罗素·沃森再现天籁之声

罗素·沃森其人 环球Decca旗下有 一位传奇歌手,名 叫罗素·沃森(Russell Watson)。2000年,当这位年仅27岁的帅小伙在Decca出版首张个人专辑“罗素·沃森的歌声”(Russell Watson theVioce)时,唱片公司所附的简历真使人难以置信:他竟然是业余歌手“出身”,曾在英国曼彻斯特一家工程公司供职,此前没有专     

核电站中椭圆柱形屏蔽体辐射衰减率的仿真研究

为了预测核电站中椭圆柱形屏蔽体的辐射衰减率，该文用数值解析法对放射线源到评价点的放射线所穿透椭圆柱形屏蔽物体的交点进行了研究。首先用空间解析法建立了椭圆柱形物体的数学模型。然后解曲面方程求出交点。在判断放射线是否穿透此椭圆柱体时，该文又提出了椭圆柱形屏蔽体的假想外接长方体的建模方法，将曲面方程联立解的复杂计算简化为一次代数方程的简单计算，大幅度地缩短了计算时间。     

中外合资—靖江量具有限公司微机数显表通过鉴定

<正> 九月二十五日由江苏省机械工业厅组织江苏省扬州市重工业局主持鉴定的靖江量具有限公司设计和制造的WS系列微机数显表正式通过投产鉴定。该产品可分别和同时使用光栅、磁栅两种不同的传感器,是我国“七五”     

超前控制顶煤技术在松软煤巷掘进的应用

根据松软煤体的地质特征、力学性质以及锚杆支护技术措施,提出超前支护对策,解决了顶煤易跨落问题。     

薄膜晶体Si太阳电池的潜力

如果效率和成本这两个“目标”能够达到，薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段]     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]     

聚苯醚磺酸锂／共聚醚复合物的离子导电性研究

合成了３种不同磺化度的聚苯醚磺酸锂（ＳＰＰＯＬｉ）与Ｐ（ＭＥＯ１６－ＡＭ）／ＳＰＰＯＬｉ复合物。研究了复合物的离子导电性与磺化度，组成比及增塑剂含量的关系。含４０％（ｍａｓｓ）增塑剂的复合物具有单离子导电特征，锂离子迁移数高达０．９７，室温电导率达２×１０－５Ｓ／ｃｍ。