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53.
地下采矿生产包括一系列相互关联的工艺过程。在研究地下矿山生产效率管理方法时,主要任务是确定与各个工艺过程密切相关的判据参数。根据作者的研究,即把合格块度看作是这样的一个参数。一般都根据矿石和围岩的物理技术特性、矿石储量、矿石品位、矿区地表状况和生态环境等地质和矿山技术资料进行矿山设计。根据这些资料选择采矿方法(空场法、支  相似文献   
54.
本文研究了Nb2O5和Sb2O3施主掺杂对TiO2瓷的半导化和电客一压敏复合功能特性的影响。施主掺杂的最佳量是0.5mol%。结果表明,Nb2O5掺染能较大的降低TiO2瓷的电阻率和提高其介吃常数。掺杂Nb2O5或Sb2O3的TiO2瓷,均呈现优升的吃工一屯流的非域性失系,具有较低的初始电压,低的泄漏屯流和校大的非线性系数。  相似文献   
55.
调治构造物,是以改变水流方向为主的水土建筑物,在桥梁工程防护中采用调治构造物,使水流轴线方向偏离桥梁墩台,或减低防护处所的流速,甚至促使其淤积,从而起到安全保护作用。针对减缓冲刷方面桥梁调治构造物进行的分析,简要介绍了几种具有针对性的冲刷防护措施。  相似文献   
56.
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金属矿床采用高效率采矿方法有助于推广自行式设备和提高技术经济指标,但自行式设备作业时会往矿井大气中排出大量有毒气体和粉尘。为了改善劳动条件,必须采取一系列技术措施,以便将有害物质含量降到极限容许浓度。巷道通风是主要的措施之  相似文献   
58.
业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1%。  相似文献   
59.
新疆北缘和什托洛盖盆地构造演化与油气特征   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过新旧地震数据的对比和校正,应用盆地分析及盆山耦合的思想对和什托洛盖盆地进行了完整的构造解析,并应用平衡剖面技术对盆地进行构造演化分析,得到以下认识:(1)和什托洛盖盆地是一个位于主逆冲带上盘的挤压型次生盆地,它起源于西伯利亚板块、哈萨克斯坦微板块、准噶尔微板块的相互碰撞与错动;(2)盆地前期演化从属于准噶尔盆地,盖层发育可分为四个阶段:盆地初始发育期(T3-J1b)、盆地快速沉积期(J1s—J2t)、整体沉降时期(K)、边界断裂复活时期(E—Q),其中侏罗纪为盆地的主要成盆期,也是构造变形最大的时期;(3)盆地东部的和布克河凹陷及其周边地区为盆地最有望取得突破的优选勘探区。  相似文献   
60.
近年来,全苏冶金工业联合公司各矿,在保证合理利用矿产资源方面作了大量工作。公司所属各企业(塔什塔戈尔、舍利格什等铁矿)开采的铁矿床是厚达200米的急倾斜矿体。矿床用竖井开拓,横巷采准。矿  相似文献   
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