紫外光照下金属氧化物薄膜气敏特性研究进展

介绍了近期文献中对紫外光照下半导体金属氧化物薄膜气敏特性的研究结果:紫外光照引起SnO2,In2O3,ZnO薄膜电导显著增大;提高室温下薄膜对CO,NO2气体检测的灵敏度,减少响应和恢复时间;介绍了一种对紫外光增强气敏机制的物理模型分析方法。最后讨论了当前存在的难点问题(室温下气体检测的灵敏度不高及使用紫外光源不便)及未来研究方向(借改变薄膜的制备方法、工艺条件、优化金属氧化物薄膜的结构;通过掺杂复合改变薄膜的成分以及寻找禁带宽度窄的半导体材料等)。     

纳米晶PZT薄膜体声波谐振器的研究

采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在Si基Pt电极上沉积了PZT压电薄膜,并研制了以SiO2为声反射层的体声波谐振器.用X-射线衍射、电镜扫描及原子力显微镜测试表明,PZT薄膜具有(110)择优取向,良好的短柱状自行晶结构及平滑的表面,晶粒平均尺寸为50～60 nm.介电性能测试结果表明,介电常数保持约800,损耗角为0.02.用网络分析仪测试体声波谐振器得到较好的频率特性,即串、并联谐振频率分别为2.91 GHz和3.01 GHz,机电耦合系数为8.18%.在敏感元电极上加载1 μL浓度为0.2 μg/μL的磁性微球溶液,谐振频率降低了0.09 GHz.     

柔性神经微电极阵列设计及微加工工艺研究

采用聚对二甲苯(parylene)作为基底,通过对柔性神经微电极阵列结构、引线排布、电极材料等进行优化选择和设计,并采用微机电加工工艺(MEMS),设计并研制出了2×8柔性神经微电极阵列,旨在为视网膜神经接口电极的研究开发奠定基础.     

Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究

优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600s,具有较好的保留性能。     

一种高电源噪声抑制宽线性范围CMOS压控振荡器设计

给出了一种高电源噪声抑制、高线性范围CMOS压控振荡器的结构：电压调节器用于隔离外部电源以抑制高频与低频噪声．并提供稳定的内部电压给振荡器；振荡器部分则使用双环结构，同时采用改进的V-I电路，提高了VCO电压-频率转换特性的线性范围。在TSMC0．25μmN阱CMOSS工艺参数下仿真表明，VCO的输出频率范围为0．081GHz至1．53GHz．控制电压调节范围81％，线性度6．9％。当输出频率为1GHz时，电源电压变化1V引起的输出周期变化为3ps。     

基于Parylene的柔性微电极阵列微加工工艺研究

基底集成的柔性微电极阵列(MEAs)从一个全新的角度演绎了植入式神经系统,对神经进行电刺激并记录神经电信号.以一种新型聚合物材料聚对二甲苯(parylene)为基底,制备出了用于神经接口的柔性神经微电极阵列.采用MEMS加工技术,设计了一种基于parylene柔性神经微电极阵列的加工工艺方法,并讨论了在流片过程中的关键问题,如掩膜层的选择、电极的剥离及焊接与封装等.该柔性微电极阵列在用于视觉假体的神经接口方面具有独特的应用优势.     

多通道柔性神经微电极加工工艺研究

目的：设计并制作多通道柔性神经微电极,对微电极的加工工艺进行研究。方法：采用一种新型的柔性聚合物材料——聚对二甲苯（parylene C）作为微电极的基底和绝缘材料,借助微细加工技术,制作柔性神经微电极。结果：利用上述方法制作了36通道（按6×6矩阵排列）的柔性神经微电极,微电极的尺寸分别为150m（圆形）和150m×150m（方形）,电极引线线宽为30m。无论微电极为圆形或方形,表面均平整光滑、轮廓清晰。电学性能测试结果表明：1kHz时微电极的阻抗仅为7k左右,且随着频率的增加,阻抗逐渐降低,呈明显高通特性。结论：微电极加工质量较好,电学性能优良。实现了微电极和柔性基底的集成,有利于高效率批量制作。为视觉假体中柔性神经接口的研制奠定基础。     

激光测距仪系统灵敏度的研究

本文根据激光的传输理论,导出激光测距仪系统灵敏度和消光比方程,并进行了实验验证.     

丝网印刷技术制备高性能织构化K0.45Na0.55NbO3陶瓷（英文）

以片状NaNbO3晶粒为模板,以K4CuNb8O23(KCN)为助烧剂,通过丝网印刷技术制备出晶粒定向的K0.45Na0.55NbO3(KNN)无铅压电陶瓷.片状的NaNbO3模板是以铋层状Bi2.5Na3.5Nb5O18为前驱物,通过熔盐拓扑微观反应制得.织构化(K0.45Na0.55)NbO3陶瓷的晶粒定向程度达到95%,其定向晶粒沿丝网印刷方向平行排列,块体的相对密度达到92%.在平行和垂直于丝网印刷方向的两个面上,织构化(K0.45Na0.55)NbO3陶瓷表现出不同的定向程度,且其介电、铁电和压电性能均明显优于无织构化陶瓷.介电常数εr、压电系数d33、机电耦合系数kp在平行于丝网印刷方向的表面上,分别提高了75%、44%、42%;在垂直于丝网印刷方向的表面上分别提高了35%、30%、35%.相对于目前其它的晶粒定向技术,丝网印刷方法既简单又高效.     

金属纳米晶的制备及其在MOS电容结构中的存储特性

优化了金属纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸8nm,密度2.5×1011/cm2的Ag纳米晶.在此基础上,制备了包含Ag纳米晶的MOS电容结构.利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态.电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间290s,具有较好的保留性能.