1.3μm应变多量子阱激光二极管

已研制成用于Ｇｂ／ｓ传输而勿需温控的无偏置１．３μｍ激光二极管。由于采用了应变多量子阱（ＭＱＷ）和短腔结构，在３０ｍＡ的激励电流下，在－２０℃和＋８５℃之间的功率变化只有２ｄＢ。在－４０至＋８５℃的温度范围内和１Ｇｂｉｔ／ｓ零偏置调制下可看见眼图的眼开很大。     

不易受反射影响的掺铒光纤放大器

从实验上和理论上考查了在掺印光纤内隔离器的插入对光纤放大器对外部反射的灵敏度的影响，考查了处于不同饱和范围的掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）的情况，而且把具有隔离器的光纤放大器结构与不上有隔离器的传统结构进行了比较。发现最显著的改善是在小信号范围内，对反射的要求可放宽１３ｄＢ。这一优点，连同增益和噪声指数的提高，使具有这种隔离器的光纤放大器结构对于用作前置放大器来说格外引人注目。     

一种便于观测的信号抽样及复原方法

利用倍频器，将重复频率与连续信号ｔ（ｔ）的频率相同的方波进行若干次倍频后，对连续信号进行抽样，从而获得离散的抽样信号ｆｓ（ｔ），再利用有源低通滤波器使其复原成连续信号ｆ（ｔ）。避免了一般抽样器不便于观测的缺点。     

服务器个数随机可变的轮询系统分析

前人关于轮询系统的大量研究均以服务器无故障为前提。本文提出了一种容许服务器个数随机可变的多服务器轮询模型。同时考虑排队延迟与服务器故障／修复的影响，获得了顾客等待时间的平均值公式。     

平面圆形螺旋电感器和变压器的计算机辅助设计

本文在准静态条件下,分析了应用于微波单片集成电路中的圆形螺旋电感器和变压器,举出了它们的等效电路.求得格林函数后利用矩量法求出了圆形微带线上的电流和电荷分布.导出了计算平面圆形螺旋电感器和变压器等电路中各元件数值的公式以及“S”参数表示式.编制了相应的程序.利用这些程序可以分析计算具有任意匝数(包括非整数)和各种几何参数的平面圆形螺旋电感器和变压器.平面圆形螺旋电感器的计算值与实验值比较,最大误差约为5%.     

基于转换脉冲神经网络的雷达辐射源识别方法

为提高雷达辐射源识别智能水平,提出一种新的基于转换脉冲神经网络进行雷达辐射源调制模式识别的 方法。将仿真产生的雷达信号转换为2 维时频图,将传统的卷积神经网络(convolutional neural networks, CNN)转化 为脉冲神经网络(spiking neuron network, SNN),使用SNN 进行雷达辐射源识别。仿真实验结果表明：该方法具有 优良的检测精度,当信噪比高于-9 dB 时,识别概率可达96%以上。     

用MOVPE生长的InAlAs/InGaAs/InP异质结MODFET

<正>《Electronics Letters》1991年8月报道了用MOVPE方法生长的高性能InAlAs/InGaAs/InP异质结MODFET。由于这种结构的材料具有较高的室温电子迁移率和高的有效电子速度,所以,它在超高频响应和增益方面,优于以GaAs为衬底的异质结MODFET。     

用准分子激光器辐射法在硅中掺杂精确控制薄层电阻

<正>《IEEE EDL》1991年11期发表了制造VLSI器件中亚微米尺寸的高表面浓度浅结新形成工艺。它用准分子激光器辐射实现硅中的硼掺杂。该工艺的特点是能精确控制高表面浓度的薄层电阻。 工艺制造采用两步方法。第一步是淀积掺杂源,第二步是掺杂原子的掺入。硅片是电阻率     

用MOMBE生长掺碳或掺锡的npn和pnp AlGaAs/GaAs HBT

<正>npn GaAs/AlGaAs HBT是一种具有优良特性的器件,在数字、模拟及微波等方面均具有广阔的应用前景。pnp GaAs/AlGaAs HBT在互补技术应用方面也是一种很重要的器件。 《Electronics Letters》1991年12月发表了介绍制造npn和pnp GaAs/AlGaAs HBT的文章。近期实验表明,在HBT制造中用掺碳和锡代替掺铍和硅能减少寄生电阻与提高可靠性,且具有很好的直流和射频特性。     

用AlGaAs/GaAs HBT前置放大IC的10 Gbit/s光接收模块

<正>高速高灵敏接收模块是10Gb/s光传输系统的关键部件。《Electronics Letters》1992年第3期报道了日本NEC公司光电研究实验室用AlGaAs/GaAs HBT前置放大IC的10Gb/s光接收模块。模块中的AlGaAs/GaAs HBT用自对准方法制造。采用了厚发射极接触金属和InGaAs帽层两项措施,使发射极接触电阻比较低且均匀性好,因此,导致基区开通电压、电流增益和跨导有较好的均匀性。发射极面积为2×10μm~2,器件的截止频率 f_T和最高振荡频率f_(max)分别为41GHz和44GHz。