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21.
吐哈盆地低断块油藏形成条件与分布规律 总被引:1,自引:1,他引:0
低断决油藏属于特殊类型的隐蔽油藏,其形成需要适当的条件。低断块油藏在吐哈盆地近期的油气勘探和储量增长中具有重要的作用,已找到的低断块油藏数量较多,但特点不一,形成条件各异。研究表明,油气的不断运移是低断块油藏形成的根本原因,而构造变动、异常高压含油气区的存在、长期生排烃、储集层发有较差、油质重调等都可以成为促使油气不断运移长期存在的因素。通过分析低断块油藏特殊的形成条件及不同成因低断块油藏的分布规律,认为在油气勘探过程中应重视对低断块油藏形成的可能性研究。胜北次凹周围低断块油藏勘探有较大的潜力。 相似文献
22.
Sputtering of W-Mo alloy under ion bombardment 总被引:2,自引:0,他引:2
Li Chengming 《中国有色金属学会会刊》1999,9(3):10-2m
1 INTRODUCTIONInthesurfacealloyingtechnologies,thesurfacequalitybylaserbeamandelectronbeamalloyingisdifficulttocontrolanddimensionalchangefollows.Thethicknessofthealloyinglayerformedbyionimplantationisonlyabout1μm,whilethatproducedbyionmetalliccemen… 相似文献
23.
含金刚石的复相过渡层及Al2O3衬底上金刚石薄膜的附着力 总被引:1,自引:1,他引:0
采用微波等离子体化学气相沉积的方法,以H2和八甲基环四硅氧烷(D4)为原料,在H2(Ⅱ):H2(Ⅰ,为带动D4的载气)的流量比23:l,P=5332.88Pa,Ts=850℃左右的工艺条件下,制备了含有金刚石及一定量SiO2和SiC的复相薄膜。初步的实验结果表明,金刚石相可在该复相薄膜上继续生长,进而形成高质量的金刚石薄膜。同时,与在Al2O3衬底上直接沉积的金刚石涂层相比,采用上述复相薄膜作为过渡层可明显地提高金刚石涂层对于Al2O3陶瓷衬底的附着力。 相似文献
24.
CVD金刚石膜因特有的物理化学性质,具有发展成为新一代光学材料的前景。但由于CVD金刚石膜自身局限性导致其理论透过率不到71%,在金刚石膜表面镀制增透膜,通过改变增透膜组成成分、显微组织和晶体结构,可有效地改善CVD金刚石膜自身理论透过率的问题。首先,介绍了CVD金刚石表面镀制单层增透膜增透原理,并总结了物理和化学气相沉积技术制备增透膜的优缺点。然后,重点综述了近年来CVD金刚石表面氮化物、金属氧化物和稀土金属氧化物等增透膜材料的研究进展,详细分析了增透膜制备参数、热处理工艺、衬底表面改性和掺杂工艺对增透膜整体组织和性能影响的规律。其中优化增透膜沉积温度、氧分压和热处理等工艺参数,是通过改变增透膜微观组织形貌以及晶体结构来提高其光学透过性能,而改变衬底表面结构能够通过改变增透膜与基体之间的成键方式来提升界面结合能力,而稀土元素掺杂方式是通过改变增透膜化学组成成分来改善增透膜的光学透过性能,并指出掺杂元素成型机理和影响机制。最后,展望了未来CVD金刚石表面增透膜的发展方向。 相似文献
25.
26.
采用直流电弧等离子体喷射装置沉积金刚石膜,利用高能激光将其加工成Z型歧管式全金刚石微通道,对微通道进行氢等离子体处理、酸处理和氟等离子体处理后获得氢终端、氧终端和氟终端。通过搭建泵驱两相流体测试平台开展金刚石微通道换热性能测试。研究发现,在恒定热流处理过程中,随运行时间增加,氢终端歧管式全金刚石微通道疏水性能快速降低;氧终端的亲水性能降低后趋于稳定;氟终端表面最为稳定,其疏水特性经初期轻微降低后保持恒定。同时,发现氧终端和氟终端的歧管式全金刚石微通道对沸腾初期换热以核态沸腾为主导,其核态为泡状流和弹状流。继续加热,大量气泡汇聚形成环形流,此时薄膜蒸发成为主导机制。疏水性的氟终端微通道会加速气泡成核,在流动沸腾状态下传热性能要大于氟终端。气泡过度的形成造成逆流的发生,氧终端微通道可以延缓逆流的发生,表现出更高的沸腾起始点和临界热流密度。而在沸腾状态氟终端微通道的传热系数高于氧终端,氟终端为更加适合的制备疏水性金刚石热沉的表面改性技术。 相似文献
27.
28.
谭莹莫明珍李小敏李成明 《铸造》2017,(9):983-986
某汽车铝合金轮毂在使用一年后发现裂纹,通过断口宏观和微观分析、金相组织分析、化学成分和力学性能检测等。结果表明:轮毂材料因变质不良,组织中残留较多的条块共晶硅和细长针状β相;这种组织缺陷易割裂金属连续性,引起应力集中,降低材料力学性能,特别是塑性显著降低,导致轮毂在安装和使用过程中不能承受内外应力的共同作用而开裂。 相似文献
29.
30.
A new three-layer hot-wall horizontal flow metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor is proposed.When the susceptor is heated,the temperature of the wall over the susceptor also increases... 相似文献