全文获取类型
收费全文 | 141篇 |
免费 | 5篇 |
国内免费 | 7篇 |
专业分类
电工技术 | 5篇 |
综合类 | 6篇 |
化学工业 | 4篇 |
金属工艺 | 63篇 |
机械仪表 | 4篇 |
建筑科学 | 5篇 |
矿业工程 | 2篇 |
轻工业 | 3篇 |
水利工程 | 1篇 |
石油天然气 | 12篇 |
武器工业 | 2篇 |
无线电 | 13篇 |
一般工业技术 | 21篇 |
冶金工业 | 8篇 |
自动化技术 | 4篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 3篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 8篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 4篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 6篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 9篇 |
2009年 | 6篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 4篇 |
2005年 | 3篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 9篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 6篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有153条查询结果,搜索用时 31 毫秒
71.
72.
美国高等教育评估机构探析 总被引:10,自引:0,他引:10
在美国,大学的设立只要得到州政府批准后就可以在校董事会领导下自由地发展,但对于整个国家来说,美国高等教育的发展同政府的立法干预是分不开的。美国高等教育两大发展时期(一为1862年摩雷尔法案颁布为动因,一为1958年国防教育法的施行为起点,使更多的资金... 相似文献
73.
74.
75.
76.
77.
建立了顶空-气相色谱法,对生物柴油副产物粗甘油中的甲醇含量进行测定。将粗甘油样品用水溶解,加入1,4-二氧六环作内标,90℃下顶空平衡45 min,在HP-INNOWax柱上进行分离和测定。实验结果表明,甲醇溶液的质量浓度在0.8~40.0 g/L范围内呈良好的线性关系,相关系数r>0.999,样品中甲醇质量分数的测定低限为0.005%。对实际样品进行测定,相对标准偏差在0.9%~1.6%(n=8),加标回收率在94.0%~106.0%。该方法操作简便,精密度好,结果准确,对仪器系统污染小,适用于粗甘油中甲醇含量的测定。 相似文献
78.
SiNx作为GaN和金刚石异质结构的中间层,不仅是下层GaN材料的保护层,也是上层金刚石的形核生长层,因此SiNx介质薄膜对于GaN表面合成高质量金刚石具有重要的意义。研究分别采用低压化学气相沉积(LPCVD)和磁控溅射(MS)方法在GaN-Si衬底上制备SiNx介质薄膜。利用扫描电镜、傅立叶红光光谱、X射线衍射、激光拉曼等技术对SiNx薄膜的表面形貌、晶体结构和表面官能团等进行分析。结果表明,采用LPCVD镀制的非晶态SiNx介质薄膜经籽晶播种、形核生长金刚石后,金刚石/SiNx/GaN界面完整致密;采用MS制备的SiNx介质薄膜呈晶态特征,对应的界面出现明显的刻蚀坑。沉积方式会影响SiNx薄膜的晶体结构和微观形貌,高致密度的非晶态结构有利于金刚石层快速形核生长,对于构建金刚石基GaN结构更为有利。 相似文献
79.
80.
电弧离子镀薄膜中的颗粒尺寸及其影响的扫描电镜观察 总被引:3,自引:0,他引:3
用扫描电镜对比分析了电弧离子镀增加直线磁场过滤对沉积TiN和TiAIN薄膜中颗粒的密度和尺寸的影响。结果表明,TiN薄膜中颗粒的最大直径,从14μm减小到3μm,颗粒密度从10^9/cm。降低到10^5/cm^2。TiAIN薄膜由于靶材中含有低熔点金属AI,因而发射出更大的颗粒,有的颗粒集团达到20/μm,磁场过滤后颗粒尺寸减小,颗粒密度降低到10^6/cm^2。分析了脉冲叠加直流偏压对TiCrZrN复合薄膜相组成的影响。颗粒可使电弧离子镀TiN/CrN多层膜的结合力降低,并使针孔产生遗传。使用直线型磁场过滤及脉冲叠加直流偏压不仅使颗粒密度和尺寸显著降低和减小,而且多层化对小颗粒产生了包覆作用。 相似文献