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901.
902.
采用两步溶胶–凝胶法制备出 ATO(掺锑氧化锡)-SiO_2复合抗静电薄膜。通过 DTA-TG、XRD、SEM 对 薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密。薄膜中 SiO_2为无定形结构,ATO 的衍射峰 与 SnO_2一致。研究了 SnO_2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随 SnO_2含量增加 ?(SnO_2/ SiO_2)从 5 至 12.5,薄膜的表面电阻降低(从 1010ù/□降低到 108ù/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从 89.0%降至 84.2%),结合三方面性能,得出最佳 SnO_2的配比为:?(SnO_2/ SiO_2)=10。 相似文献
903.
随着我国经济的发展与人们生活水平的提高,人们对电力系统的安全性与可靠性有了更多的要求,由于故障频频发生,变电设备的可靠、正常运行受到了一定影响,变电检修工作人员要分析引起故障的原因,并掌握处理措施,进一步满足人们的用电需求。 相似文献
904.
设计了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管的基于CMOS亚阈值特性的基准电压源。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,从而降低功耗,并加入工作于亚阈值区的运算放大器,在保证低功耗的前提下,显著提高了电源电压抑制比。采用1.8 V MOS管与3.3 V MOS管的阈值电压差进行温度补偿,使得输出电压具有超低温度系数。采用共源共栅电流镜以提高电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,在-30 ℃~125 ℃温度范围内,温漂系数为9.3×10-6/℃;电源电压为0.8~3.3 V时,电压调整率为0.16%,电源电压抑制比为-58.2 dB@100 Hz,电路功耗仅为109 nW,芯片面积为0.01 mm2。 相似文献
905.
906.
航天器试验数据具有大数据特征,对于航天器研制中所做的评价和决策具有至关重要的作用。为实现航天器试验数据的高效且有效采集、存储、处理、分析和应用,提高航天器研制水平,分析了航天器试验数据的典型特征;借助大数据技术成果构建了用于航天器试验的大数据系统,描绘了系统部署位置,基于Hadoop、Flume、Kafka、MongoDB、HDFS、Spark Streaming、Presto、Kylin等技术构建了由数据采集层、数据存储层、数据处理层、数据分析层、数据访问层和数据应用层共6层构成的系统架构,阐述了系统各层的主要技术实现途径;探讨了系统在实时监测、健康评估、试验有效性评价、可靠性评估与寿命预测、发现知识、虚拟试验等方面的典型应用与展望。 相似文献
907.
将风力雾化浮选剂和煤浆在设有坎条的滑板上跌落流动两项技术措施组合在一起,提高了浮选剂分散性;该设备在淮北选煤厂应用效果表明,节省浮选剂用量约四分之一,节能降耗效果显著。 相似文献
908.
目前,随着我国经济各方面保持着稳步迅猛发展,对于能量电力的需求量也正持续增加着,在此后一段时间内我国电力建设任务仍然是十分繁重的。因此,如何提高我国电力建设施工工程整体工艺水平以及管理水平,是今后进一步提高我国电力工程施工建设质量的一大基本保障。 相似文献
909.