立方氮化硼的颜色与其内部杂质的关系

颜色是立方氮化硼众多特性中的一个最为直观的特性。cBN晶体的颜色与其所含杂质种类、数量有关。而杂质可来源于触媒或添加剂，也可来自于hBN与生长环境，以及晶体的生长速度。具体到某一cBN晶体颜色产生的原因必须进行具体情况具体分析。     

立方氮化硼晶体生长与三大基材的关系

文章将复合传压介质的特性、六方氮化硼的纯净性及Ca、Li基触媒三大基础材料的组成与立方氮化晶体生长的关系进行了论述.指出,传压介质的化学特征组成与特性对稳定的压力场的建立是有着重要影响的;六方氮化硼的晶体结构及其中的氧含量对其生长率与品质是至关重要的;触媒的类型则是决定立方氮化硼晶体生长热力学参数变化的因素.     

立方氮化硼在现代加工技术中的地位和作用

文章以PcBN刀具和高速陶瓷cBN砂轮为对象,阐述了其在加工工业中的高速高效、精密、超精密、节能节材、绿色环保、自动化等的技术优势,以及对实现制造业的现代化、绿色化及难加工材料加工等可持续发展中的现实意义、地位和作用。     

我国应尽快制订新国标扩充CBN牌号

我国应尽快制订新国标扩充ＣＢＮ牌号近年来我国通过对ＣＢＮ合成的深入研究，ＣＢＮ研制技术取得突破性进展，黑色、琥珀色－及棕色等高品级的ＣＢＮ单晶相继推出。现行国标ＧＢ６４０８—８６立方氨化硼技术条件》中只有两个ＣＢＮ单晶牌号ＣＢＮＩ和ＣＢＮⅡ，与当时Ｃ...     

高品级粗颗粒(30/60)CBN的合成技术

采用国产铰链式六面顶压机从HBN原材料、触媒体系及合成工艺等方面对高品级粗颗粒(30/40-50/60)CBN晶体合成技术进行了研究.对HBN原材料进行了高真空度下高温处理,使BN含量达到了99%.对CBN晶体的合成工艺及参数进行了优化设计.生长时间设为1200s～1500s.试验结果表明合成CBN单次产量稳定达到85克拉,30/40-50/60比例达69.20%.光学显微镜观察及扫描电子显微镜(SEM)分析表明,大多数CBN晶体生长发育比较完整,30/40-50/60粒度平均单颗粒静压强度均超过80 N.目前该项技术已成功投入工业生产.     

立方氮化硼的应用与机械加工的技术进步

立方氮化硼因其具有“三高”特性，而成为一种理想的超硬磨料得以发展，在此着重介绍了方立氮化硼磨具和刀具及其推广应用，并阐述其技术的发展对机械加工技术的进步具有重要的意义。     

六方氮化硼的制备方法及在合成立方氮化硼中的应用

对中国生产六方氮化硼(hBN)的厂家的制备方法进行了研究,采用感应耦合等离子发射光谱(ICP)、X射线衍射、激光粒度分析及比表面积测定等方法对不同方法制备的hBN粉末进行了检测分析对比。结果发现,其杂质含量、颗粒形貌、结晶度等性能无明显的差异,均属纯度一般的粗制hBN。合成立方氮化硼(CBN)的试验及生产使用表明,虽然不同方法制备的hBN合成CBN的效果和适用性有差别,但均能满足我国CBN单晶合成的需要,为国产合成CBN提供了基础原材料保证。     

不同品种立方氮化硼晶体的Raman光谱

利用Raman光谱仪研究了我公司用高温高压合成的不同品种立方氮化硼(CBN)晶体。结果表明不同品种CBN晶体的Raman光谱有明显差别,可分为以下几种类型:(1)典型的CBN拉曼光谱,只有两个对应CBNTo和Lo模的Raman峰,分别位于1055cm-1和1305cm-1左右;(2)除了CBN的特征峰外,在925cm-1、955cm-1和1245cm-1左右出现额外峰;(3)有CBNTo模的峰,但对应于Lo模的峰消失,在1286cm-1左右出现一个不对称的宽峰。另外在760cm-1、920cm-1和1015cm-1处出现多个额外峰。(4)在1286cm-1左右出现一个峰形不对称的宽峰,对应To模的峰有较大的位移,Raman光谱中有强烈的从低波数端到高波数端呈上升趋势的背底。本文对产生这些Raman峰的原因进行了分析探讨。