用于快速充电站的高频高效模块化固态变压器

随着碳化硅器件的发展,基于固态变压器（SST）的充电站供电架构相比传统基于工频变压器的方案在效率、功率密度及扩展性等方面已展现出优势。提出一种基于三电平功率单元输入串联输出并联的模块化SST。其中,隔离DC-DC级采用串联半桥LLC变换器,分析了软开关实现条件和参数设计,比中点箝位型三电平LLC更易实现ZVS,更适合高频高效运行。为实现单元间均压均流,基于后级均压前级均功率的协调控制思想,提出一种基于直流链电压反下垂的分布式控制方法,同时实现了均压、均功率和输出电压二次调节等多个目标。所提方法在一台10 kV级,360 kW SST样机上得到了实验验证。     

凝固速率对AlCoNiCrFe合金组织结构及性能的影响

采用X—Ray衍射仪、金相显微镜、室温压缩测试、显微硬度测试手段,研究了AlCoNiCrFe高熵合金在三种不同凝固速率状态下形成合金的显微组织和力学性能影响。结果表明：AlCoNiCrFe高熵合金经不同凝固速率后因高熵效应及元素扩散困难而形成简单的BCC晶体结构,合金的晶格常数随凝固速率的升高而增大。凝固速率越高合金的组织变得越细小,喷铸后合金生成梅花状树枝晶。合金的压缩强度、硬度随凝固速率升高而增大,喷铸成直径为2mm的合金其综合力学性能最好,其硬度比母合金锭提高13．6％,其塑性达到最大38．1％。     

热处理工艺对纳米ZnO薄膜结晶取向及表面形貌的影响

以二水合醋酸锌作为前躯体,单乙醇胺(MEA)作为稳定剂,乙二醇甲醚作为溶剂制备出均匀稳定的溶胶,通过浸渍-提拉法将氧化锌薄膜沉积在玻璃基底上,研究热处理工艺对薄膜结晶取向和表面形貌的影响.随着煅烧温度和煅烧时间的增加,ZnO薄膜表面逐渐致密平滑,(002)峰的强度增大,晶粒尺寸增大.实验结果表明:在500℃煅烧下煅烧两次,煅烧时间为1h制备的薄膜衍射特征峰(002)最强,颗粒最均匀,结合最致密且薄膜表面光滑平整.     

簇状-树型ZigBee的燃料电池UPS监控系统研究

基于燃料电池控制技术和短距离通信技术,为质子交换膜燃料电池设计了相应的监控系统。该系统采用基于簇状-树型的ZigBee技术构建底层通信结构,采取分区域分层次的数据采集方式,实现了燃料电池UPS系统运行状态的远程显示、监控和数据存储功能。     

激光熔覆涂层与粉末火焰喷焊涂层组织性能比较

分别采用激光熔覆与粉末火焰喷焊两种技术在45钢基体表面制备Ni60 20％WC合金涂层．比较其组织结构和性能。结果表明：激光熔覆涂层无缺陷、成品率高、组织细密均匀、晶粒细小、耐磨性能好、与基体结合为成分缓慢过渡的冶金结合。     

热电磁流体动力学对Al-4.5Cu合金定向凝固组织的影响

在定向凝固条件下 ,施加横向磁场。当磁感应强度 <1T时 ,有磁场存在时的显微组织较无磁场时枝晶间距增大 ,且随磁感应强度的增大 ,枝晶间距增大 ,二次枝晶间臂变粗 ,这是热电磁流体动力学影响的结果。     

铝镁合金熔炼中合金化阻燃法的动力学研究

在铝镁合金熔炼过程中,因为镁的化学性质活泼,导致合金的氧化、烧损现象十分严重,不仅降低了合金中镁的收得率,而且造成了巨大的经济损失.为了达到阻燃目的,国内外经常采用熔剂法和气体保护法,而目前研究的热点是合金化阻燃法.研究了合金化阻燃法,建立了相应的动力学规律,并对温度因素的影响进行了分析,所得实验结论对生产实践具有一定的指导作用.     

强磁场下金属熔体中颗粒运动的行为研究

将A1-5Ti-1B中间合金在有无磁场的条件下进行重熔凝固实验,对凝固后的样品金相组织进行了观察．分析了其中未熔化的固相颗粒在组织中的分布和排列状况,结果表明：与不施加磁场时的样品中针状的TiAl3颗粒杂乱无章排列相比,10T强磁场下的样品中呈长轴平行于外场方向排列;同时,重力引起的颗粒沉降行为明显较无磁场时的要弱．说明强磁场对金属熔体中固相颗粒迁移和旋转的行为有重要影响：针状的弱磁性颗粒在形状各向异性的影响下发生了磁致旋转,使之平行于外场排列;而施加强磁场后熔体的表征黏度系数增大抑制了颗粒的沉降行为．因此,可通过改变磁场参数控制凝固组织中强化相的分布和排列,制备性能优良的金属基颗粒复合材料．     

论大学生人际环境系统中的冲突

当今社会,“冲突”作为日常生活中无法避免的现象之一,对集体及其成员的负面影响是显而易见的。多元文化影响的大学校园,出现了多元的价值观与多样的行为,观念与观念的碰撞,行为与行为的冲突,已经是当代大学校园的一个基本特征。而在校园环境的核心——大学生人际环境系统中,冲突当然也是无处不在。大学生人际环境系统的冲突,主要表现为师生之间的冲突和学生之间的冲突。     

交流电场对Al-Si共晶合金凝固组织的影响

研究交流电场作用下Al-Si共晶凝固组织的变化。结果表明,电场作用改变了共晶Si的生长形态,随电流密度增加,共晶Si的形态经历一次先细化后粗化的过程。电场的处理作用使Al-Si共晶合金中潜在的形核质点增加,电流密度为16.98mA/mm2时,形核率达到最大值,电场对共晶Si的生长有抑制作用。