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讨论了MOSFET的辐照损伤机理,通过低能(10keV)X射线辐照试验,分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及阈值电压的影响。结果表明X射线辐照对nMOSFET的阈值电压变化的影响与^60Co辐照影响的规律基本一致。 相似文献
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大中型防爆电机振动测试与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用丹麦BK公司振动测量及分析仪器,对典型的大中型防爆电机振动故障进行测量分析研究,为准确判断振源特性提供依据。 相似文献
76.
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介绍了一种适用于多种高速图像和信号处理应用的IMSA110数字信号处理器的结构及其工作原理,并结合其在导引头信息处理中的应用,开发研究了采用该DSP进行图像和信息处理的关键技术,最后给出了实验结果。 相似文献
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电控晶体偏振控制器分析与研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍电控晶体偏振控制器(PC)的内部结构,理论分析了电控晶体PC对偏振态的控制作用,设计并进行了实验,并将理论结果与实验所得的轨迹进行对比和分析,得出了电控晶体PC的波片上所加电压与其对光波偏振态的控制的一些关系。 相似文献
80.