热镀铝中硅的影响及其作用机制

采用扫描电镜、电子探针及Ｘ射线研究了７２０～７３０℃热浸，纯Ａｌ、Ａｌ＋１．７％Ｓｉ，Ａｌ＋３．６％Ｓｉ三种钢板镀层，结果表明：加Ｓｉ镀层结构改变，并对界面合金层生长有强烈的抑制作用，Ｓｉ量增加抑制作用明显。分析表明，Ｓｉ占据了Ｆｅ２Ａｌ３中Ａｌ原子快速扩散的空位位置，从而导致合金层的缓慢生长。     

截齿软化工艺的改进

<正> 我厂生产的35CrMnSi截齿工序:下料→锻→退火→机加工→淬火→回火→磨角→抛丸处理。退火工艺的目的是便于随后的机加工(刨、铣、钻孔),但退火工艺周期长、氧化脱碳严重,并且耗电较大。为了消除这种现象,又不影响机加工,我们采用高温软化回火来代替退火工艺,软化温度为680～700℃,到温后保温2～3 h即出炉空冷,回火后HB180～200(退火HB90～120)     

连续冷却过程中低碳贝氏体钢的晶界化学

用俄歇电子能谱仪分析了低碳贝氏体钢奥氏体化后炉冷、空冷、油冷和水冷时Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等元素在晶界的偏聚行为。结果发现：在不同冷却速度下,各元素在晶界的偏聚量不同。慢冷速下,Ｂ、Ｐ晶界浓度较高,快冷速下Ｓ晶界浓度较高。Ｃ在晶界的浓度随冷速的提高增加至一定值后趋于平衡。晶界上元素Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｓ之间,存在化学相互作用及位置竞争现象。用扫描电镜观察了断口形貌。     

回火脆性的杂质—空位复合体非平衡偏聚机制

提出了钢回火脆性的杂质－空位复合体机制。研究了４０Ｃｒ钢５３８℃长时间回火脆化动力学，发现５０％ＦＡＴＴ（脆韧转变温度）随回火时间变化的规律与所提出的机制吻合较好。用扫描电镜观察冲击断口形貌，表明沿晶断口的比例呈规律性变化。用俄歇电子谱仪测定了晶界磷浓度的变化。     

Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察

Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．ＣｏＳｉ相和基体无取向关系Ｃｏ／Ｓｉ界面在退火温度范围内的相变过程为：２５０─４５０℃４５０─５００℃Ｃｏ２Ｓｉ＋Ｃｏｓｉ─→ＣＯＳｉ─→Ｃｏｓｉ＋ＣｏＳｉ２     

Si衬底上Co薄膜氧化观察

用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．     

超低碳钢等温过程中杂质的晶界偏聚研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和扫描电镜（ＳＥＭ）研究了超低碳钢在９００℃等温时Ｐ、Ｓ、Ｃ、Ｂ等杂质元素在晶界的偏聚问题。结果发现,等温初期Ｐ、Ｂ在晶界的含量出现峰值,保温一定时间后,晶界Ｓ含量也出现峰值,碳的晶界含量随等温时间递增。长时间等温,偏聚到晶界的组元发生相互作用和位置竞争     

中子辐照GaAs缺陷的退火行为研究

采用霍尔测量,沟道卢瑟福背散射以及低温光荧光方法对中子辐照ＧａＡｓ缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷ＧａＡｓ（ＥＶ＋２００ｍｅＶ）以及复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ。     

Co薄膜的稳定性和室温相观察

用电镜对Ｓｉ（００１）基体上的Ｃｏ薄膜的室温相和稳定性进行了观察，高分辨像和小角解理的电子衍射结果均表明：室温下，Ｃｏ薄膜不发生反应，室温相为α－Ｃｏ，没有硅化物形成，Ｃｏ薄膜在经过３００℃２ｈ退火后，薄膜发生部分凝聚现象，凝固团由硅化物组成，３００℃退火后薄膜由Ｃｏ２Ｓｉ和ＣｏＳｉ两相组成。     

Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察

本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在Ｃｏ／ＳｉＯ２界面，无硅化物产生．在真空条件下５００℃处理１小时，薄膜没有氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面形成完整的ＣｏＳｉ２外延层．