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51.
混酸插层制备膨胀石墨研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
对采用H2SO4-HNO3-KMnO4-H2O2混酸氧化插层体系制备膨胀石墨进行了研究,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)和热重一差热法(TG-DTA)分析产物,并提出了氧化插层过程和机理。分析表明:插入剂的插入破坏了原有鳞片石墨层的紧密结构,使碳层间距增大,高温膨胀后,膨胀石墨呈蠕虫状或手风琴状蓬松结构,一个石墨蠕虫由许多微胞连接在一起组成,微胞之间呈现较大的狭缝裂开。氧化插层破坏了鳞片石墨原有的晶体结构,但是未破坏石墨的C—C键,20=29.5。处的特征峰是由石墨插层物结晶区引起的。可膨胀石墨片层。间存在SO4^2-、NO2阴离子插层物。可膨胀石墨在500℃之前的热失重和267℃附近较小的放热峰,均是由石墨插层物的气化、分解所致。  相似文献   
52.
应用离子注入技术改良金属铝抗氯离子孔蚀的性能,在铝表面注入钛元素后可使铝耐氯离子孔蚀的电位提高约140mV,孔蚀后形成的蚀孔尺寸减小。  相似文献   
53.
覆铜板(CCL)作为印制电路板的重要原材料,其性能与质量直接制约着电子产品制造技术、电子安装技术的发展。为此,论文总结了本研发团队近期公开发表的覆铜板制造设备相关专利的创新内容及思路,以期对我国CCL制造业界有所借鉴和启发。  相似文献   
54.
采用动电位极化曲线和电化学阻抗谱方法研究了AZ61镁合金轧制板材的表面、侧面、截面在模拟海水中的腐蚀电化学行为,采用扫描电子显微镜对3个面的腐蚀形貌进行了观察。结果表明,AZ61镁合金轧制板材的表面、侧面、截面在模拟海水中的腐蚀均以孔蚀为主要特征;3个面腐蚀倾向由小到大的顺序为:表面<侧面<截面,耐蚀性能由优到劣的顺序为:表面>侧面>截面;造成3个面腐蚀行为及耐蚀性能不同的根本原因是轧制处理引起的材料微观组织的各向异性。  相似文献   
55.
大学化学是建筑环境专业重要的化素质基础课。大学化学教学中,结合科学史教育,对学生进行人素质教育.能培养学生学习的积极性和主动性,增强学生的创新意识。同时,培养学生的科技伦理道德,也是新世纪高素质建筑人才培养的重要内容。探索与实践证明,在大学化学教学中,渗透人素质教育和科技伦理道德教育收到了明显的教学效果。  相似文献   
56.
制备了本征态聚苯胺在涂层中质量分数分别为0%、1.5%、3%、5%、7%、10%的聚苯胺/环氧防腐蚀涂层,通过Tafel极化曲线和电化学阻抗谱测试对比了其在35%NaCl溶液中的腐蚀性能,结果表明,聚苯胺含量对涂层的防腐蚀性能有较大影响:涂层中聚苯胺含量较小时,随着其在涂层中含量的增加,涂层的腐蚀电位相应提高,而随着聚苯胺含量的进一步增加,涂层的防腐蚀效果开始下降.涂层中聚苯胺质量分数含量为5%时,涂层具有最佳的防腐蚀性能.  相似文献   
57.
酸性介质中氮杂环类缓蚀剂在碳钢上的吸附行为   总被引:1,自引:1,他引:0  
合成了一种新型含氮杂环有机物:2-(4-叔丁基-苯甲基硫)-5-(1,2,4-三氮唑)-甲基-(1,3,4-噁二唑)(TBTO),通过交流阻抗、动电位极化、失重实验研究了其在酸性介质中的缓蚀效率,并用扫描电镜方法分析了碳钢表面的腐蚀形貌变化.结果表明:TBTO在0.5mol/L H2SO4中对Q235钢的缓蚀作用高达96.2%,能同时抑制碳钢腐蚀的阴、阳极反应过程;化合物在碳钢表面上的吸附行为服从Langmuir吸附等温式.同时用量子化学中的从头算方法对缓蚀剂的分子结构与缓蚀性能的关系进行了研究.  相似文献   
58.
熔盐电脱氧制多晶硅过程电流效率的影响因素   总被引:2,自引:0,他引:2  
电流效率是熔盐直接电解脱氧制备多晶硅的一项重要指标,它涉及到电解槽的产量和电耗.如何提高熔盐电解的电流效率对多晶硅的单位时间产量、降低单位电耗等具有重要意义.采用CaCl2为电解质、SiO2粉末压制片为阴极及自制石墨棒为阳极进行了实验研究.在具体实验中测定了制备多晶硅过程中电流效率随电解时间、温度、电流密度及电极间距的变化关系.结果表明,当电解时间为6~10h、电解温度为800~900℃、电流密度为0.78~1.20A/cm2、电极间距为4~7cm时,电解效率较高.  相似文献   
59.
AM60B镁合金在不同pH值酸雨中的腐蚀行为   总被引:2,自引:1,他引:1  
重庆是我国镁合金产业化的重要基地,酸雨对镁合金的腐蚀非常严重.采用极化曲线和电化学交流阻抗法研究了不同pH值条件下AM60B镁合金在模拟酸雨中的腐蚀行为,用扫描电镜(SEM)观察了镁合金的腐蚀形貌,用x射线衍射仪(XRD)分析了腐蚀产物的组成.结果表明:随着溶液pH值的下降,AM60B镁合金的自腐蚀电位变负,腐蚀速率增加,同一腐蚀电位下阳极极化电流变大;电化学阻抗谱显示其容抗减小,膜电容下降,镁合金表面的保护膜被破坏;AM60B镁合金在模拟酸雨中的腐蚀以点蚀为主,形成了较深的腐蚀坑,腐蚀程度随着溶液pH值下降而增大,腐蚀产物主要由MgO和MgAl2(SO4)4·2H2O组成.  相似文献   
60.
为研究铝阳极氧化膜氧化生成机理,采用恒流电解法,对铝试样在硫酸中的阳极氧化过程进行了研究.通过对铝阳极氧化时的阳极氧化电位-时间关系分析发现,阳极氧化电位出现规则的阶跃现象,其阶跃电位为0.039 0 V,根据其氧化电流密度-时间曲线计算出阳极氧化膜的孔隙率为0.1.结果分析表明,氧化电位阶跃与阻挡层厚度的增加密切相关,氧化电位的阶跃主要是由于阻挡层的增厚引起的,阻挡层首先在孔隙面积上生成,当厚度每增加1.530×10-8cm时,发生铺展作用.  相似文献   
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