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采用动态蒙特卡罗(KMC)方法研究物理气相沉积(PVD)制备薄膜过程中基板温度对薄膜微观结构的影响,并用分维理论研究薄膜表面的复杂程度.该KMC模型中既包括入射原子与表面之间的碰撞,又包括被吸附原子的扩散.模拟中用动量机制确定被吸附原子在表面上的初始构型,用分子稳态计算(MS)方法计算扩散模型中跃迁原子的激活能,用红黑树选择跃迁路径并更新系统跃迁机率.研究结果表明:基板温度大于500 K时,薄膜表面分维均小于2.04,表面光滑,而当基板温度小于500 K时薄膜分维随基板温度降低而增大,表面随基板温度升高变得越来越粗糙,直到基板温度降到250 K时,分维达到最大的稳定值2.32,表面情况非常复杂,具有细致的皱褶和缺陷.分维与基板温度之间的关系说明高基板温度有利于分维小、表面光滑薄膜的制备,而低基板温度使薄膜分维增大、表面结构更加复杂.该研究结果与基板温度对PVD薄膜表面粗糙度影响的研究结果趋势上一致,分维能更细致地评价薄膜表面的复杂程度. 相似文献
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不同材料模型的超弹TiNi合金法向接触的有限元分析 总被引:1,自引:1,他引:1
采用多线性弹性和双线性等向强化两种材料模型,对在法向力载荷作用下的TiNi形状记忆合金进行有限元模拟。结果表明:多线性弹性模型不适合用来分析TiNi合金的超弹性;而通过用最大弹性变形量(与屈服极限对应的极限应变值)来模拟TiNi合金的超弹性,采用双线性等向强化模型可以描述TiNi合金的超弹性与产生的最大Von Mises弹性应变及最大Von Mises塑性应变之间的关系,能够为以TiNi合金作为机敏材料、耐磨材料及耐磨膜层材料设计提供依据。最后,在该材料模型下,将用有限元方法与用纳米力学探针得到的位移与载荷关系曲线进行对比,两者相差不大。 相似文献
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采用强流脉冲离子束在束流密度为200 A/cm2、辐照次数为1~10次条件下对AZ31镁合金微弧氧化膜进行辐照改性处理。采用扫描电子显微镜对氧化膜的表面及截面形貌进行表征;在Princeton Applied Research(PAR)2273型电化学工作站测量氧化膜的极化曲线。结果表明:在束流密度200 A/cm2、5次辐照条件下氧化膜表面获得连续、致密的改性层;以3.5%NaCl溶液为腐蚀液,氧化膜表面发生的腐蚀过程由辐照前的活化溶解向辐照后的钝化-孔蚀击穿转变;在束流密度200 A/cm2、5次辐照条件下击穿电位提高到最大值-800 mV(vs SCE)。强流脉冲离子束辐照产生的连续致密改性层是氧化膜耐蚀性改善的主要原因。 相似文献
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利用La2O3作为烧结助剂,分别采用D50为1.1μm和2.0μm的AlON粉体,在1 880℃保温2.5 h快速无压烧结成功制备了红外透过率达80%~84%(3 850 nm处)的AlON陶瓷。基于AlON粉体粒度研究了La2O3掺量对陶瓷透过率的影响规律,并通过研究高透光性AlON陶瓷烧结过程升温阶段的物相组成、微观结构及致密化进程,揭示了其致密化机制。结果表明,La2O3对Al ON分解具有一定的抑制作用,使样品中的α-Al2O3含量较低,从而避免了颗粒的早期团聚、粗化等,为后期致密化烧结奠定了良好的基础,同时,高致密度高透光性Al ON陶瓷的快速无压烧结制备表明La2O3能为后期烧结提供充足的动力。 相似文献
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根据Y-Si-Al-O-N相图设计Y2O3掺杂α-sialon陶瓷的组成,采用热压烧结方法在1900℃保温30min制备了设计成分为Y0.4Si9.8Al2.2O1.0N15的sia-lon陶瓷,研究了升温速率对陶瓷致密化过程、物相组成以及微观结构的影响规律。结果表明,所制备的陶瓷相组成均为α-sialon;不同升温速率陶瓷的致密化过程曲线变化趋势相同,但随升温速率增大向高温区平移,收缩的起止温度和峰值收缩速率均随升温速率增大而增大;快速升温有利于提高晶核密度,抑制柱状晶发育,柱状晶的尺寸和长径比随升温速率增大而减小。 相似文献
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在运用有限元软件,分别对在受相同表面载荷作用下的单覆层体、三明治覆层体及梯度覆层体的滑动接触进行了弹一塑性计算。结果表明梯度硬覆层体在改善界面附近应变、应力场及裂纹应力分布场等方面比其它覆层体具有较明显的优点。三明治层能有效地减小膜层与基体间的应力值,且在界面处裂纹尖端处的应力也很小,但接近界面处的应力、应变梯度却很大。普通多层膜与单层膜相比,应力、应变分布没有很大的改进。 相似文献
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