功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs

通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.     

截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管

报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.     

一种能提高数字交流伺服控制精度的算法研究

介绍一种能提高交流永磁同步电机数字控制器控制精度的算法，系统采用TI DSP TMS320LF2407A组成核心控制电路。     

HDMI音视频接口原理

HDMI高清晰多媒体数字接口自2002年问世以来，正以其特有的优势抢占着全球市场，然而国内却鲜有这方面的献资料。本以工程实践为基础，详细介绍了HDMI的音视频接口原理。     

集成电路的封装效应和它的建模

前半部分综述高速集成电路的封装效应和它的物理模型，并指出怎样利用时域反射法来测量有关它的参数，如电感、电容、耦合电感和耦合电容值等。后半部分笔者用地质学中使用的分层结构Ｚ－Ｐｒｏｆｉｌｅ算法，使得建模精度有很大提高。由于所用方法仪器简单、测量数据准确。因此是一个很好的科学研究工具，在生产实践中也有实用和经济价值。     

"西部光伏村落电站"项目实施机制与进展

2006年4月3日开始,由云南省财政厅、云南光明工程公司、中德项目咨询专家、德国壳牌公司以及云南项目所在地财政局相关人员组成的验收小组,对云南第一期建成的17个光伏村落电站进行了验收,至此中德财政合作“西部光伏村落电站”项目进入项目最终验收阶段。     

利用磁控溅射在GaN/蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜

Zinc oxide (ZnO) thin films were grown on n-GaN/sapphire substrates by radio-frequency (RF) magnetron sputtering. The films were grown at substrate temperatures ranging from 400 to 700 ℃ for 1 h at a RF power of 80 W in pure Ar gas ambient. The effect of the substrate temperature on the structural and optical properties of these films was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra. XRD results indicated that ZnO films exhibited wurtzite symmetry and c-axis orientation when grown epitaxially on n-GaN/sapphire. The best crystalline quality of the ZnO film is obtained at a growth temperature of 600 ℃. AFM results indicate that the growth mode and degree of epitaxy strongly depend on the substrate temperature. In PL measurement, the intensity of ultraviolet emission increased initially with the rise of the substrate temperature, and then decreased with the temperature. The highest UV intensity is obtained for the film grown at 600 ℃ with best crystallization. oindent     

Ni/Ti/Si形成硅化物的特性分析

随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅化物与n-Si(100)接触的势垒高度。Ni/Ti/Si结构形成的镍硅化物在高温下具有良好的薄膜特性,并且可以得到低势垒的肖特基接触。随着退火温度的升高,势垒高度逐渐降低。研究了界面态的影响,在低于650℃的温度下退火,界面态密度随退火温度升高而逐渐增大,高于750℃后,界面电荷极性翻转。     

一种InGaP/GaAs HBT高速预分频器MMIC

采用Foundry提供的InGaP/GaAs HBT工艺设计了一种数字静态除2高速预分频器MMIC.流片测试结果与仿真结果基本吻合,最高工作频率高于仿真结果.设计过程在速度和功耗之间进行了折中,并且考虑了自谐振频率对电路的影响.测试结果显示:在5V电源电压下,该预分频器静态电流为60mA,最高工作频率达到15GHz,自谐振频率为19.79GHz.该MMIC可以直接应用到S-X波段射频微波系统中.     

南宁有线电视台HFC网络上行通道指标分析

以TERAYON公司的电缆调制解调器为例，对南宁有线电视台HFC网络上行通道的载噪比进行了分析，并以此确定了光接收机、放大器的上行输入电平。