基于RS编解码Flash控制器的SoC设计

通过在读写Flash存储器的数据分别进行RS编码和解码从而减少了Flash存储器失效对数据的影响.由传统的RS解码器复杂计算使得解码速度较慢不能满足对Flash存储器读写要求,因此在传统流水线结构的RS解码中采用伯利坎普--梅西算法避免求逆过程,减少了硬件开销,提高了解码速率,最后用软硬件对设计进行了严格的验证并在AL...     

铁粉含量对自蔓延高温合成Ni-Zn铁氧体粉体的影响

在理论计算铁粉含量与绝热温度关系的基础上,考察了以自蔓延高温合成方法（SHS）制备Ni-Zn铁氧体粉体过程中,铁粉含量对燃烧温度、燃烧波传播速度以及产物微观结构的影响,确定了以SHS合成Ni-Zn铁氧体粉体所需的最佳铁粉含量值。结果表明：铁粉含量越高,燃烧温度愈高,燃烧波传播速度愈快,产物转化得越完全,但燃烧温度过高会使产物中出现大量液相,产物已不能用于成型和烧结。当铁粉含量在k=0.5时,可以得到较为理想的产物。     

水热合成二氧化钒粉体的研究进展

二氧化钒(VO₂)是一种被广泛应用的无机非金属材料，在临界温度68℃时具有从绝缘体单斜相到金属四方相的可逆相变，相变后其本身的电阻率、红外透过率等物理性质都会发生改变。可逆的相变特性以及相对简单的响应方式使得VO₂成为制备新型智能器件的候选材料。然而，有关二氧化钒合成机理以及水热法制备二氧化钒的综述较少。因此，本文通过总结近几年水热法制备二氧化钒的相关工作，分别对一步法和两步法制备VO₂(M)进行介绍与总结，并对水热法制备VO₂(M)粉体的发展进行了展望。     

微纳米尺度薄膜/基底材料残余应力研究进展

残余应力是功能失效的主要原因，它可能导致薄膜形状发生重大变化，甚至产生分层、屈曲和裂纹。这不仅会破坏器件的结构完整性，而且直接影响到薄膜光学、电学、力学等物理性质，导致严重缩短使用寿命。为了研究薄膜特征参数与残余应力的关系，本文首先概述了微纳米尺度薄膜/基底体系中残余应力的机理模型及测试方法。然后，在单层膜领域，综述了沉积条件、薄膜厚度、工艺参数(溅射功率、工作压力、基底温度、退火状态)等因素对薄膜残余应力的影响；在多层膜领域，介绍了调制周期、缓冲层对薄膜残余应力分布的作用。最后展望了薄膜/基底体系残余应力研究的发展方向，指出应该从机理模型、应力分布规律以及探索功能材料的残余应力等方向开展研究。