利用老卤生产高纯氧化镁技术研究进展

纯碱法具有工艺简单的技术优点,被国内高纯氧化镁生产企业普遍采用,但是它存在生产成本较高的显著缺点。本文系统地综述了目前工业上利用海盐化工、盐湖提钾等过程副产的老卤液生产高纯氧化镁的各种技术,分析了每种生产技术的优缺点。依次介绍了技术成熟、生产成本低、被国际主要的高纯氧化镁生产企业广泛采用的白云石/石灰石法,技术有待改进的氨法,工艺简单、成本较高的纯碱法,以及碳铵法。特别地,详细阐述了直接热解法的技术基础、Aman法热解工艺以及国内对直接热解法工艺的研究进展。重点推介了低水合氯化镁流态化热解生产高纯氧化镁、同时联产工业浓盐酸的最新技术。指出流态化热解技术可能是我国高纯氧化镁产业降低生产成本、提高企业产能、能够取代传统纯碱法的理想工艺路线。     

12MnNiVR钢的连续冷却转变行为及相变动力学

用热膨胀仪测定了12MnNiVR钢的连续冷却转变曲线,并结合显微组织观察和硬度测定,研究了低冷速下奥氏体向铁素体转变及向贝氏体转变的动力学,分析了铁素体转变及贝氏体转变的生长方式.实验钢在连续冷却过程中的计算相变动力学结果与实测相变数据吻合很好.研究结果表明实验钢在低冷速下冷却时奥氏体向铁素体转变,形核位置主要在晶棱处,生长方式主要为二维长大,奥氏体向贝氏体转变,形核位置主要在界面处,生长方式主要为一维长大.     

含Nb中碳钢加热过程中的奥氏体晶粒长大规律

研究了加热温度(1000～ 1250℃)和保温时间(0.5～3.0 h)对一种高Si含Nb中碳钢奥氏体晶粒尺寸变化的影响.结果表明,随保温时间延长,加热温度低于1150℃,奥氏体晶粒尺寸增长缓慢;在1150℃以上温度加热,奥氏体晶粒长大趋势显著增加.通过对试验数据进行非线性回归建立了试验钢奥氏体晶粒长大规律的数学模型,模型的计算结果与实测值吻合很好.     

基于神经网络的GPS水准方法的研究与分析

分别将BP网络和RBF神经网络应用于GPS水准高程拟合研究,在此基础上,选择某一地区的GPS水准实测数据进行了高程拟合实验,并将得到的最后精度进行了对比分析,得出基于BP神经网络模型在GPS高程异常拟合中具有较高的精度,并提出科学建议。     

双阀座浮球式疏水阀在应用中排量的研究

针对少数用户反映双阀座浮球式疏水阀排量不够的问题,介绍了双阀座浮球式疏水阀的工作原理及影响排量的因素,阐述了解决其排量问题应采取的技术措施及处理方法。     

城乡一体化窒问共生发展模式研究——以陕西省蔡家坡地区为例

本文将共生理论引入城乡一体化研究中,提出了共生理论指导下的城乡一体化发展具有单元组织、互补联系、一体发展的特征,同时以蔡家坡地区为例,根据不同城乡共生条件提出了城乡空间发展的三种模式：组合单元模式、城乡互动区模式、空间转移模式,以此来引导城乡共生关系的形成与演进,进而推动地区城乡一体化进程。     

相控阵雷达中频信号模拟器设计与实现

中频信号模拟器是相控阵雷达不可缺少的一个分系统,其设计和实现上有着独特的特点.采用模拟控制处理器实时接收雷达主控机的控制字的方法,按雷达天线波束指向,判断当前目标是否在波束内.若在波束内,则按目标距离和工作模板产生相应距离和波形的模拟回波.模拟器用于雷达系统的自动化监测、雷达各分系统对接试验和模拟试验、操作人员的培训、雷达系统的功能测试和检查以及模拟动态飞行目标.     

微透镜阵列提高LED多芯片封装取光效率的仿真

提出在LED多芯片平面封装表面添加微透镜阵列,以提高取光效率。仿真分析了微透镜阵列的半径、间距和排列方式等对取光效率的影响。分析结果表明,通过在封装平面添加微透镜阵列,可以极大地提高取光效率,微透镜的填充因子是影响取光效率大小的关键因素,填充因子越大,则其取光效率越高;微透镜的排列方式对出射光强的分布也会产生影响。     

卷烟烟气GC/oa-TOF-MS分析的萃取溶剂选择与程序升温时间优化

为确定GC/oa-TOF-MS分析卷烟烟气时最佳溶剂配比和程序升温时间,采用香农信息含量、基于连续小波的谱峰检测以及自适应迭代重加权基线校正等算法,分析和评价云南红河地区XA模块叶组、万宝路和红塔山的色谱数据.结果显示:①经不同溶剂萃取成分差异分析,结果与香农信息含量可相互印证,说明香农信息含量能准确表征色谱的信息量;②二氯甲烷:甲醇=2:1(体积比)混合萃取溶剂在峰面积和色谱谱图信息含量上均得到了较好的结果;③随着程序升温时间的变长,色谱峰间的分离度增大,香农信息含量显著提升,所包含组分信息更全面.构建的数据处理流程适用于烟气GC/oa-TOF-MS数据处理,香农信息含量和峰面积可选作萃取溶剂和程序升温时间优化的评价指标.     

Far-infrared electroluminescence characteristics of an InGaP/InGaAs/Ge triple-junction solar cell under forward DC bias

The far-infrared electroluminescence characteristics of an InGaP/InGaAs/Ge solar cell are investigated under forward DC bias at room temperature in dark conditions. An electroluminescence viewgraph shows the clear device structures, and the electroluminescence intensity is shown to increases exponentially with bias voltage and linearly with bias current. The results can be interpreted using an equivalent circuit of a single ideal diode model for triple-junction solar cells. The good fit between the measured and calculated data proves the above conclusions. This work is of guiding significance for current solar cell testing and research.