分析了V2O5薄膜的光电特性和相变特性,结果表明室温下V2O5薄...     

SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史，总结了目前的发展状况，同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺，最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法，调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展，进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高，对单晶后续的加工造成很多困难，包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体，可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片；采用化学机械抛光法，可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层，加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.     

新加坡发布IP电话管制新政策

为了促进新加坡VOIP业务的发展，新加坡电信管制机构IDA于2005年6月中旬宣布，IDA将引入新的IP电话管制框架，为那些有兴趣提供IP电话业务的运营商发放牌照及分配电话号码。IDA希望IP技术的引入能够降低电话业务的成本，从而降低价格及为用户提供更为丰富多彩的业务。IDA的一个发言人表示，为IP电话提供电话号码为用户带来了方便，     

Ni元素对激光诱导自蔓延反应合成Ti-Fe共晶合金组织性能的影响

采用激光诱导自蔓延反应合成制备了Ti-Fe-Ni三元合金。实验结果表明,当第三组元Ni含量介于12 at.%之内时,合成产物仍保持Ti70.5Fe29.5共晶合金的相组成,即是由β-Ti固溶体、TiFe和Ti2Fe金属间化合物所组成。但随着Ni含量的增加,合成产物中β-Ti固溶体的数量逐渐减少,而TiFe和Ti2Fe金属间化合物的数量逐渐增加。同时组织形态也由共晶组织逐渐转变为过共晶组织。随着Ni含量的增加,合成样品的致密度逐渐降低;由于受合成样品微观组织和致密性这两种因素的综合作用,致使Ni含量为9 at.%的合成样品具有高的硬度、强度及良好的塑性。     

镁合金表面宽带激光熔覆Cu-Zr-Al合金涂层

采用宽带激光熔覆技术在镁合金表面制备了Cu-Zr-Al合金涂层。研究结果表明,Cu-Zr-Al合金涂层是由ZrCu、Cu8Zr3、Cu1 0Zr7和Cu5 1Zr1 4金属间化合物和α-Mg所构成,其中ZrCu相呈连续网状分布于由Cu8Zr3、Cu1 0Zr7、Cu5 1Zr1 4相所构成的灰色区周围。熔覆区和热影响区之间呈现出犬牙交错型界面结合特征。受熔覆材料元素扩散迁移的影响,热影响区具有典型的共晶组织形态。由于合金涂层中多种金属间化合物的增强作用,使合金涂层具有高的硬度、弹性模量、耐磨性和耐蚀性。     

真空蒸镀双层有机电致发光器件及其稳定性

以8-羟基喹啉铝（Alq3）为发光层,成功地制备成ITO（铟锡氧化物）/TPD（2-甲基-4-苯基联苯二胺）/Alq3/Al结构的双层有机发光器件．与ITO/Alq3/Al结构器件相比,其亮度和稳定性明显增加,阈值电压有所增大．通过一定电压下工作电流随时间的变化测定了器件的稳定性,并对影响器件稳定性的因素作了分析．     

新型紫外摄像器件及应用

新型紫外技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一新型探测技术。因此,紫外技术及紫外摄像器件的开发研究对于现代国防和人民生活都有着极其重要的意义。本文集中介绍了3种紫外器件的发展水平及应用领域,并着重对SiC、GaN紫外探测器、紫外CCD、紫外摄像机以及紫外数字照像机等紫外器件在国防及其它领域中的应用作了较详细的介绍。