晶粒细化工艺对AM60镁合金组织性能的影响

简述了Mg—Al系镁合金的晶粒细化工艺。利用X射线荧光光谱仪、光学显微镜、布氏硬度计、电子天平和MTS材料试验机等设备研究了C2Cl6作为晶粒细化剂对AM60镁合金铸件成分、密度、显微组织和力学性能等的影响。结果表明，C2Cl6能够起到良好的晶粒细化效果，可以显著地提高铸件的力学性能。在最佳使用量下，铸态AM60镁合金的晶粒尺寸可以从未使用C2Cl6时的250μm减小到70μm，抗拉强度和伸长率分别为237MPa和18．9％，分别提高了11．3％和65．8％。同时，对C2Cl6在Mg—Al系镁合金中的晶粒细化与性能强化机理进行了探讨。     

国外蛋白质水解酶的研究和应用近况

<正> 从经济角度看,蛋白酶是重要的工业酶。据估计,1990年全世界酶产品的销售额可达15亿美元。其中大约48％是蛋白酶或是蛋白酶与糖酶的混合产品,水溶性蛋白酶主要用于洗涤剂、肉类加工、干酪制造以及试剂生产和临床诊断中。目前,这些商业化蛋白酶主要来源于微生物。近十年来,基因克隆技术发展很快。将动植物的酶基因组入微生物中使其表达的     

现浇混凝土(GBF高强薄管)空心楼盖施工的质量监督和管理

被建设部列为1999年度科技成果重点推广项目的《GBF□高强薄壁管及其在现浇混凝土空心楼盖中的应用》,以其低成本、大开间、无柱帽、高速度的优越性,已在全国各地得到了广泛的应用。目前该工程应用技术国家和地区尚无统一的施工规范和验收标准,为了使新接触该项技术的工程技术人员,对该项技术有一个粗浅的认识,作者试图将实例工程中总结出来的经验以及对该项技术发明的了解作一个介绍,期望能在工程质量监督和管理工作与工程应用技术之间构筑的一个通道,使该项工程技术的应用显得更加完美。     

基于GIS的南屯矿区土地利用动态变化与预测

以南屯矿区2004年航空照片,地形图及2007年SPOT遥感影像为主要数据源,利用G IS技术分析了该矿区土地利用的动态变化及土地利用各类型之间的相互转化,并且运用马尔可夫模型,对土地利用动态变化及演变趋势进行了预测分析。     

阳离子涤纶低弹丝纬编毛毯的生产工艺探讨

概述了纬编毛毯的结构和阳离子涤纶低弹丝在纬编毛毯中的使用.介绍了阳离子涤纶低弹丝纬编毛毯的生产工艺、条件及控制要求,指出区别于腈纶毛毯生产的控制关键点是预烫剪的质量控制.阐述了阳离子涤纶低弹丝替代腈纶膨体纱的竞争优势是成本低、适用范围广、消耗少、质量好、效率高等.     

针织立绒机异性异色毛绒均匀分布产品的工艺研究

在针织立绒机上生产的毛绒产品为纬编衬垫组织.文章介绍了在该设备上生产异性异色毛绒均匀分布产品的生产工艺及产品特性.在组织结构确定的情况下,通过变换三角的配置,结合原料种类和颜色的变化组合,从而得到两种原科或两种颜色毛绒均匀分布的风格不同的毛绒产品,并对工艺设计进行了阐述.     

针织毛绒产品对纺纱工艺的要求

针对针织毛绒产品的质量要求,采用不同的纺纱工艺及纱线品种以满足毛绒产品所需达到的风格条件.分析讨论了各种类型毛绒产品在纺纱工艺配方中各类原材料的适宜比例,同时归纳、总结了毛绒产品的类别、纱线种类和原料适用配方以及毛绒产品经生产整理后达到的风格和产品用途.根据生产实践,按照产品品种要求确定适应的原料用纱,使之既满足产品风格条件又使成本控制在最低范围,并且拓展了毛绒产品的品种,增强了市场竞争力.     

通过优化额外的硼注入工艺减小STI对SONOS存储器的影响

The influence of shallow trench isolation (STI) on a 90 nm polysilicon–oxide–nitride–oxide–silicon structure non-volatile memory has been studied based on experiments. It has been found that the performance of edge memory cells adjacent to STI deteriorates remarkably. The compressive stress and boron segregation induced by STI are thought to be the main causes of this problem. In order to mitigate the STI impact, an added boron implantation in the STI region is developed as a new solution. Four kinds of boron implantation experiments have been implemented to evaluate the impact of STI on edge cells, respectively. The experimental results show that the performance of edge cells can be greatly improved through optimizing added boron implantation technology.     

SPAD探测器深n阱保护环宽度对暗计数噪声的影响

为了探究单光子雪崩二极管(SPAD)器件的保护环宽度(W_GR)对暗计数噪声的影响,基于标准180 nm CMOS工艺,设计了以低浓度掺杂深n阱(DNW)为保护环的p阱(PW)/DNW结构,通过实验和TCAD仿真研究了W_GR对暗计数噪声的影响。实验结果表明,当W_GR从1μm增加到2μm时,室温下SPAD器件的暗计数率(DCR)从79 kHz显著减小到17 kHz;当W_GR从2μm增加到3μm时,DCR不再发生明显变化。TCAD仿真揭示了当W_GR从2μm减小到1μm时,保护环区域的电场强度增长较大,导致缺陷辅助隧穿(TAT)效应引起的暗计数显著增加。当W_GR增加到2μm以上时,保护环区域的电场强度不再降低,继续增大W_GR对降低DCR不再有效,反而会导致SPAD器件填充因子减小。因此DNW W_GR为2μm的SPAD器件在具有低暗计数率的同时又有较小的尺寸,有利于高密度阵列的集成。