区域污染负荷特征与控制分析：以宁夏沿黄经济带为例

2017年以来宁夏13条主要入黄排水沟水质基本为劣Ⅴ类,迫切需要推进宁夏沿黄经济带污染防控,保障沿黄城市群高质量绿色发展乃至黄河流域生态安全。针对宁夏沿黄经济带现状污染分析中未考虑污染物入河过程中的减少和点面源污染总体分析不足的问题,以TN、TP、COD、氨氮为污染负荷指标,采用统计数据和考虑入河系数的输出系数法,分析区域污染负荷特征,诊断主要污染源,计算分析点面源污染物排放量和入河量,进行污染物入河量控制分析,提出污染防控的重点和策略。研究表明:2017年研究区TN、TP、COD、氨氮排放量分别为2.23万t、0.15万t、6.16万t、1.00万t,入河量分别为1.03万t、0.03万t、3.31万t、0.44万t,城镇生活污水、农田化肥污染、工业污染物入河量分别占入河总量的55.9%、26.6%和14.7%。污染防控主要策略是城镇污水处理厂出水水质提标至准Ⅳ类,可削减污染物至现状的60.8%;农田亩均化肥折纯量控制在15kg以下,可削减污染物入河量至现状的32%;宁东能源化工基地和工业园区实行近零排放。研究结果为宁夏沿黄经济带生态保护和污染防控治理提供技术支持。     

基于SPS-JADE算法的阵列天线近场方向图综合

针对目标位于阵列天线近场情况下的方向图综合问题,提出了一种基于成功父代选择框架下改进差分进化(SPS-JADE)算法的近场方向图综合方法.在对近场方向图时延参数表达式以及方向图模型进行推导分析的基础上,以一维直线非均匀阵列天线的阵元位置参数作为优化变量,以波束聚焦和降低旁瓣电平作为优化目标,将近场方向图综合问题转化为了...     

川中地区侏罗系大安寨段沉积相及有利岩石组合分析

针对川中地区侏罗系大安寨段沉积相划分不精细,有利岩石组合及有利勘探区不明确的问题,利用3口全取心井的岩心描述和6条野外剖面观察结果,结合薄片鉴定、测井解释及有机地球化学分析方法,对研究区岩石类型、沉积相类型、沉积相分布及沉积模式、岩石组合及有利勘探区进行研究。研究结果表明：岩石类型划分为10种;沉积相划分为滨湖、浅湖、半深湖3个亚相,以及半深湖泥、生物滩、重力流等10种微相;公山庙—莲池—营山一线为沉积中心,为半深湖环境,识别出C、D、E共3种岩石组合类型;南充—渠县—仪陇一线为呈环状发育的浅湖环境,识别出A、B、F共3种岩石组合类型。研究成果可由常规致密油拓展至页岩油勘探领域,通过TOC、孔隙度、渗透率、压裂效果等评价指标,认为A型岩石组合在断裂和裂缝匹配下,是致密油碳酸盐岩的有利勘探组合,F型为最有利页岩油勘探组合,主要分布于浅湖相大一亚段—大二a亚段。研究成果对页岩油下一步勘探有重要指示意义。     

中小河流的河道多级单元网格划分研究

科学合理的河道管理对于维护良好的水生态环境具有重要作用.以甘肃省定西市境内的一条中小河流关川河为例,采用河道分段网格划分方式进行多级单元网格划分,依据岸线功能区对东河、西河交汇口—红岘儿河段进行了 一级网格划分,共划分了11个4类岸线功能区网格,依据岸线控制线对巉口水文站—称钩河汇合口河段进行了二级网格划分,并根据临水...     

陆相页岩层段储集特征及其油气地质意义——以四川盆地中部大安寨段为例

为精细评价陆相页岩储层特征,有效指导页岩油勘探开发,以四川盆地中部侏罗系自流井组大安寨段页岩层系为例,综合应用岩心精描、薄片鉴定、扫描电镜观察、核磁共振、氮气吸附和测井解释等定性和定量的分析方法,对页岩层系岩相和储层微观特征进行研究.提出了页岩层系岩相划分方案,认为大安寨段页岩层系具有以裂缝和溶蚀宏孔为主的微米级储集空间和纳米级孔、缝构成的双重介质,明确了纹层状含介壳页岩及薄层状介壳灰质页岩/泥质介壳灰岩为有利储集岩类,岩相类型和成岩作用是造成储集性能差异的主要因素,富有机质页岩与介壳灰质夹层形成源储一体的有利配置.研究结果表明：大安寨段页岩层系主要包括纹层状长英质页岩、纹层状含介壳页岩、层状—块状黏土质粉砂岩、薄层状介壳灰质页岩、薄层状泥质介壳灰岩和块状介壳灰岩6种岩相类型;块状介壳灰岩孔隙度平均为1.01%,其他(含介壳)页岩孔隙度平均为1.12%～4.85%,页岩层系储集空间以纳米级孔隙为主,形态以狭缝状为主,孔径主要分布为10～5×10~3 nm,介孔和宏孔发育.大安寨段湖相页岩层系含油气性较好,有机质发育的纹层状或薄层状(含介壳)页岩受有机酸溶蚀增孔的作用,形成大量次生孔隙,...     

利用HSMM软件预报钒微合金钢的组织性能

为验证带钢热轧分析软件HSMM的可靠性和适应性，在实际生产中对P510钢的热轧过程和成品组织性能进行了计算预测，结果与实测值基本吻合。     

薄壁多节锥台壳体爆炸胀球精度分析

爆炸胀球技术是一种成形薄壁球壳的先进技术。通过对薄壁多节锥台壳体爆炸胀球过程的数值分析与实验结果对比，发现影响成球精度的结构因素，并就此提出提高薄壁多节锥台壳体爆炸胀球精度的相关措施，为薄壁球面零件的成形开辟了有效途径。     

笔记本内存购买经验谈

通常情况下，大部分笔记本电脑都预留了两个144pin的DIMM插槽．以供用户升级需要。鉴于笔记本电脑超轻薄机身的发展趋势．内存插槽的空间将会锐减．所以大家在选购时应倾向于同等容量下体积相对偏小的内存条．这样一方面能保证在插入内存条时避免与其他部件碰撞．另一方面较小的内存条可以很好地避免部件之间的电磁干扰，从而让笔记本更稳定地运行。     

柔性电涡流式触觉传感器性能仿真与分析

为实现机器人手指柔性传感,满足高灵敏度、高可靠性、尺寸微小化等要求,文中提出一种基于电涡流原理的柔性触觉传感器,建立了传感器二维对称仿真模型,通过有限元分析研究激励频率、线圈与金属板间距和单维载荷对传感器灵敏度和分辨率的影响.结果表明:初始激励频率为3 MHz时,传感器的工作性能最好;电涡流传感器的电压、电阻和电抗随线...     

Ti O2纳米管阵列基底退火温度对CdSe/Ti O2异质结薄膜光电化学性能的影响

通过电化学沉积法以TiO2纳米管阵列(TNTs)为基底制备CdSe/TiO2异质结薄膜。研究TiO2纳米管阵列基底不同退火温度(200,350,450,600℃)对CdSe/TiO2异质结薄膜光电化学性能的影响。采用SEM,XRD,UV-Vis,电化学测试等方法对样品的微观形貌、晶体结构、光电化学性能等进行表征。结果表明:立方晶型的CdSe纳米颗粒均匀沉积在TiO2纳米管阵列管口及管壁上。TiO2纳米管阵列未经退火及退火温度为200℃时,为无定型态,在TiO2纳米管阵列上沉积的CdSe纳米颗粒数量少,尺寸小,异质结薄膜光电性能较差,光电流几乎为零。随着退火温度升高到350℃,TiO2纳米管阵列基底开始向锐钛矿转变;且沉积在TiO2纳米管上的CdSe颗粒增多,尺寸增大,光电化学性能提高。退火温度为450℃时光电流值达到最大,为4.05mA/cm^2。当退火温度达到600℃时,TiO2纳米管有金红石相出现,CdSe颗粒变小,数量减少,光电化学性能下降。