CORBA与TMN接口(Q3)适配技术研究

CORBA技术在TMN中的应用越来越广泛,构建基于CORBA的TMN网管体系是优化现有TMN体系的良好途径。针对基于CORBA的TMN框架的接口问题,提出了Q3接口到CORBA接口的适配方法,并根据ITU-TX.780标准详细介绍了GDMO到IDL信息模型的转换。     

准等熵加载特性对PBXC03炸药起爆的影响规律

为了研究准等熵加载特性对高聚物粘结炸药(PBX)起爆响应特性的影响规律,对具有不同加载压力(8,10,12 GPa)与加载斜率的准等熵加载下PBXC03炸药起爆响应过程进行数值模拟计算。采用准等熵加载下PBXC03炸药起爆响应实验得到1,1.5,2,3,4 mm处炸药背面粒子速度时间曲线,确定了PBXC03炸药的弹粘塑性双球壳塌缩反应速率模型(DZK)参数。利用DZK模型与参数得到了准等熵加载下峰值压力与加载斜率对PBXC03炸药起爆响应特性的影响规律。结果表明,两种加载方式(不同压力与不同斜率)对PBXC03炸药起爆过程均有较大影响,其他条件相同的情况下,加载斜率或峰值压力越大,炸药内的冲击波阵面峰值压力曲线和冲击波迹线增长越快且到爆轰时间越短。     

自适应门限子波消噪的专用芯片研究

本文从子波变换与完全重构FIR滤波器组的特定关系出发,将输入数据按一定规律重新排列之后实时地将数据分解到不同的尺度空间,然后经过正交子波基的Donoho非线性软门限消处理。同时,推导出信号休止期内的相对实时自适应噪声方差处。在此子波消噪专用芯片的研究过程中,利用可编程逻辑器件CPLD进行了时序仿真和验证,为超大规模子波芯片设计及实时应用提供一个良好的工作基础。     

中大口径、小长径比战斗部装药精密控制装备工艺工程化技术

针对中大口径、小长径比战斗部在注装药过程中存在的装药质量差、密度不均匀等问题,对悬浮类熔态炸药凝固特性进行研究,建立了一条新的精密注药工艺中试生产线。在分析工艺流程、工艺装备及装药质量的影响因素的基础上,对顺序凝固速度进行控制,设计了多工位程序搅拌装置,并进行了工艺试验及验证。该生产线已用于生产,使用结果表明,该技术能显著提高装药质量和装药密度,可广泛应用于各类智能化聚能战斗部炸药装药。     

超细HNS-Ⅳ炸药的窄脉冲起爆判据研究

为获得超细HNS-Ⅳ炸药的窄脉冲起爆判据,分析了冲击片起爆判据的计算过程,通过拟合冲击片起爆超细HNS-Ⅳ炸药的试验数据,得到了装药密度为1.57g/cm3的超细HNS-Ⅳ炸药的窄脉冲经验起爆判据,用其计算的冲击片起爆阈值电压与感度试验结果基本符合.     

如何部署Sybase ASA8个人数据库服务噐

数据库应用项目的后期开发步骤之一是部署应用软件给最终用户.一般需要同时部署的部件有数据库管理软件、数据库大件和编制的应用程序等.如果数据库与应用程序的连接采用ODBC方式,还要配置ODBC连接信息,以便应用程序能够与数据库交互.以Sybase ASA 8为例,介绍三种部署个人数据库服务器的方法,介绍动态配置ODBC连接...     

化学需氧量标准溶液的配置及不确定度评定

首先,依据JJG 1012—2019 《化学需氧量（COD）在线自动监测仪检定规程》,通过对邻苯二甲酸氢钾二级纯度有证标准物质进行稀释和定容,配置出1 000 mg/L的化学需氧量标准溶液;然后,对配置过程中标准物质的质量引入的相对不确定度、标准物质的纯度引入的相对不确定度、标准溶液体积引入的相对不确定度和各不确定度的分量进行分析及评定,得到符合检定规程要求的标准溶液和对应的扩展不确定度;最后,依据检定规程的环境要求将配置出的标准溶液密封保存,为后期配置其低浓度的COD标准溶液提供了先决条件。     

基于色调处理技术的图像认证算法

基于色调处理技术,该文给出了一种有效可行且具有自修复能力的图像认证算法。首先,基于误差扩散色调处理技术将水印图像4bit色调量化,井依据混沌置乱算子,将色调结果置乱,然后构造平均误差最小的特征集合C,最后依据误差扩散数据隐藏算法将置乱后水印图像隐藏于原始图像中;在认证端,从接收到的图像提取其中所隐藏水印信息并进行逆置乱,比较接收到的图像和反置乱后的隐藏信息,判断内容发生变化的位置,并依据所提取的水印信息修复被篡改图像。实验结果表明,该算法对删除、替换、篡改等破坏图像内容的恶意操作有精确的检测和定位,以及自修复能力。     

高压变电站无线测温预警系统的设计

在高压变电站中,由于设备老化以及输变线路的接头温度过高,常常会引发火灾或者爆炸等事故。传统的人工温度测量不仅劳动强度大,而且容易出现漏测、误报等现象,无法实现对高压变电站的有效保护。因此,本文将无线通讯技术引入到高压变电站的温度测量当中,重点对无线测温预警系统进行分析,试图为之提供行之有效的可行性建议。     

硅基高长径比微孔列阵及其应用

介绍了硅基高长径比微孔列阵形成的多路感应耦合等离子体刻蚀和电化学刻蚀等半导体工艺技术,给出了实验系统、原理、方法和实验结果,指出了工艺中出现的新现象和亟待解决的新问题,阐述了其在二维通道电子倍增器-微通道板中的应用。