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研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性。结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在 MOS 结构中。 相似文献
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林诗翔土旗惠佳博罗胜平唐正强 《组合机床与自动化加工技术》2022,(6):155-158
采用酸性电镀体系在304不锈钢基体上制备了Zn涂层、Ni涂层及Zn-Ni复合涂层,研究了各涂层的表面形貌、元素含量、结合强度、电化学腐蚀性能以及不同载荷和介质下的摩擦学性能。扫描电镜(SEM)结果显示Zn-Ni复合涂层具有致密的结构和优于基体的表面质量,能量色散光谱(EDS)研究发现Zn-Ni复合涂层在电镀过程中发生了异常共沉积。电化学腐蚀结果表明Zn-Ni涂层具有优于基体和单质涂层的腐蚀性能。往复摩擦试验结果发现,在不同载荷下Zn-Ni涂层具有更稳定的干摩擦性能,磨痕形貌表明Zn-Ni复合涂层在低载荷下以塑性变形和粘着磨损为主,随着载荷增加,涂层主要失效形式转变为裂纹扩展产生的鳞剥。采用三维表面形貌仪对磨损深度进行了表征,Zn-Ni复合涂层在不同载荷下的磨痕深度均小于基体的磨痕深度。 相似文献
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采用渗流铸造工艺制备了钨丝增强不同Nb含量的Zr基金属玻璃复合材料,利用X-Ray衍射、扫描电镜以及电子探针考察了复合材料界面反应和界面扩散情况,研究了基体合金中的Nb含量对复合材料界面反应和界面扩散的影响。结果表明:对Zr55Al10Ni5Cu30基复合材料,渗流时,钨丝与液相中的Zr发生界面包晶反应,生成W5Zr3界面相,并使界面位置向液相方向移动。在Zr55Al10Ni5Cu30合金的基础上添加Nb,发现Nb优先在钨丝界面偏聚,降低了Zr在钨丝界面的偏聚和活度,抑制钨丝与液相中的Zr包晶反应的发生,没有生成W5Zr3界面相,界面处只存在简单的扩散层。同时发现Zr元素在钨丝中的扩散系数降低,此时界面位置向钨丝方向移动。 相似文献