基于实时电压分析和无功优化配置的探究

调控一体化的发展,迫切要求建立在线判断电压稳定和实现无功自动合理配置的方法。广域测量系统的迅速发展和广泛应用为大电网电压稳定性的在线分析奠定了基础。本文从在线电压稳定的研究方法、动态无功优化配置方面加以总结,并提出了该研究领域亟需解决的关键问题。     

Dielectric properties of doped silicon carbide powder by thermal diffusion

The doped SiC powders were prepared by the thermal diffusion process in nitrogen atmosphere at 2 000℃. Graphite film with holes was used as the protective mask, The dielectric properties of the prepared SiC powders at high frequencies were investigated. The complex permittivity of the undoped and doped SiC powders was measured within the microwave frequency range from 8.2 to 12.4 GHz. The XRD patterns show that before and after heat treatment no new phase appears in the samples of undoped and nitrogen-doped, however, in the aluminum-doped sample the AIN phase appears. At the same time the Raman spectra indicate that after doping the aluminum and nitrogen atoms affect the bond of silicon and carbon. The dielectric real part （ε） and imaginary part （ε＂） of the nitrogen-doped sample are higher than those of the other samples. The reason is that in the nitrogen-doped the N atom substitutes the C position of SiC crystal and induces more carriers and in the nitrogen and aluminum-doped the concentration of carriers and the effect of dielectric relaxation will decrease because of the aluminum and nitrogen contrary dopants.     

不同熔化条件对Na2O·4TeO2玻璃性能的影响

探索了不同熔化条件对 Na2 O· 4Te O2 玻璃性能的影响 ,确定了 Na2 O- Te O2 系统玻璃的合理的熔化条件。通过热分析和红外分析等手段 ,对由不同原料在不同熔化条件下所得到的玻璃进行了分析 ,发现熔化条件不同时 ,由不同原料所得玻璃的性能也有很大差别。当熔化温度较低、熔化时间较短时 ,玻璃中存在未分解完全的来自原料的原子基团。由不同原料所得的玻璃的 DSC曲线和抗析晶能力差别很大。随着熔化温度的升高和熔化时间的延长 ,由不同原料熔化所得玻璃的性能趋于一致。在 80 0℃下熔化 1 h是亚碲酸钠玻璃较合适的熔化条件     

我国情景喜剧存在的问题

情景喜剧是一种属于电视节目的舶来品，经过10多年的发展，还存在许多问题：从播出来看，西方播出总量达40％以上，而中国还不到10％；从喜剧观念上看，对喜剧的理解失之偏颇，错把可笑性当作喜剧性；从投资方看，投资少，影响制作效果；从剧本来看，粗糙媚俗的文本已经成了悬在国产喜剧上方的达摩利刃。     

SiC/SiC复合材料的制备及力学性能研究

采用低压化学气相渗透（LPCVI）工艺制备了具有不同热解碳界面层厚度的SiC/SiC复合材料,对热解碳沉积工艺以及复合材料的力学性能进行了研究.结果表明：沉积温度、系统总压、PN2/PC3H6均会使沉积热解碳的形貌发生改变;随热解碳界面厚度增加,复合材料的韧性提高,弯曲强度先增大后减小.     

有效媒质公式在纳米SiC(N)粉体微波介电特性研究中的应用

用经典的有效媒质公式(包括Maxwell Garnet公式、Bruggeman公式、Polder-van Santen公式和相干准晶近似公式(quasicrystalline approximation with coherent potential,QCA-CP)研究了含纳米SiC(N)粉体的复合材料的微波介电特性，计算结果表明，经典的有效媒质公式对含纳米SiC(N)粉体的复合材料是不适合的，应寻求新的方法来求解纳米复合材料的微波介电常数。研究表明，不同纳米SiC(N)粉体含量的复合材料的介电常数实测值与纳米粉体体积分数(f)之间有非常好的拟合关系，复合材料微波介电常数的实部(ε′)和虚部(ε″)与纳米粉体体积分数之间符合二次多项式(ε′、ε″=Af^2 Bf C)关系，根据二次多项式可以非常方便而准确地计算纳米复合材料的微波介电常数。     

界面对纳米SiC/LAS陶瓷复合材料微波介电性能的影响

利用激光诱导法制各的纳米SiC和LAS玻璃粉米，采用热压法制各纳米SiC／LAS陶瓷复合材料，研究了纳米SiC／LAS陶瓷复合材料微波介电性能与纳米SiC含量、烧结温度以及碳界面层的关系。结果表明，在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷复介电常数的影响较小；但在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小，而对陶瓷复介电常数的影响较大，复合材料复介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异。通过计算和分析认为，复合材料制各过程中纳米尺度的SiC促进了碳界面层形成，使得烧结温度对复合材料复介电常数有很大影响。     

氮化硅多孔陶瓷的制备及微波介电性能研究

通过添加成孔剂,采用反应烧结工艺制备出具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷.采用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及抗弯强度.用XRD及扫描电镜对相组成和显微结构进行了研究,用谐振腔法测试了该氮化硅陶瓷在9360 MHz频率的微波介电特性.结果表明,随着试样中气孔率的增加,试样的介电常数下降;在Si粉中添加α-Si3N4粉后,虽能提高氮化率,改善组织结构,但外加Si3N4和基体生产的Si3N4存在活性差异,两者结合不紧密,使强度降低;加入α-Si3N4粉使晶相组成中Si2ON2的含量降低,能够改善试样的介电性能.     

Mechanical and dielectric properties of Ni/Al2O3 composites

Ni/Al2O3 composites were prepared by hot pressing approach. The relationship between their microstructure, mechanical, dielectric and magnetic properties with Ni particle content was studied. By increasing the amount of metal in the composite, the relative density and the bending strength decrease gradually. The possible reason is that non-wetting between Ni and alumina in the preparation results in weak adhesion of the Ni/A; interface. For the composites, the maximum fracture toughness is 6.4 MPa. m^1/2, which is about 25% higher than that of pure alumina ceramic. The increase in toughness of the Ni/Al2O3 composites is due to the deformation of nickel particles. The complex dielectric constant measurements indicate that the real part and the imaginary part increase greatly with the Ni content in the frequency range of 8.2-12.4 GHz. The real part and the imaginary part of complex permeability of the composites also increase with increasing Ni content.     

溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜研究

研究了用溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的工艺、掺杂及其显微结构.用六水合氯化铝在溶胶中引入Al2O3.掺杂Al的含量为1%,3%,6%和9%.用浸涂法在石英玻璃基片上浸涂ZnAO薄膜,研究了热处理、掺杂对ZAO薄膜相组成和显微结构的影响.X射线衍射结果表明,衍射图谱中无Al2O3的衍射峰.随着掺杂量的变化,ZnO主要衍射峰的位置、晶面间距均发生了有规律的变化,说明Al掺杂进了ZnO晶格中.研究结果表明,溶胶浓度、Al掺杂量、热处理温度都影响薄膜的显微结构.当薄膜厚度较大时,热处理过程中ZnO晶粒呈现明显的择优生长现象.