电感耦合等离子体质谱法测定水中镉的不确定度评定

本文采用盐酸、硝酸消解水样品,建立了测定水样中镉浓度的数学模型,对电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS法)测定水中镉的不确定进行评定。水样中镉浓度为0. 21μg/L时,结果的扩展不确定度为0. 02μg/L(k=2)。对HJ 700-2014《水质65种元素的测定电感耦合等离子体质谱法》标准方法测定镉的不确定度来源进行分析,其主要来源是标准曲线的线性拟合,并得出了ICP-MS法测定镉浓度的扩展不确定度结果,为结果的符合性判断提供依据。     

X射线荧光光谱法测定氧化铝中杂质含量的质量控制方法

为满足本公司生产需求,实验室采用X射线荧光光谱法(XRF)测定氧化铝中SiO₂、Fe₂O₃、Na₂O含量,而XRF检测结果的准确性取决于日常质量控制效果。工作中总结出一套以XRF设备分析原理为基础结合氧化铝中SiO₂、Fe₂O₃、Na₂O测定经验的有效质量控制方法,论述了质量控制计划制定的依据及质量控制方法选择的原则,从仪器设备检测状态控制、样品制备方法选择、XRF漂移校正、标准样品检测、方法比对、人员比对及留样再测等方面详细介绍了内部质量控制方法,同时运用实验室间比对及测量审核两种外部质量控制方法对内部质量控制效果进行检验。通过统计分析内外部质量控制数据,发现实验室用XRF测定粉末压片法制样的氧化铝中SiO₂、Fe₂O₃、Na₂O含量,检测结果准确可靠,证明质量控制方法有效。该套质量控制经验对于XRF测定其他材料中杂质元素含量的质量控制方法的建立同样具有参考借鉴意义。     

基于主成分分析与近红外光谱技术的窖泥聚类研究

采用近红外光谱技术和主成分分析法相结合的检测手段,从60年、90年、200年窖龄的窖池和封窖泥中取样,每个窖池样本为12个,测量其近红外漫反射红外光谱,在4000～10000 cm-1区间选取不同范围内的光谱数据,对48个样本进行主成分分析,作二维线性投影图和三维线性投影图,比较了48个样品在红外光谱上的差异程度,发现基于傅里叶变换近红外光谱的主成分分析投影图能够较好地表征48个样品的类别关系,不同窖龄的样本在空间分布中能够得到较好的区分。结果表明,应用近红外漫反射光谱法能够鉴别窖泥的使用年份。作为一种窖泥质量检测手段,该方法具有一定的应用价值。     

大曲挥发性成分动态变化研究

应用HS-SPME(顶空-固相微萃取)结合GC-MS(气相色谱-质谱)技术对浓香型大曲制曲过程中挥发性成分进行了动态分析。在浓香型大曲中共检测到54种挥发性成分,其中烃类5种,醇类10种,酯类8种,醛类4种,酮类2种,酸类8种,含氮化合物6种,芳香族化合物4种,酚类化合物5种,呋喃类化合物2种。大部分挥发性成分含量呈现先增后减的趋势,在8 d时达到最大值,随后下降,到贮存后期含量趋于稳定。     

黄磷脱砷的试验研究

利用黄磷与砷在物理性质及化学性质上的不同,寻求脱磷黄磷中的砷的方法,制备低砷黄磷。     

蛹虫草保健酒的研究进展

蛹虫草是子囊菌门,肉座菌目,虫草科、虫草属的模式种,具有很高的药用价值,其功能可以与冬虫夏草媲美。主要介绍了蛹虫草的有效成分、药用价值及蛹虫草保健酒制作工艺和沉淀的处理等。     

浓香型大曲酒丢糟用于制曲的研究进展

介绍了浓香型大曲酒丢糟的性质,并就浓香型大曲酒丢糟制曲过程中,丢糟的加入方式、加入量以及制曲坯方式的研究进展进行了概述。     

MOCA的合成

以邻氯苯胺和多聚甲醛为反应原料制备MOCA.与以邻氯苯胺和甲醛水溶液为原料的传统工艺相比,用多聚甲醛代替甲醛水溶液,使多聚甲醛在酸催化下慢慢分解生成甲醛,可以保证与邻氯苯胺的反应在比较缓和的条件下进行,避免了大量树脂状物质的生成,提高了产品收率.通过正交试验考察了物料配比、反应时间及反应温度等因素对反应的影响,并确定了最佳的工艺条件为:多聚甲醛与邻氯苯胺摩尔比1:2,反应时间为3h,反应温度为80℃.最佳工艺条件下产品收率为90.3%.     

应用型本科院校制药工艺学实践教学改革的探讨

制药工艺学是制药工程专业的一门专业性和实践性很强的课程,实践教学是该门课程教学的重要环节。文章结合教学实践,初步探讨了制药工艺学课程的实践教学,以满足社会对应用型人才的需求。     

In2Se3薄膜生长及结晶择优取向的影响因素研究

(In,Ga)2Se3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能.实验就多源共蒸发制备In2Se3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究.分析讨论上述3种因素对In2Se3薄膜的结晶生长和择优取向生长的影响.发现:在Mo/苏打石灰玻璃(Mo/SLG)衬底上生长,Se源温度在270℃以上或衬底温度为380～400℃的较高温度时,制备的In2Se3预制层是单一晶相的In2Se3,其x射线衍射峰是以(110)和(300)峰为择优取向.反之,生长在苏打石灰玻璃(SLG)衬底上,Se源温度为230℃以下或衬底温度为较低温度300℃时,In2Se3预制层结晶质量较差,其X射线衍射峰则多以In2Se3(006)衍射峰为择优取向.