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501.
为了提高交直流混联系统的暂态稳定性,设计了基于高压直流输电(High Voltage Direct Current, HVDC)大信号调制方式的非线性自适应广域附加控制器(Nonlinear Adaptive Wide-area Supplementary Controller, NAWSC)。该控制器利用扰动观测器估计和补偿实际系统中的非线性动态,无需精确模型,解决了模型不确定时稳定控制措施不易设计的难题。同时,该控制器通过整合广域功角信息得到的系统等值功角进行输出反馈,直接实现暂态稳定控制。在四机两区域交直流混联系统和10机39节点交直流混联系统中进行仿真。结果表明:在不同运行工况下,NAWSC相对于比例积分型广域附加控制器具有更好适应性;在参数不确定下,NAWSC相对于基于精确模型的反馈线性化广域附加控制器具有更好的控制鲁棒性。所设计NAWSC可以提高HVDC暂态调节能力。 相似文献
502.
利用TAS7500SP光谱仪和太赫兹时域光谱技术研究了2,4,6-三硝基甲苯(TNT)在0.1~5THz频率范围的光谱性质,得到了其指纹谱信息,对获得的光谱进行优化并提取了特征峰值.实验表明,所得结果与国内外其他机构测量的该炸药的吸收谱、频域谱、时域谱线走势和吸收峰位置基本一致,并且首次测得该炸药在该频段的吸收系数、反射率、反射谱、透射比、透射光谱,丰富和补充了该炸药在太赫兹波段的光谱数据. 相似文献
503.
针对典型码本自适应算法的信道协方差矩阵反馈时间间隔过长,导致高速环境下系统性能迅速恶化的缺点,提出了一种基于信道协方差矩阵动态更新的码本自适应改进算法。基于协方差矩阵和码本之间的等效关系和均方误差最小的原则,在接收端将协方差矩阵拆分成一个固定参数和一个码本向量,并向发射端反馈该码本向量。然后,在发射端利用反馈的码本向量及本地固定参数和上一时刻的协方差矩阵,重构当前时刻的协方差矩阵。仿真结果表明,较之典型算法,提出的算法具有更好的性能表现,尤其在高速环境下,可以获得近2dB的增益。 相似文献
504.
基于分层结构的管理信息系统架构设计 总被引:2,自引:1,他引:2
张志杰 《计算机技术与发展》2010,20(10)
以现有的管理信息系统作为研究对象,为能进一步提高信息系统的健壮性与实用性,首先对管理信息系统现有架构进行分析对比,结合相关技术的发展变化,根据软件系统结构的指导思想,以最大限度保证对信息进行分类与加工为设计原则,提出了一种基于分层结构的管理信息系统架构的设计方法,采用软件体系架构、进行功能层次抽象、建立框架模型等技术.通过采用该方法来设计与实现管理信息系统,能够进一步提高软件系统的稳定性、灵活性与健壮性. 相似文献
505.
综合利用野外露头、地震、薄片、重矿物组合、碎屑锆石U-Pb定年等资料,研究四川盆地东部(简称川东地区)中侏罗统凉高山组沉积特征、湖平面升降变化、物源性质,进而探讨周围造山带的构造作用对沉积体系的控制作用。研究表明:凉高山组主要发育三角洲—湖泊沉积体系,包含了一个完整的三级层序,进一步可划分为4次湖平面的升降旋回(四级层序),其中旋回Ⅰ和旋回Ⅱ湖盆主要分布在川东地区,旋回Ⅲ和Ⅳ湖盆迁移至四川盆地中部地区,使得川东地区南北沉积特征差异性明显。物源分析结果表明,川东地区凉高山组存在3种类型物源,其中Ⅰ类物源母岩主要以酸性火成岩为主,主要来自近源的扬子板块北缘;Ⅱ类物源母岩主要为中酸性火成岩和变质岩,物源区主要在南、北秦岭中部;Ⅲ类物源母岩以变质岩为主,中—酸性火成岩次之,物源主要来自北大巴山地区。综合研究沉积体系和物源性质的变化,认为川东地区凉高山组沉积演化受秦岭造山带构造活动的控制,沉积早期湖盆局限在研究区东侧,该时期以Ⅰ类物源为主;随着秦岭造山带南北向挤压作用的增强,湖盆快速扩张并向北迁移,Ⅱ类物源供给增强;沉积中后期北大巴山地区的隆升使得湖盆迁移的同时Ⅲ类物源的供给逐渐增强。 相似文献
506.
圆柱形金属试件的阵列涡流检测可以通过几个围绕试件布局的阵列线圈组成的探头来完成,阵列涡流探头由完全相同的8个线圈组成并在一定的空间结构下完成对金属试件的探测。设计1个基于Zynq-7020的阵列涡流检测系统,该系统借助激励通道的8个模拟开关可以对一个或多个线圈进行激励,借助一个8选1模拟开关可以对8个阵列线圈进行分时采集,通过数字相敏检波算法完成对信号的提取。试验结果表明,此系统可以保存、传输、处理阵列探头的激励信号和感应信号,并完成测量阵列探头灵敏度的试验任务。 相似文献
507.
508.
基于微凸点和硅通孔的3D封装是一种通过多层芯片垂直互连堆叠,将芯片技术与封装技术进行结合的新技术,满足了电子产品微型化、高性能的发展需求,是实现下一代超大规模集成微系统的核心互连技术。3D封装技术对互连焊点有一个特殊的要求,即在向上堆叠芯片时,低级封装的焊点不应被重新熔化。低温下制备全金属间化合物(Intermetallic compound, IMC)微焊点为实现叠层芯片互连提供了新的解决方案。本文对近年来全IMC微焊点的制备工艺和基本原理进行综合分析;揭示Cu-Sn系统界面反应的扩散机制及IMC生长动力学规律;对比不同键合参数下全IMC微焊点的服役可靠性。最后,指出各种全IMC微焊点制备工艺的优缺点,并对其未来研究发展趋势进行展望。 相似文献