排序方式: 共有48条查询结果,搜索用时 453 毫秒
21.
23.
24.
无压烧结制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷 总被引:2,自引:0,他引:2
用沉淀法包裹微米级SiC颗粒,通过常压、埋烧制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷。通过XRD、TG和SEM等分析了煅烧和烧结过程中相组成的变化、烧成收缩和显微结构。结果表明:利用SiC粉埋烧及碳粉制造还原气氛,含8wt%SiC(平均粒径为5mm)的复合粉末经800℃煅烧、成型,试样于1550℃,2h烧结,可制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷,其相对体积密度达95.2%,在烧结过程中由SiC氧化形成的无定形SiO2及与基质氧化铝反应形成的莫来石前躯体可大大促进烧结。 相似文献
25.
以工业中广泛使用的85氧化铝陶瓷原料粉为原料,加入纳米碳化硅,通过控制无压埋烧制备了85Al2O3/SiC纳米复合陶瓷,研究了其表面抛光行为,讨论了纳米碳化硅对复合陶瓷表面抛光性能的影响.结果表明,纳米复合陶瓷表现出显著优于基体材料的表面抛光响应,在同样的磨料尺寸下,复合陶瓷能够得到更好的表面抛光质量.SEM分析表明,纳米碳化硅的加入使材料的抛光去除机制发生了改变,由大范围的深层晶粒拔出变为小尺寸的浅层去除和塑性变形. 相似文献
26.
27.
Surface Oxidation of Al2O3/SiC Nanocomposite: Phase Transformation and Microstructure 总被引:1,自引:0,他引:1
The surface oxidation behavior of pressureless sintered Al2O3/SiC nanocomposite was studied from 1000 to 1400 ℃ for more than 10 h in air. Weight gain during the process of heat treatment was measured by TG analysis. Phase transformation and microstructure changes of these specimens due to oxidation were investigated with X-ray diffraction (XRD), SEM and EDX technology. Thermogravimetric analysis show that the weight gain as a result of oxidation of SiC become significant above 1200 ℃. In the range of 1000~1300 ℃, the SiC grits are usually coated with a layer of amorphous silica after oxidation. Above 1300 ℃, the amorphous silica reacted with alumina matrix and formed mullite or crystallized into cristobalite. The rate of oxidation depends on the formation of dense cristobalite film. Large amount of needle-like mullite and alumina crystals are formed on the surface after oxidation at 1400 ℃. 相似文献
28.
29.
美国朗迅公司的贝尔试验室最近成功地演示了单个激光器波分复用发射机系统可产生206个波长信道,每一波长信道均可独立地传送数据。 16个波长信道的波分复用系统前不久刚刚投入商业应用,206个波长信道的波分复用系统又有试验样机出现。光纤通信技术发展之快真叫人难以置信。 通常的波分复用系统采用多个单频激光器产生 相似文献
30.
Y掺杂的BaZrO3高温质子导体具有良好的化学稳定性,但较低的电导率影响了其在燃料电池领域的应用.本研究以NaOH为复相添加剂,ZnO为烧结助剂,中温烧结制备了BaZrO3/NaOH复相质子导体,采用直流四电极法测试了其在湿氢气中的电导率,扫描电镜观察了材料的显微结构,详细研究了ZnO和NaOH对材料微观结构和导电性能的影响.结果表明添加3 mol%ZnO可以在1350℃成功制备出BaZrO3/NaOH复相质子导体,相对于单相的Y掺杂BaZrO3陶瓷,BaZrO3/NaOH复相质子导体显示出更高的质子导电性能. 相似文献