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81.
吐哈盆地北部山前带地质结构复杂,地震资料品质差,油气勘探难度大。为寻求油气勘探新突破,利用地质、地震和钻井资料,对北部山前带构造样式进行重新梳理,通过构造物理模拟实验校正构造解释,建立更合理和准确的构造模型,系统分析该地区构造变形机理及变形规律。研究成果表明,北部山前带发育侏罗系煤层和二叠系泥岩双滑脱层,形成了以叠瓦状构造为主的逆冲推覆构造,垂向上为“入”字型冲断层、突起构造、叠瓦扇构造;滑脱层下面是堆垛状双重构造或叠瓦状双重构造;平面上受2组断层控制,呈南北成排、东西成段分布,由北向南依次为冲断带、逆掩带、逆掩带外缘构造带。研究区中东段推覆体下盘断背斜、断块构造群发育,形态完整,利于油气保存,是侏罗系油气勘探的有利区;逆掩带外缘构造带形态较为完整,是下侏罗统及之下层系油气勘探的潜力区。 相似文献
82.
红外光学材料硫化锌衬底上沉积金刚石膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用微波等离子体化学气相沉积法,在预镀陶瓷过渡层的硫化锌衬底上沉积金刚石膜。在以前的实验中,我们发现在陶瓷过渡层上沉积金刚石膜极其困难,但采用金刚石诱导形核方法后,我们已经在过渡层/硫化锌试样表面获得了很小面积(约1mm宽的环状区域)的金刚石形核。本文对前期的诱导形核工作进行了一定改进,目前已经使形核生长范围大大增加,沉积面积超过原来10倍。此外,本文对金刚石/过渡层/硫化锌试样的红外透过特性以及金刚石膜质量等进行了评价。 相似文献
83.
金刚石膜材料用作GaN电子器件散热器具有巨大潜力,低应力、大尺寸、高质量、原子级光滑表面的金刚石膜层是GaN器件的整体传热能力提升的关键。本研究提出了一种用于3英寸(1英寸=2.54 cm)硅衬底多晶金刚石薄膜的生长和晶圆级抛光技术,用以实现大尺寸金刚石膜材料在散热器方向上的应用。首先对微波谐振腔内的等离子体进行多物理场自洽建模,通过仿真模拟技术分析2.45GHz多模椭球谐振腔微波等离子体化学气相沉积(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)装置沉积大尺寸金刚石薄膜的可行性,并优化生长工艺参数。然后对金刚石薄膜进行研磨抛光处理,以满足GaN器件的键合需求。模拟结果表明,输入相同的微波功率,腔室压强增大导致等离子核心电子和原子H数密度增加,但径向分布均匀性变差。在优化的工艺条件下沉积了金刚薄膜。实验结果表明,金刚石薄膜厚度不均匀性为17%。较高的甲烷浓度导致金刚石晶粒呈现以(111)晶面为主的金字塔形貌特征,并伴有孪晶的生成。Raman光谱中金刚石一阶特征峰半峰全宽(Full width at half maximum,FWHM)... 相似文献
84.
85.
86.
为研究沉积的金刚石膜介电性能的影响规律。用光谱学方法研究了大面积自支撑金刚石厚膜的介电性能以及加入不同含量的氮气对化学气相沉积(CVD)金刚石膜的介电性能的影响。研究结果表明。随着甲烷浓度(100~200sccm)的增加,CVD金刚石膜的生长速率和非金刚石碳的相对含量增加,从而导致膜的介质损耗(tanδ)增加,造成CVD金刚石膜质量下降。随着沉积温度(1010~1030K)的提高,CVD金刚石膜的介电损耗减小。氮气加入量的增加,CVD金刚石膜的介质损耗增加。 相似文献
87.
我厂的XS—ZY—125和SZA—YY—500塑料注射成型机,在生产过程中,虽然安全门已经打开,但因电器故障、液压故障或操作不当,常会在操作者装卸工件时,发生突然合模,措不及防而压伤操作者,造成终身残废。我厂八三年三月塑料管车间发生一起事故,即是明显的一例。 相似文献
88.
离子钨钼共渗的扩散机制 总被引:2,自引:2,他引:0
对双层辉光离子钨钼共渗在离子条件下形成的渗层和无离子形成的渗层进行了对比,计算了溶质原子钨和钙与空位的结合能。据溶质-空位复合体扩散的能量条件,提出溶质-空位复合体扩散机制在双层辉光离子钨钼共渗中起重要作用。由此解释了双了离子钨钼共渗的W和MO原子快速现象和渗后冷却中大量金属合物在晶界的析出。 相似文献
89.
吐哈盆地天然气成藏地质条件与富集因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
吐哈盆地是我国西北主要的侏罗系含煤盆地,近年来不仅在天然气勘探上迟迟未能取得重大突破,而且发现的天然气田数量及储量规模均远小于油田的数量及储量规模,明显有悖于“含煤盆地贫油富气”的地质规律。为此通过对吐哈盆地天然气成藏地质特征及油气分布规律的解剖分析和探讨,认为煤系源岩成熟度相对较低,天然气转化率较小且明显滞后于液态烃的生成,是造成吐哈盆地“油气共生、油多气少”的主要原因;煤系源岩的热演化程度及油气藏后期的保存条件是盆地大、中型气田形成、富集的关键因素;台北凹陷中部的胜北、丘东和小草湖等地区,煤系源岩发育、热演化程度较高、且后期构造活动相对较弱,应是盆地下一步天然气勘探的最有利地区。 相似文献
90.