外加热式离子氨化高速钢的研究

利用外加热式离子氮化方式对高速钢材料进行氮化，并对其渗氮层的物理、化学性能进行分析。结果表明，温度升高，渗氮速度加块；时间延长，表面硬度提高，冲击韧性明显降低。     

镀膜材料结构的弯曲刚度分析

表面镀膜材料结构的力学性能分析是工程实际中提出的一个重要课题。文中用双层层合板模型研究了材料表面镀膜对结构力学性能的影响，通过引入基体刚度Ｄ８、薄膜刚度Ｄｃ和平均Ｐｏｉｓｓｏｎ比Ｖａ，使镀膜结构的弯曲问题归结为经典的非大次双调和方程边值问题。例题计算结果表明材料表面的镀膜使材料中性轴上移；并且结构刚度有了比较大的提高。     

用PCVD法制备(TiAl)N膜的研究

本文介绍了在PCVD设备中用固态AlCl_3制备(TiAl)N膜。结果表明,(TiAl)N膜的含Al量与AlCl_3的蒸发温度成正比,但膜内Cl含量却无明显变化。(TiAl)N膜保持了TiN膜的面心立方晶体结构,但其晶格常数变小,织构变弱,组织略有细化。(TiAl)N膜的显微硬度略高于或等于TiN膜的硬度,但抗高温氧化性有较大幅度提高。     

等离子体化学气相沉积TiN膜的研究

采用直流等离子体化学气相沉积技术,在高速钢、Si(100)和Si(111)基体上沉积TiN膜,并对膜的晶体结构、表面形貌、断口结构、显微硬度、氯含量等进行了测定和分析,部分样品进行了二次离子质谱(SIMS)、Auger谱(AES)和X光光电子谱(ESCA)等分析.试验表明:在不同基材上沉积的TiN膜,只要沉积参数相同,膜的结构和性能都相同.在沉积温度500℃左右,TiN膜的生长方式有一转变,即可能是由层生长转变为岛状生长.直流PCVD法生成的TiN膜,其N:Ti≈1:1,有强的(200)织构,膜与基体间有较宽的共混区,因而结合强度高和耐磨性好,适于用作耐磨镀层.     

MOPCVD制备Ti(CN)硬膜研究

采用金属有机物四异丙基钛(Ti［OC     

等离子体化学气相沉积TiN

试验证明，利用非热平衡态的直流等离子体，可使ＴｉＮ的化学气相沉积温度由普通ＣＶＤ的１０００℃左右降到５００℃左右，膜的硬度达２０００ｋｇ／ｍｍ２（维氏）以上。研究了气压、气体配比及放电参数对膜沉积速度、硬度及结构的影响。     

直流等离子体化学气相沉积TiN在塞规上的应用

在H_2、N_2和TiCl_4蒸气气氛中,用直流等离子体化学气相沉积法,在塞规上沉积TiN涂层的应用进行了研究,结果表明: ①等离子体化学气相沉积TiN工艺适用于塞规的镀膜。膜层厚度均匀性好。镀膜的塞规不需要任何镀后处理。几何形状完全符合精度要求,镀后的塞规可以直接投入使用。②在用45~#钢制造的塞规上,用直流等离子体化学气相沉积法镀1μm的TiN涂层,可以比工具钢经淬火制造成的塞规提高使用寿命5倍以上。     

微波等离子体沉积TiN

本文报告了采用微波等离子体进行化学气相沉积氮化钛(TiN)的工作。文中讨论了微波等离子体的动力学效应和热力学效应并阐述了氢在等离子体化学气相沉积(PCVD)TiN反应中的作用。     

直流等离子体的双探针诊断

用双探针法对Ｎ２、Ｈ２、空气等的直流等离子体进行了诊断，得到了直流等离子体负辉区中电子温度Ｔｅ、电子密度Ｎｅ的径向分布以及Ｔｅ、 Ｎｅ与放电气压、放电电流的关系。     

直流等离子化学气相沉积TiC,TiC/TiN和弥散型Ti(CN)

用直流PCVD(等离子化学气相沉积)法沉积TiC、TiC/TiN双层复合膜和弥散型Ti(CN)涂层。试验表明在反应温度为550～600℃下得到的这些涂层,具有很高的显微硬度和良好的粘接力。沉积的Ti(CN)涂层结构非常细密,是一种由TiC和TiN两种晶体组成的高度弥散混合物。