硅化物阻挡层对高压漏扩展MOS晶体管的影响

Silicide-block-film effects on drain-extended MOS （DEMOS） transistors were comparatively investigated, by means of different film stack stoichiometric SiO2 and silicon-rich oxide （SRO）. The electrical properties of the as-deposited films were evaluated by extracting source/drain series resistance. It was found that the block film plays a role like a field plate, which has significant influence on the electric field beneath. Similar to hot-carrier- injection （HCI） induced degradation for devices, the block film initially charged in fabrication process also strongly affects the device characteristics and limits the safe operating area.     

基于学习通和BOPPPS模型的混合式教学实践

针对课堂教学中存在的问题,尝试基于学习通和BOPPPS模型的《数据库原理与应用》课堂混合式教学设计实践。首先阐述了学习通+BOPPPS模型的教学模式,然后以“函数在查询中的应用”为例,围绕课前(导言、学习目标、前测)、课中(参与式学习、后测)、课后(总结),探讨了学习通+BOPPPS模型在课堂教学设计中的具体应用,提高学生的学习能动性,提高教学质量。     

基于超声Lamb波的不同种类积冰厚度检测

针对静止状态下飞机蒙皮表面残冰检测问题,提出一种超声导波检测技术,通过提取时域和频域的特征参数变化,实现板状结构表面的透明冰、混合冰、霜冰3种类型区分和积冰厚度判断。首先通过ABAQUS仿真软件采集超声Lamb波S0模态信号,在时域内观察随厚度和类型变化引起的S0模态幅值衰减程度,同时在频域内引入积冰系数,最终实现了关于厚度和类型的非线性映射。其次,对使用Lamb波分辨3种不同类型积冰的厚度进行了实验验证,对比仿真结果表明该方法存在一定可行性。最后,总结了判断积冰种类和厚度的方法。     

用偏振敏感技术对光纤带光缆进行应力研究

本文介绍有关高密度光纤带光缆应力特性的实验结果，实验用两种技术进行的：偏振模色散法和偏振光时域反射法，它们之间的相关性和从理论上得出的数据表明：在这样的光缆中，双折射部分是决定性的。     

双极场引晶体管:VI.CMOS电压倒相电路(双MOS栅纯基)

本文报告了硅互补金属氧化层硅（CMOS）电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散. 这电路用一只实际的﹑纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现. 通过数字求解五个偏微分方程,可获得这些电学特性. 方程是基于这种器件结构：在薄纯硅基层的两表面上各有一个MOS栅,在这薄基的两端都有电子和空穴接触. 内部条件和CMOS边界条件用于三种势（静电势和电子及空穴电化学势）. 用一台装有Windows XP-PRO下的64位FORTRAN语言的双核个人计算机,快速地计算出一系列曲线.     

场引晶体管双极理论:Ⅹ.基本物理和理论(所有器件结构)

本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高、流进内禀晶体管、飘移限制抛物型电流,电化学势边界仿真电子和空穴接触,给出很低、越过势垒注入、扩散限制电流,具有理想、每量级60mV、指数型亚阈值区倾斜.双MOS栅薄纯基硅场引晶体管为典型结构.     

场引晶体管理论:XI.双极电化电流（薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极）

场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场．自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流．多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解．当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差．本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流．用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体（x,y,z）晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件．没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程：半无限厚不纯基上一块栅极（传统的Bulk MOSFET）,与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极（SOI）,在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极（SOI TFT）,和薄纯基上两块栅极（FinFETs）．     

基于FPGA实现CRC校验功能的通用异步串口通信

UART作为RS-232协议的控制接口得到了广泛的应用,为实现准确的数据串口通信,在分析CRC生成算法的基础上,提出了一种简单、实用的UART设计与实现方案。该方案在串口通信中采用CRC-5校验,基于FPGA采用Verilog语言实现CRC-5校验模块,仿真结果与理论分析一致,达到了预期设计的目标。提高了通信的速度、可靠性和效率。     

高职院校图书馆信息资源建设的调查研究——以重庆工商职业学院为例

重新认识新环境下高校图书馆文献资源建设工作,制定科学的信息资源建设策略,已是摆在我们面前的课题。高职院校图书馆信息资源建设,历来是高校图书馆信息资源建设中较薄弱的队伍,为了进一步推进我校图书馆信息资源建设,我们审视了我校图书馆信息资源的现状,并对我校师生通过问卷和访谈的方式进行了信息资源供给与满足情况调查,在此基础上提出了我校图书馆今后建设的意见和建议,并对高职院校图书馆信息资源建设中应特别引起注意的问题进行了讨论。     

基于嵌套缺陷地谐振器的紧凑型多通带滤波器*

根据双模缺陷地谐振器(DDGSR)在结构上易于嵌套实现多通带滤波器的独特优势,以及通过馈线中加上枝节线引入传输零点改善高频阻带特性的方法,提出了一种新颖的具有较陡边带和较宽高阻带特性的四通带滤波器。一节DDGSR 包含一个槽线谐振器(SLR)和一个缺陷地阶跃阻抗谐振器(DSIR),运用具有四节双模缺陷地谐振器的嵌套双模缺陷地谐振器结构,并通过仿真软件优化结构参数设计并制作了GPS(1.57GHz)、DCS(1.8GHz)、WLAN(2.4GHz)、WiMAX(3. 5GHz)频段的四通带滤波器。测试结果表明,四个通带中心频率分别为1. 58/1.8/2.42/3.58GHz,3dB 带宽为8.2/5/5.4/6.7%,带内插损最小值为1.2/1.6/1.6/2.6dB。设计与测试结果良好的一致性验证了理论的准确性。