抓好“三大建设”为建设经济强省服务

进入90年代以来,在省委、省政府强有力的领导下,河北水利建设有了很大发展。但是我省的水利建设、管理和改革任务十分繁重。今后重点是要抓好水利工程、水利经济、水利队伍“三大建设”。 (一)搞好水利工程建设 全省要以引黄、引江、桃林口水库三大重点工程建设为龙头,以农田水利建设为重点,搞好现有工程的配套加固和“节、打、蓄、引”工程建设。     

西南地区三次抗震救灾行动后勤物资动员实践与思考

结合近年来西南地区3次抗震救灾行动后勤物资动员的主要做法,在分析三者共性和区别的基础上,从物资储备体系、物资应急采购、物资输送方式和动员信息系统4个方面,对后勤物资动员的能力建设问题进行了思考和探讨。     

直接耦合法模拟计算活塞温度场

内燃机活塞处在复杂的受热状态,确定各部分换热边界条件成为活塞温度场研究的难点和重点.直接流热耦合法将活塞及与其相互作用同体和流体部分作为一个整体进行研究,将难以确定的外部边界条件转化为内边界,通过能量守恒的方法在固-液交界面上自动完成热量交换.使用CFD软件STAR-CD利用建立的活塞组、机体和冷却水套组成耦合模型,采用直接流热耦合方法计算了某汽油机活塞温度场,计算结果和实验值吻合得较好.     

空空导弹PHM系统总体设计研究

在分析空空导弹结构组成的基础上,参照视情维修开放体系结构OSA－CBM,提出了空空导弹PHM框架模型,据此展开现役空空导弹应用PHM技术的实例研究：分析了贮存寿命期影响导弹性能的因素,确定采集参数,根据成本、尺寸、传输方式等提出传感器选型要求,建立导弹包装箱状态监控系统;利用电气属性测试中采集的参数,参考取值范围设置原理,建立评分标准,根据权重值计算出导弹健康指标。     

基于0.35μm SiGe BiCMOS的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计

介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器.文章重新定义了压控振荡器工作区域.分析表明谐振回路的电感值和偏置电流对振荡器的相噪优化有重要的影响.本文同时分析了CMOS和BJT压控振荡器设计思路的不同.本设计中,采用键合线来实现谐振回路中的电感来进一步提高相噪性能.该VCO和其他模块集成在一起实现了一个环路带宽为30kHz的频率综合器.测试结果表明,当中心频率为2.5GHz时,在100kHz和1MHz的频偏处相噪分别为-95dBc/Hz和-116dBc/Hz.工作电压为3V时,VCO核心电路的电流消耗为8mA.据我们所知,这是国内第一个采用SiGe BiCMOS工艺的差分压控振荡器.     

带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器

 本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器.Balun 采用集总—分布式结构,使其长度与常用λ/4耦合线Balun相比缩小了11倍,大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸.混频器采用单平衡电阻性结构,在零功耗的情况下实现了良好的线性和口间隔离性能.测试结果显示,在固定中频160MHz,本振输入功率0dBm条件下,在3.5~5GHz RF频带内,最小变频损耗为8.3dB,1dB压缩点功率为8.0dBm,LO至IF之间的隔离度为38dB.     

面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器

介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17～4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为-112dBc/Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为0～2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为-173.2dBc/Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法.     

卫星通信系列讲座之五宽带多媒体卫星通信

随着因特网的迅速发展,宽带多媒体卫星通信将在未来的通信市场中将占有极其重要的位置。本文简要阐述了宽带多媒体卫星系统的特点和关键技术,介绍了若干实用的宽带多媒体卫星系统。最后指出了其发展趋势。     

基于MPEG-4编码的近距离无线视频传输系统

为实现近距离无线视频传输,提出了一种基于MPEG-4编码的近距离无线视频传输方案.由CMOS摄像头OV7620采集到的数据,通过专用MPEG-4编码器,ML86410得到速率低于2 Mbit·s-1的MPEG-4数据流,在FPGA控制器的控制下,通过nRF24L01无线发送;接收端利用同系列芯片nRF24LU1接收无线...     

一种用于五频带的MB-OFDM超宽带的6至9GHz的CMOS频率综合器

本论文设计了一个超宽带频率综合器。该频率综合器通过采用两个锁相环和一个单边带混频器产生了6至9GHz内的五个频带中心频率,频带之间的跳频时间小于3纳秒。文中提出了一个高线性度的二选一多路选择器,一个宽带的单边带混频器和一个正交压控振荡器。此外,版图也做了一些特殊考虑。该频率综合器采用0.18微米CMOS工艺实现,在1.5V至1.8V电源电压下消耗40mA电流,测试结果显示10MHz频偏处的相位噪声为-128dBc/Hz,在7.656GHz频带处的边带抑制为-22dBc。