分布式立体温度监测系统在湿法电解工艺的应用

分布式立体温度监测系统采用分布式光纤感温探测,可以精确地判断湿法电解工艺中电解槽内电解配液的流动和循环情况,辅助判断电解过程,发现和定位电解槽的异常状况,有效的确保电解工艺长期稳定的运行,减少工艺故障,降低能耗损失,提升生产效能。     

一种消除模拟TOF阵列探测器FPN的两级CDS电路

提出了一种新颖的两级相关双采样(CDS)电路,用于消除基于时间幅度转换器(TAC)结构的高密度光子飞行时间(TOF)阵列探测器的固定模式噪声(FPN)。相比于传统的全差分电路,该电路的结构更加简单,每一级仅使用两个开关管和一个采样电容。电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺制造,面积仅为40μm×35μm,静态功耗仅为301μW。测试结果表明,所提出的两级CDS电路具有99.98%的高线性度,在1.8 V电源下实现了0.9 V的宽输出摆幅,FPN总量减少了54%以上。提出的CDS方案可以有效消除阵列的像素级和列级的FPN,非常适用于基于TAC的高密度TOF阵列探测器。     

基于网络的离线式设备点检管理系统的设计与实现*

针对现代化企业中机械设备复杂性和多样化的发展现状,构建了一种离线式的网络化设备点检系统。介绍了系统的整体构架和工作流程,重点描述了系统中各层的设计和关键性技术。该系统将网络与数据库技术相结合,采用三层C/S结构的系统架构,在建立网络化远程诊断和设备点检体系的同时,将设备管理与底层数据采集有机融合,为企业成功开展设备监测提出了详细的实现方案。     

化学品危险性鉴别、分类及管理

介绍了化学品危险性类别与分类程序，以及鉴别分类的管理工作，提出了化学品危险性鉴别及分类是化学品安全管理的基础工作，只有基础工作做好了，才能有效地预防和控制化学品的危害。     

三相屏蔽电缆布线对磁场屏蔽效能的影响

利用理论分析和数值仿真两种方法,从电路和磁场两个角度分析了三相屏蔽电缆布线方式对磁场屏蔽效能的影响。通过仿真分析发现,当三相屏蔽电缆采用等边三角形布置时,比采用并排直线布置方式具有更佳的磁场屏蔽效能,可有效避免通过额外增加整改器件来抑制磁场辐射发射,大幅降低后期磁场抑制成本。     

浅析GIS大数据

随着地理信息数据的迅速增加,GIS数据呈现出数据量大、数据种类多和数据结构复杂的特点。该文从大数据的角度对GIS数据呈现的三个特征进行了具体的分析,并在此基础上提出GIS大数据存储和处理的新的要求。最后介绍了MongoDB这一NoSQL数据库的特性,简要分析了利用MongoDB数据库的特性来解决GIS大数据问题的方法,并简单地借助于python语言用mongoDB对ESRI Shapefiles进行了存储。     

±1100kV线路长串盘形绝缘子污闪特性研究EI北大核心CSCD

特高压直流输电技术可实现远距离、大容量的能源高效配置,相较±800kV,±1100kV输电效率和输电距离可进一步提升,经济社会效益显著。±1100kV线路塔头尺寸受绝缘子串长的影响,可通过长串人工污秽试验得到的污闪特性确定。为保证±1100kV直流工程的安全性和经济性,应在±1100kV全电压、全尺寸以及不同并联间距等条件下开展人工污秽试验,获得污闪特性。特高压直流试验基地的±1400kV/2A特高压直流污秽电源解决了电源在最高输出电压和大电流负载时的电压稳定性问题。人工气候罐的污秽试验系统突破了超长尺寸试品污秽试验雾的均匀性控制问题。这两项关键技术使得±1100kV等级全电压、全尺寸试验具备条件。在此基础上,开展了串长最高至15.6m、全电压至直流1100kV、并联时不同串间距（500~1000mm）以及最高至6并联的多串并联的直流污闪试验。通过±1100kV全电压下的长串试验,获得了绝缘子串长、并联串间距、串形和污闪电压的关系。结果表明,串长和污闪电压在±1100kV以下范围内呈线性关系。±1100kV绝缘子双串或多串并联时,为保证串间不相互影响,建议串间距大于600mm。根据概率分析,大跨越在采用多串并联时需进行串长修正,并计算给出了不同条件下的修正系数。采用升降法,试验获得了±1100kV长串绝缘子在全电压范围内的串长和闪络电压关系,给出了并联串间距对污闪电压的影响,以及多串并联对污闪电压和外绝缘设计的影响,研究结果可直接应用于±1100kV线路外绝缘设计。     

纳米SiC颗粒增强AM60镁合金组织性能的研究

通过对纳米SiC颗粒的预处理,使用搅熔复合铸造工艺,制备了纳米SiC颗粒增强AM60铸造镁合金材料.研究了纳米SiC颗粒对镁合金的显微组织、力学性能和硬度等的影响.结果表明,在镁合金中添加纳米SiC颗粒能够细化其组织,提高材料的综合力学性能.当纳米SiC颗粒加入量(体积分数)为1.0%时,纳米颗粒增强AM60镁合金的抗拉强度、伸长率和硬度(HB)分别达到240 MPa、16.0%和53.9,较相同工艺下未加纳米颗粒的AM60分别提高了12.1%、40.3%和11.6%.同时对纳米SiC颗粒对镁合金的强化机理进行了探讨.     

半固态AZ91D镁合金稳态与瞬态表观粘度的研究

采用AZ91D镁合金为试验材料,以自行研制的转筒式半固态浆料制备装置(RBRM)为试验设备,研究半固态浆料稳态与瞬态流变情况下表观粘度的变化规律。结果表明:剪切速率、固相率和冷却速度对半固态浆料的表观粘度都有很大的影响。稳态流变情况下,低剪切速率随固相率的增加,其表观粘度增加的速度较高剪切速率时的快。瞬态流变情况下,随着冷却速率的增加,表观粘度明显增加,而且冷却速率越高,随着固相率的增加,表观粘度增加得越快。相同固相率和剪切速率情况下,稳态流变的表观粘度较瞬态流变的表观粘度要低。     

保角映射方法在四孔垂直型霍尔器件性能预测中的应用

不同于传统的结构上对称的五孔结构，新型的四孔和六孔垂直型霍尔器件更具有电流上的对称性，因此可以更好地采用旋转电流技术来消除器件的初始失调。本文利用保角映射方法实现了对四孔垂直型霍尔器件性能的预测。并改进了该方法，在其中加入了对结场效应的计算，使得计算结果更加精确。最后对计算和仿真结果进行了分析对比，其中电流灵敏度的误差小于5%，电压灵敏度的误差约为13%。充分证明了保角映射方法可以应用于对垂直型霍尔器件的性能预测。