首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   25篇
  免费   2篇
  国内免费   22篇
电工技术   1篇
综合类   2篇
金属工艺   6篇
轻工业   1篇
无线电   5篇
一般工业技术   3篇
原子能技术   31篇
  2010年   1篇
  2009年   6篇
  2008年   1篇
  2007年   1篇
  2006年   3篇
  2005年   2篇
  2004年   4篇
  2003年   3篇
  2002年   5篇
  2001年   4篇
  1999年   1篇
  1997年   1篇
  1996年   2篇
  1994年   1篇
  1993年   2篇
  1990年   5篇
  1989年   1篇
  1985年   1篇
  1982年   1篇
  1980年   2篇
  1979年   1篇
  1978年   1篇
排序方式: 共有49条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
通过将探测器的数目由1个增加到4个、用水平发散角为20′的Soller准直器取代30′的单缝准直器,对中国原子能科学研究院重水研究堆旁的二轴中子粉末衍射谱仪进行了改进。铁粉的衍射实验结果表明:改进后的谱仪在同等中子计数强度条件下,计数速率提高了2.3倍,因而缩短了测量时间,同时也提高了谱仪的分辨率。  相似文献   
12.
利用Rietveld分析方法对钙钛矿锰氧化物La1-xCaxMn0.96Fe0.04O3(x=0.31、0.5、0.6)室温下中子衍射实验数据进行拟合。结果表明,La1-xCaxMn0.96Fe0.04O3化合物具有MnO6八面体,空间群为Pnma,La(Ca)原子占据4c晶位,Mn(Fe)原子占据4b晶位,O原子分别占据4c和8d晶位。根据拟合结果,计算出Mn-O键的键长和Mn-O-Mn的键角,并对该系列样品结构和磁性能间的关系进行了简单讨论。  相似文献   
13.
本文对热处理条件下U-10%Zr合金马工体相的形成和结构进行了研究。结果表明,合金试样在单相γ区和β1+β2混溶区水淬得正交结构的马氏体α‘要,而在β+β2和α+β2相区水淬可获得塑性较好的单斜结构的马氏体α相;合金硬度随不同马氏体相的形成而变化。  相似文献   
14.
Cr原子在Fe_3Al金属间化合物亚点阵中占位测定SCIEI   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用中子衍射方法确定了Cr原子在D0_3有序结构的Fe-28Al一5Cr合金亚点阵中的占位.结果表明:Cr原子仅替代Fe原子的位置,并占位于与Al原子次近邻的亚点阵,由于次近邻反相畴界能的降低,该合金四分位错组态中次近邻反相畴界的宽度变大,从而使交滑移变得容易,材料的变形能力得到改善,这一分析已分别为本工作对合金拉伸试样的表面滑移线金相观察和位错组态的TEM研究所证实.  相似文献   
15.
在室温下分别测量了LaNi5、LaNi5D0.3和LaNi5D6.7的中子衍射谱,采用Rietveld峰形精修方法对实验数据进行拟合,得到它们的晶体结构及氘原子在晶胞中的位置.  相似文献   
16.
用中子衍射法测定了R_2Fe_(17)N_x(R=Y,Dy,Nd)中N的占位及磁结构,初步讨论了N的占位对磁性能的影响  相似文献   
17.
高分辨粉末中子衍射仪(HRPD)是由中子散射研究室自行设计并在国内加工制造的中子散射谱仪,将成为运转于CARR旁的首批谱仪之一。目前,研制工作正按计划进行。  相似文献   
18.
我们以T(d,n)~4He反应为中子源,用半导体探测器测量伴随α粒子的方法确定中子通量。在中子能量为14.10±0.10,14.60±0.20和15.04±0.13兆电子伏处绝对测量了~(238)U的裂变截面。  相似文献   
19.
中国先进研究堆高分辨中子粉末衍射谱仪模拟研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
应用蒙特卡罗方法对中国先进研究堆 (CARR)上的高分辨中子粉末衍射谱仪 (HRPD)的物理设计进行了模拟研究。给出了谱仪的分辨率曲线、样品处中子通量密度等主要参数的模拟计算结果 ,讨论了高分辨模式和高强度模式下的分辨率和强度变化 ,表明设计方案是可行的  相似文献   
20.
一、引言~(241)Am的裂变截面,是研究核裂变机制和用反应堆生产超钚元素所需要的数据之一。14兆电子伏能量点的数据为数不多,而且分岐较大。大多数超钚元素都有很强的α放射性,会对裂变数的测量产生严重的干扰。为克服α脉冲的堆垒,通常尽量采用时间响应较快  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号