小清河济南段水环境保护研究

通过对小清河(济南段)的污染源进行详细调查与分析,探讨了相应的治理与保护措施,并对小清河(济南段)的水质对区域经济发展、沿河人居环境以及流域生态环境进行了评价,为未来小清河(济南段)的产业布局、水资源的合理利用与调配及生态环境恢复建设等提供了依据。     

以Al2L3／AlN为复合绝缘缓冲层的ZnO—TTFT透过率的研究

采用射频反应磁控溅射的方法，以ITO（铟锡氧化物）玻璃为衬底，在Al2O3／AN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜，并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极，通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响，得出以Al2O3／AlN为复合缓冲层薄膜晶体管，在400℃温度下退火处理后，ZnO有源层有较好的c-axis（002）择优取向，器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上，从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明。     

数字版权管理系统及在电力系统多媒体仿真培训中的应用初探

信息技术的发展使得文字及音像作品的出版、复制、储存、传播成本降到了几乎为零，给人们的学习和生活带来了极大的便利。这对社会经济发展和人类文明进程具有巨大的推动意义，但是同时也带来许多知识产权保护问题。数字内容通过网络无障碍地进行传播、共享、使用，使盗版更加容易，使知识产权所有者的利益更容易受到侵犯，知识产权保护越趋复杂和困难。     

CdSe／PVK纳米晶薄膜及其电致发光特性

以巯基乙酸（RSH）为稳定剂，在水溶液中合成CdSe纳米晶，用表面活性剂将分散在水溶液中的纳米颗粒转移到有机溶剂中，与具有电荷输运性能的有机聚合材料复合。作为电致发光（EL）器件的工作层，得到较强的位于600nm附近的CdSe纳米晶的带边发射，以及较弱的位于420nm附近的来自聚合物的发射。器件EL强度首先随着外加电压的增加而增加，当电压超过26V时，EL强度开始下降。器件的电流-电压（I-V）特性基本符合二极管特性，表明器件是受载流子注入限制的。     

有机-无机异质结电致发光器件发光机理的研究

制备了3种有机-无机异质结电致发光器件。由于电场强度或界面势垒的不同．这3种器件的发光性能和发光机理有很大的差别：器件A的发光主要是来自无机层的蓝光．器件B中有机层和无机层都有发光．而器件C只有来自有机层的发光。对所制备的3种结构器件的EL进行了比较,研究了结构对发光起因的影响,揭示通过调节有机层和无机层厚度以及界面势垒高度可以实现对发光区域的控制。     

对集中供暖系统户间传热量问题的分析

分析了户间传热量与建筑物内外围护结构保温隔热性能之间的关系。提出为了减少户间传热量,以利实施分户热计量和分户热收费,应进一步提高建筑物外围护结构的保温水平,对内围护结构采取必要隔热措施也是势在必行,并就此提出具体建议。     

工作气氛对氮化硅薄膜结构的影响

以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料,采用射频磁控反应溅射法,通过改变Ar/N2流量比得到了一系列氮化硅薄膜.用分光光度计对薄膜的光学特性进行了表征;X射线光电子能谱(XPS)表明薄膜中出现了Si-N的键合结构;原子力显微镜(AFM)图显示了在抛光硅片上制备出的薄膜比较平整、致密.实验结果表明:纯N2条件下制备的薄膜比使用Ar和N2混合气体条件下制备的薄膜中的SiNx含量要低;在混合气体参与的条件下,随着氮气流量的增加,薄膜中出现了微孔,缺陷态增加,并对微孔的形成机制进行了解释.     

ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性

本文报道了新型较高亮度的ZnS:Li2O蓝色薄膜电致发光,烧结了新型的蓝色发光材料ZnS:Li2O,用电子束蒸发制备出SiO2夹层结构的ZnS,Li2O蓝色电致发光器件,通过吸收光谱,电致发光光谱,激光光电压与发光强度的关系等研究了ZnS:Li2O薄膜发光特性,认为ZnS:Li2O薄膜电致发光可能是由Zn填隙和氧替硫引起的。氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强。     

具有MgF_2夹层有机-无机复合电致发光器件的性能

本文把 Mg F2 引入有机电致发光器件的电子传输层和空穴传输层之间 ,制备了有机 -无机复合的电致发光器件。通过发光和电学研究发现 ,Mg F2 层的引入可以明显抑制激基复合物的形成 ,增加短波长光的发射的强度 ;同时 ,它对降低起亮电压 ,改善器件发光性能具有明显的效果     

Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光浓度和退火温度特性的研究

本文研究了Ａｇ＾＋的浓度对Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２薄膜光致发光和电致发光的影响。当Ａｇ＾＋沈度达到０．２ａｔ＾,薄膜的光发生很强的淬灭,但是电致发光的淬灭肖度却达１ａｔＴ％,通过对不同浓度的薄膜样品的吸收光谱的测量,发现随着Ａｇ＾＋的浓度的升高,吸收边生红移。由于Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜电致发光有一部分是属于逞间激发,所以电致发光的淬灭浓度要比光致发光高。Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜的退火有助于提高