服务中国电力 面向智能电网 访浙江华邦电力仪表有限公司总经理黄德福

＂在未来发展的道路上,我们将继续发扬‘追求卓越,真诚服务’的企业精神,坚持‘今天比明天做得更好,明天比今天做得更优’的工作理念,努力为客户提供全方位的优质服务。＂当前,我国智能电网已经进入全面建设期,随着我国农网改造与城市化建设的进一步升级,以及各种先进技术在电网改造中的应用,电力电气装备智能化已成为我国电器工业全行业的发展方向,而智能电力仪器仪表作为智能电网的基础设备之一,在我国智能电网的建设中扮演着重要角色。     

四头直线式旋盖机的设计

目的设计一种适合频繁更换桶形的直线式旋盖机。方法针对不同桶形的长宽高和不同的桶盖,四头直线式旋盖机设计有相应的调节机构和快速更换机构,并阐述其结构组成、工作原理及调节机构的设计。其中水平调节机构利用螺旋机构原理,将2根丝杠的旋转运动转变成4个旋盖头的平移运动,且2根丝杠由特定传动比的齿轮联动,转动调节手轮即可实现4个旋盖头等间距调节;该设备还为旋盖头设计快速更换机构。结果四头直线式旋盖机结构简单,成本低,更换桶形时调整方便,大大提高了生产效率。结论四头直线式旋盖机在包装机械领域具有更大的实用性和推广性。     

高强度IF钢的研究进展

叙述了IF钢发展概况和高强度IF钢国内外生产状况;对高强度IF钢成分体系及其性能特点做了论述;详述了高强度IF钢研究进展,为进一步研究开发高强度IF钢提供了参考依据.     

以自蔓延高温合成SiC颗粒为增强体的光学/仪表级铝基复合材料

尝试采用自蔓延高温合成（SHS）、具有近球特征且表面粗糙的新型SiC颗粒,以替代传统的角状磨料级SiC颗粒,作为光学/仪表级的高体分SiCp/Al复合材料的增强体。研究结果表明：与传统角状SiC颗粒相比,SHS-SiC颗粒的无棱角,近球形几何特征,使其附近铝基体中的应力集中程度显著降低,进而使材料的强度包括表征尺寸稳定性的微屈服强度明显提高：SHS-SiC颗粒所特有的粗糙表面形貌,使SiC-Al之间的界面结合通过机械镶嵌机制得到了进一步的增强,跨越界面的载荷传递效率进一步提高,并表现为复合材料的弹性模量有所提高。     

碳化硅颗粒增强铝基复合材料的无压浸渗反应机理探讨

为探讨SiCp/Al复合材料无压浸渗反应机理,利用XPS鉴定了SiC预制体浸渗前沿界面上的反应产物结构,采用HRTEM研究了SiCp/Al基复合材料的界面结构。结果表明,浸渗与未浸渗部分之间的界面上存在MgO,Al2O3和ZnO诸化合物,没有发现氮的化合物,在SiC相与铝相的界面上仅存在MgAl2O4相,MgAl2O4相几乎连续地包敷在SiC颗粒上,这表明,高温下SiC与熔Al合金接触后,SiC颗粒表面上的SiO2与Al,Mg,Zn诸元素发生了放热反应,从而降低了表面张力,提高了湿润性,促进了自发浸渗。     

铝金属基复合材料Al6061/SiCP表面稀土转化膜的研究

利用电化学方法评价了铝金属基复合材料A l6061/SiC_P表面稀土转化膜的抗腐蚀性能, 膜的存在使腐蚀过程中的阴极反应和阳极反应同时减弱, 腐蚀速率降低。利用扫描电镜(SEM ) 观察了稀土转化膜的表观形貌, 膜是以球团状结构层层向外生长, 最后完全覆盖基体表面。利用X 射线衍射(XRD) 研究了膜的微观形态, 膜是以非晶态形式存在。利用X 射线光电子能谱(XPS) 分析了膜的成分, 膜是由铈的氧化物和氢氧化物组成。      

无压浸渗制备的SiC/Al复合材料的微观组织研究

利用SRD,OM,SEM,TEM等微观结构分析手段,对无压浸渗制备的SiCp/Al复合材料的微观结构进行了研究。结果表明,SiCp/Al复合材料中存在SiC,Al,MgAl2O4,Si和Mgi2Si诸相。在组织中没有粗大的铝硅共晶体针条,铝基体被众多SiC颗粒分割,成为细小的连续的空间网络。在铝基体中分布着Si相及Mg2Si相。透射电子显微镜高分辨像表明,在SiC与铝合金的界面上存在镁铝尖晶石（MgAl2O4）相,没有出现Al4C3相。     

SiCP/Al复合材料的拉伸性能

对高体积分数碳化硅颗粒增强铝基(SiC_P/Al)复合材料的拉伸强度进行了试验研究。发现在较高应力水平下经过2次卸载的试件与未做卸载的试件相比,拉伸强度变化很小,说明加载-卸载过程对材料的拉伸强度影响不大。在试验研究的基础上,使用ANSYS软件建立了有限元模型,对SiC_P/Al复合材料的拉伸特性进行了仿真模拟。研究结果表明,低体积分数SiC_P/Al复合材料的力学性能更接近塑性材料;而高体积分数SiC_P/Al复合材料的力学性能则接近于脆性材料。拉伸强度模拟计算误差非常小,基体破坏是导致高体积分数SiC_P/Al复合材料破坏的主要因素。     

pH值对CBD-CdS薄膜性能的影响

重点考察了化学水浴沉积法(CBD)制备CdS多晶薄膜时pH值对薄膜质量的影响规律.分别采用SEM、XRD、UV光谱仪和台阶仪研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、透过率和厚度特征.研究表明,当pH值在8.43～10.09间变化时,薄膜为立方晶型,随着pH值的降低,晶粒出现择优生长,薄膜透过率逐渐升高,吸收边蓝移,禁带宽度增大.当pH值为8.43时得到的薄膜光学禁带宽度为2.44eV,接近其本征值.