试验机行业发展溉述

对建国以来试验机行业的发展做了简要回顾,并对发展趋势做了展望.     

对继电保护系统中二次回路的试验问题分析

从整个继电保护系统来说，继电保护二次回路是继电保护系统的重要组成部分，二次回路虽只是一个较小的方面，但它的故障不仅直接影响继电保护设备动作的正确性，而且关系到系统的安全稳定运行。因此，继电保护二次回路的试验工作作为继电保护设备投用过程中的一个重要环节，必须得到足够重视。     

一种基于单片机的总线式复合测试网

本文提出了一种以Intel8031单片机为网络控制器的“总线式复合测试网”。网络采用CSMA／CD通道访问协议，通过软件实现网络的全部通信过程，各数据设备（主控计算机、局部测试系统、测试仪器及辅助外设）相互独立，通过控制器的数据接口单元入网。实验表明，网径为1Km，通信速率可达110kb／s。该网络系统结构简单，成本低廉，在计算机自动测量和控制领域里有推广和实际应用意义。     

光纤-氮喇曼介质的制备

本文研究了一种新型喇曼增益介质:光纤一氮系统的制备,在理论上计算了扩氮条件对其浓度的影响,并制备出这种新增益介质。     

关于称点成星像的函数类

命Ｓ＾＃２表示关于对称点成星像的函数类。本文定义了它的子类Ｓ＾＃ｓ（Ａ，Ｂ），当ｆЭＳ＾＃ｓ（Ａ，Ｂ）时，得到了Ｒｅ｛ｆ（ｚ）－ｆ（－ｚ）／ｚ｝－２Ｂ／（Ａ－Ｂ）的准确下界估计。     

Cr在多弧离子镀(Ti, Cr)N复合膜中的作用

利用AIP-01多弧离子镀膜机,通过改变铬靶电流,在高速钢基体上沉积出不同Cr含量的(Ti,Cr)N复合膜涂层,用扫描电子显微镜、微纳米力学测试仪和X射线对薄膜的表面颗粒、硬度及内应力进行了分析.结果表明薄膜中添加Cr能减小表面颗粒尺寸,提高硬度,当Cr的含量达到31%(wt%)时,薄膜硬度达到最高值,此时薄膜的内应力也最大.     

Cr在多弧离子镀（Ti，Cr）N复合膜中的作用

利用AlP—01多弧离子镀膜机，通过改变铬靶电流，在高速钢基体上沉积出不同Cr含量的（Ti，Cr）N复合膜涂层，用扫描电子显微镜、微纳米力学测试仪和X射线对薄膜的表面颗粒、硬度及内应力进行了分析。结果表明：薄膜中添加Cr能减小表面颗粒尺寸，提高硬度，当Cr的含量达到31％（wt）时，薄膜硬度达到最高值，此时薄膜的内应力也最大。     

单分散二氧化硅超细颗粒的制备

通过控制反应速度,以氨催化水解醇介质中的正硅酸乙酯(TEOS)制备得到了400±20nm的单分散二氧化硅超细颗粒。反应首先在低浓度TEOS下形成并完善晶核,再在高浓度下促使晶核强制生长,最后经陈化得到粒径分布集中、单分散二氧化硅超细颗粒。以制备的SiO2作为添加剂制作Y5V特性MLCC,其性能优于进口SiO2。     

年产70万t不锈钢轧制退火酸洗机组设计特点

针对传统冷轧不锈钢生产大多由相对独立的生产单元组成、生产成本较高的问题,介绍了某年产70万t联合式冷轧不锈钢轧制退火酸洗机组。主要介绍了该机组工艺流程、主要工艺技术参数,活套主要参数,以及轧机、退火和酸洗机组、平整机、拉矫机的技术特点。同时,还介绍了机组采用的先进酸雾净化技术、中性盐电解液回收技术和余热利用技术等节能减排措施。该机组所有机械设备均为国内自主设计、供货,为提升我国不锈钢冷轧核心竞争力将起到至关重要的作用。     

Cr对多弧离子镀TiN及其复合膜(Ti,Cr)N性能的影响

通过改变Cr靶电流强度,在国产AIP 01型多弧离子镀膜机上制备不同Cr含量的(Ti,Cr)N复合薄膜。研究Cr的添加对薄膜硬度、薄膜相结构及晶格常数等性能的影响,探讨薄膜的硬化机理。结果表明:Cr的加入可显著提高复合薄膜的硬度,显微硬度可高达HV2665;复合薄膜是以TiN为基的(Ti,Cr)N薄膜,薄膜中没有独立的CrN和Cr2N相,同时由于Cr的加入,薄膜的择优取向从(111)晶面逐渐过渡到(200)晶面,随Cr靶电流的增大,所得(Ti,Cr)N复合膜中出现单质Cr。