几种插值算法的比较研究

在图像放大处理中,一般都会用到插值算法,为了实时性的要求,在保证放大效果的基础上,希望插值算法尽可能简单。插值指利用某一个函数来计算出2个或更多的值之间的值。文中就常用的NEDI、DUBE、9-Direction、KR（kernel re-gression）等的理论基础和算法原理做了分析,通过采用四种插值算法对图像进行缩放处理操作,可以直观比较它们处理后的效果。文中使用matlab仿真工具分别就这四种算法对典型的lena、flower和night图像进行了处理,并对它们的处理结果加以比较,最后总结了四种算法各自的特点。     

建筑工程机电安装施工技术

机电安装在建筑工程中涉及的专业面非常广泛,学科跨度较大。虽然机电安装有自身的固有特征,但它的通用性很强。分析了机电安装工程的概况、特点和相关技术,研究了机电安装中出现的问题,并提出相应的解决措施。     

共建企业的“心理契约”

企业作为一个经济组织，其成长与发展永远处于一个动态的发展过程之中。在这一过程中，企业人力资源的物理状态和心理状态也都在处于一个不断的流变过程中。如何保证企业的人力资源有效地长期地为企业的发展服务，而不至于随着企业的变动成长而发生人心离散，这既是企业人力资源管理的目标，也是企业文化建设的价值所在。企业能与员工达成并维持一份动态平衡的“心理契约”是这一目标状态的生动体现。     

应用型本科院校数学建模教学与创新

数学建模作为数学理论与实际问题相联系的桥梁,对于旨在培养具有利用所学理论知识和工具,分析和解决行业问题综合实践能力人才的应用型本科院校显得尤为重要.鉴于应用型本科院校与研究型、学术型本科院校在专业划分、课程体系、教材教学等诸多方面的区别,其数学建模教学也不尽相同,前者宜重视和强化数学建模在课程教学中的作用,将数学建模思想融入到相关课程的理论教学,并适时地纳入新的课程体系中.     

7-羟基-4’-甲基-异黄酮的合成

以对甲基苯乙酸、间苯二酚为原料,经合成脱氧安息香中间体,环合成7-羟基-4'-甲基-异黄酮.在脱氧安息香增碳环合的反应中,探索了3种不同的增碳环合试剂对反应的影响,较理想的环合试剂为BF3·Et2O-DMF-PCl5.该工艺路线条件温和,产率达到72%.     

一个新的环型三核铜配合物的晶体结构研究

用2-羟基-1,3-丙二胺（L）与高氯酸铜反应得到了一个三核铜金属杂环配合物[Cu3（L^-）3]（ClO4^-）3,用X-射线晶体结构分析方法表征了其结构．该晶体属三斜晶系,P-1空间群,晶胞参数a=1．0491（2）nm,b=1．0808（2）nm,c=1．2467（2）nm,a=74．451（3）°,β=70．635（3）°,γ=63．661（3）°,V=1．1829（3）nm^3,Z=4,R=0．0587,wR=0．1363．在配合物的阳离子中,三个铜离子均与相邻配体上的两个氮原子和两个桥联氧原子配位形成四配位平面四方形构型,且通过与三个配体2-羟基-1,3-丙二胺上的桥联氧原子连接形成一个由Cu^2＋和氧原子交错联接的六元杂环结构．     

与协议无关的Winsock API编程研究

Internet正悄然无声地发生着一项重大的技术革命,这就是IPv4向IPv6的逐步演进。在IPv4／IPv6过渡时期,如何开发出能够适应IPv4／IPv6过渡环境的网络应用程序,这是目前所面临的一个重要问题。本文在深刻理解纯IPv4网络编程和纯IPv6网络编程的基础上,通过比较两者的异同点,抛弃它们的差异性,吸收它们的共同点,实现了一种与协议无关的Winsock API编程方法,并在自行搭建的一个IPv4／IPv6过渡实验平台上,成功开发了一个与协议无关的网络聊天程序,具有很强的实际应用价值。     

小波变换在求解重力测定反问题中的应用

针对重力测定反问题,提出将其离散为线性不适定问题,利用小波变换方法进行数值求解.该方法将小波变换和正则化方法相结合,选取小波函数作为一组基底,将原不适定问题转化为粗子空间上的适定问题,并给出选取粗子空间基的方法.通过数值模拟已有方法和小波变换方法求解结果的比较,表明了小波变换方法的可行性和有效性.     

基于MEMS技术研制RF硅基微电感线圈

在分析了硅基上金属线圈的串联电阻、金属层厚度等在低频和高频的情况下对Q的影响及原因的基础上,提出了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法。设计了硅基电感的版图尺寸和相关的工艺流程,用IntelliSuite软件模拟验证了工艺流程的可能性,再利用Ansys有限元软件中的电磁分析模块模拟了电流与磁感应强度的关系、衬底涡流分布等,为平面电感的理论与实验的进一步比较分析提供了参考依据。在研制过程中发现影响电感性能好坏的主要因素是衬底涡流效应,为此提出了在矩形硅杯膜上制作电感的方法,为了进一步减薄金属电感线圈衬底的厚度,在硅杯膜背面采用激光打孔得到了膜厚约为5μm的衬底,从而可以使衬底中的涡流大幅度减少、电感的Q值得到很大提高。此外,提出的新制造方法采用了绝缘性能比SiO2好的Al2O3薄膜作为电感线圈与衬底之间的绝缘层。结果表明,设计的平面螺旋电感具有制造工艺简单、与IC工艺相兼容的优点,有广泛的应用前景。