风化花岗岩砂 磷矿渣 石灰加气混凝土的研究

为解决三峡库区移民工程新型墙体材料问题,针对当地资源分布,对风化花岗岩砂磷矿渣石灰加气混凝土的生产工艺参数和微观结构进行了研究,结果表明：采用风化花岗岩砂作为主要硅质材料,磷矿渣作为部分钙质代替材料,可以在低水泥用量下生产出满足国家标准的加气混凝土制品;该体系的主要水化产物是ＣＳＨ（Ⅰ）、托勃莫来石、水石榴子石．对风化花岗岩砂、磷矿渣采用混合湿磨新工艺,能有效改善水化产物分布的均匀性,使制品性能得以提高．     

韩国陆军十大抢镜装备

<正>01 BMP-3步兵战车俄罗斯BMP-3步兵战车是苏联第三代履带式步兵战车,战车的战斗全重18.7吨,乘员2人,载员7人。与BMP-1/2相比,车体轮廓尤其是车宽得到增大,提高了乘坐舒适性。BMP-3步兵战车最突出的特点是强大的火力系统。该车配备1门2A70型100毫米火炮,1门2A72型30毫米机关炮和3挺7.62毫米机枪。这样强的火力,就算是遇到主战坦克     

磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用

研究了多晶硅的浓磷扩散吸杂、铝吸杂、磷-铝联合吸杂(双面蒸铝)．采用准稳态光电导衰减法测试了吸杂前后多晶硅片的有效少数载流子寿命，发现磷铝联合吸杂于硅片少子寿命的提高最大达30μs以上，其次是磷吸杂，铝吸杂再次之．采用吸杂后的多晶硅片制备了1cm×1cm的太阳电池，与相同条件下未经吸杂制备的电池相比，发现三种吸杂方式都能提高电池的各项电学特性，其中磷铝联合吸杂提高电池效率最大，达40％以上，最差为铝吸杂，只有15％左右的提高，这与吸杂后所测得的少子寿命的变化趋势一致．实验说明三种吸杂方式在不同程度上促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用，减少了载流子的复合中心，从而提高了有效少数载流子的寿命；而有效少数载流子的寿命直接影响到电池的效率．     

用原子层外延技术生长异质结器件

原子层外延(ALE)是金属有机化合物气相外延生长的一种方式。用这种方法并用单层沉积工艺实现了自限单层超薄外延层的均匀生长。本文介绍了用ALE生长GaAs、AlAs单晶及GaAs/AlGaAs异质结和器件。得到的数据证明了ALE生长超薄膜层的单层均匀性。还讨论了生长速率对反应物流量和温度的依赖关系。对ALE外延层厚度进行解理角(Cleaved corner)透射电镜(TEM)分析,证明沉积过程具有“数字式”特性。ALE法生长的GaAs量子阱的低温光致发光(FL)呈窄线本征发光,其线宽可与用常规MOCVD法生长器件的最佳值相媲美。具有ALE生长有源区的量子阱激光器的阈值电流低至400A/cm~2     

用于复合绝缘子伞裙老化状态检测的单边核磁共振传感器

为了实现对复合绝缘子老化状态的定量无损检测,设计出一种新型便携式单边核磁共振传感器,并对传感器的永磁体结构和射频线圈结构进行了优化设计。使用该传感器对三种不同使用时间的复合绝缘子进行了测量,并对核磁共振的回波衰减信号进行指数拟合,获得样品的等效横向弛豫时间,结果表明:随着使用年数的增长,复合绝缘子表面的等效横向弛豫时间呈减小趋势。同时利用静态接触角法测量了复合绝缘子的静态接触角,并将两种方法测得的结果进行比较。结果表明:两者变化趋势相同,但等效横向弛豫时间的变化更明显。     

基于时差序列的多机无源定位算法研究

多站时差序列定位法是一种针对脉冲辐射源的无源定位方法,它是利用短时间内获得的大量时差信息进行定位。文中基于时差序列的定位体制,提出了2个实用的多机定位算法。在目标脉冲波束扫过我方飞行编队的短时间内,将载机位置近似为常值,从而可以使用能够瞬时定位的两步加权最小二乘算法,当测量误差比较大时,采用最大似然法进一步提高定位精度。仿真结果表明,文中提出的基于时差序列的多机定位算法能够达到较高的定位精度,具有很好的工程实用价值。     

有机薄膜晶体管直流电流-电压模型的研究

通过对有机薄膜晶体管(OTFT)电流-电压特性的研究,建立了一种用于电路模拟的仿真程序(SPICE)的OTFT直流电流-电压模型,所用的参数都可从实验特性曲线中提取。对一种基于并五苯(Pentacene)的底栅顶接触(TC)结构的OTFT的实验曲线进行参数提取,并利用所得的参数与建立的模型进行仿真,得到的输出特性和转移特性曲线与实验结果无论在线性区还是在饱和区都具有较强的一致性,验证了本文所建模型及参数的准确性。建立的模型能够准确描述OTFT的直流特性,可用于有机电路的SPICE仿真。     

反向偏压调制下Ⅰ型阱结构体系光致发光特性的研究

实验过程中研究了8-hydroxyq-uinoline aluminum(Alq3)和2-(4-biphenylyl)-5(4-tert-butyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)构成的Ⅰ型有机阱结构器件在反向偏压调制下的光致发光.器件的光致发光光谱主要是Alq3的发光,不同周期数的阱结构器件在反向电场作用下,光致发光的猝灭程度不同.