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991.
992.
研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电. 用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低. 介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃, N2氛围退火10min. 退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08. 相似文献
993.
提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面顶处理再钝化,成功地抑制了 AIGaN/GaN HEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AIGaN表面,观察到经过预处理后的AIGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AIGaN/GaN HEMTs性能的主要原因. 相似文献
994.
995.
为实现固定单站对运动辐射源的快速定位,该文给出了一种基于角度约束采样的混合粒子滤波算法。该算法从EKF(Extended Kalman Filter)滤波得到建议分布,利用角度测量对状态变量的约束关系从建议分布产生所需粒子,可以减少粒子滤波用于高维情况时所需的粒子数目,改善滤波性能,降低运算成本。结合利用多普勒变化率和角度测量的单站定位方法,与EKF,UKF(Unscented Kalman Filter)以及一般混合粒子滤波算法的仿真比较表明,该算法在滤波收敛速度、跟踪精度以及稳定性方面优于其它算法,估计误差更接近Cramer—Rao下界。 相似文献
996.
997.
998.
基于Radon变换的具有线性调频特性的多相编码信号参数估计 总被引:5,自引:0,他引:5
基于线性调频(LFM)信号产生的多相编码信号(Frank码、P1、P2、P3、P4码)由于具有较好的脉冲压缩特性而在低截获概率(LPI)雷达中得到了广泛应用。利用这类多相编码信号具有与线性调频信号相似的模糊函数(Ambiguity Function)和Wigner-Ville分布的特性,提出了基于Radon-Ambiguity变换和改进的Radon-Wigner变换的多相编码信号参数估计方法。推导了参数估计的克拉美-罗下限(CRLB),并以P4码信号为例进行了仿真,仿真结果表明两种方法在低信噪比下均具有较好的参数估计精度。 相似文献
999.
为利用无源固定单站对运动辐射源快速定位,将粒子滤波和UT(unscented transformation)应用于单站无源定位,给出了一种基于UT的角度约束采样混合粒子滤波无源定位算法,该算法从UKF滤波得到建议分布,从该建议分布采样时引入角度测量对状态变量的约束,可以减少粒子滤波用于高维情况时所需的粒子数目,改善滤波性能.与EKF、UKF(unscented kalman filter)以及基于EKF的混合粒子滤波算法的仿真比较表明,本文算法在滤波收敛速度、跟踪精度以及稳定性方面优于其它算法,估计误差可以接近Cramer-Rao下界. 相似文献
1000.
提出了一种基于阵列流型替换的宽带非相干 DOA 估计新方法.比较了宽带非相干(ISSM)方法与本文方法在分辨两个相邻较近信号源时的性能.仿真表明,本文方法大大降低了信噪比门限,其它性能也优于 ISSM 方法. 相似文献