离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术对InGaN／AlGaN、InAsP／InP应变多量子阱和InAsP／InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究，光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强，导致发光效率增强的物理机理是：干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙，使出射光逃逸几率增大；另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。     

微细颗粒强化氧气吸收实验

引言目前,石灰石-石膏湿法烟气脱硫工艺是在燃煤电厂应用最广的烟气脱硫技术,脱硫的副产品是脱硫石膏(CaSO4.2H2O)。但在实际运行过程中由于氧化率未达到要求值,从而使得产生的石膏晶体不足,形成了亚硫酸钙和硫酸钙的混合晶体[1];另外,燃煤锅炉产生的烟气虽经除尘,但进入脱硫装置时仍含有大量粉尘颗粒[2-3]。因此,在电厂实际的脱硫过程中,发生的并不是单纯的两相     

盐析—树脂吸附—Fenton处理对羟基苯海因生产废水

采用盐析—树脂吸附—Fenton氧化组合工艺处理对羟基苯海因生产过程中排放的高浓度废水。通过试验确定了最佳盐析参数、树脂吸附最佳工艺参数及Fenton氧化的最佳试验参数。试验结果表明:在最佳工艺条件下对该废水进行处理,挥发酚浓度降至5 mg/L以下,去除率接近100%;CODCr降至100 mg/L以下,去除率可达98%以上,最终达到《污水综合排放标准》(GB 8978—1996)一级标准。     

突出特色促进滨州信息产业又好又快发展

近年来,滨州市委、市政府高度重视信息产业发展,把电子信息产业列入十大产业链重点发展。以此为契机,滨州市信息产业局按照“一点驱动、两翼辐射、全面突破”的产业发展总体思路,大力实施园区带动战略,积极膨胀优势企业,引导传统企业发展信息产业,使全市信息产业呈现出持续快速     

InP/空气隙结构的制作与特性

研究了采用不同溶液制作InP/空气隙的侧向腐蚀工艺,对腐蚀速率、晶向选择性、表面形貌进行了分析;研究了粘附释放工艺;在上述基础上制作完成了InP/空气隙结构,并采用微拉曼光谱来分析其应力分布情况,证实了制作工艺的可靠性.     

基于混合系统的风机和光伏电池信息物理融合建模

信息物理融合系统现已广泛应用于交通、医疗等方面。信息物理融合系统集成了计算进程和物理进程,可以利用混合系统对信息物理融合系统建模。大量的分布式能源接入电网中,传感、通信、控制等构成了电力系统的二次系统,.电力系统从简单的能量传输,进化到能量传输与信息流传递并行的现代电网运行体系。电网的物理进程和信息元素的动态关联是连续和离散行为的交互,即混合系统。本文利用混合模型对风机和光伏电池进行信息物理融合建模。     

氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性

采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H 注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响.发现采用较低H 注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H 注入能量(剂量)的增大,量子阱发光强度随之减小.H 注入过程中,部分隧穿H 会湮灭掉量子阱结构界面缺陷,同时H 也会对量子阱结构带来损伤,两者的竞争影响量子阱发光强度的变化.高温快速退火处理后,离子注入后的量子阱样品发光峰位在低温10K相对于未注入样品发生蓝移,蓝移量随着H 注入能量或剂量的增大而增加.退火过程中缺陷扩散以及缺陷扩散导致的阱层和垒层之间不同元素互混是量子阱发光峰位蓝移的原因.