水柱成型法制备重整载体

以拟薄水铝石（PB）和海藻酸钠（ALG）为原料,采用水柱成型法制备了纯度较高、孔结构适宜的重整载体γ-氧化铝。对拟薄水铝石进行了筛选;考察了成型时间对钠离子脱除的影响;研究了不同种类拟薄水铝石复配比例对载体物性的影响;对载体负载催化剂进行了评价。实验结果表明：当成型时间为30 min时,氧化铝中钠离子质量分数可以降低至1.9×10-5,海藻酸钠未引入钠;选用合适的拟薄水铝石复配比例,可以制备孔容为0.568 cm3/g、比表面积为217 m2/g、强度为47 N、表观密度为0.564 g/mL的γ-氧化铝。以γ-氧化铝为载体制备重整催化剂用于评价,其液体收率、芳烃收率与辛烷值均优于国外同类产品,应用前景良好。     

机械合金化法制备57.6Ag-22.4Cu-10.5In-9.5Sn合金粉末及其性能

为了得到熔化温度介于400～600℃的中温焊粉,用机械合金化法制备57.6Ag-22.4Cu-10.5In-9.5Sn合金粉末,借助X射线衍射仪、差示扫描量热仪、扫描电镜和能谱仪等研究了球磨时间对合金化过程中粉末的物相、熔化特性及显微形貌的影响.结果表明:利用机械合金化法球磨30 h可以成功制备出57.6Ag-22.4Cu-10.5In-9.5Sn合金粉末;随着球磨时间的增加,合金粉末的粒径不断减小,颗粒形貌从片层状逐渐转变为近球形,球磨60 h,合金粉末具有良好的球度,粒径5～35μm,最低液相点温度为494.3℃.     

热压烧结AIN-TiB2复合材料导热性能的研究

采用热压烧结工艺制备了AIN-TiB,复合材料.通过XRD、SEM和激光导热仪研究了TiB2含量和烧结温度对材料导热性能的影响.结果表明:随着TiB2含量的增加,复合材料的热导率逐渐下降,当TiB2含量增至50%时,热导率由102.9W/(m·K)下降到36.6 W/(m·K).另外,在TiB2含量10%时,随着烧结温度的升高,热导率呈逐渐上升的趋势.并对A1N-TiB2的相组成和显微结构进行了观察分析.     

丙烯选择性氧化催化剂性能

通过分步沉淀法制备Mo-Bi-Co-Ni-Fe-K-O复合氧化物催化剂,考察了反应温度、空速和氧烯比等条件对丙烯氧化制备丙烯醛反应中催化性能的影响.结果表明,在反应温度(325～330)℃、空速(1 300～1 700)h-1和n(O2):n(C3H6)=1.5～1.7条件下,丙烯转化率98%,目的产物收率94%.经5...     

金属Mo对AlN基复相材料性能的影响

以氮化铝、金属Mo 为原料,Y₂O₃为烧结助剂,氮气氛下、1800～1900℃热压烧结制备Mo/AlN 复相材料。利用 XRD、SEM对材料的相组成、显微结构进行表征,四探针法测试复相材料的电阻率,微带线法测试2～20 GHz频率范围内材料的微波衰减特性,探讨了渗流现象与衰减特性之间的内在联系。结果表明;当 Mo 添加量为4. 56 vol %～15. 03 vol %,材料呈现宽频衰减特性,且随着 Mo 含量和烧结温度的增加衰减量增大;当Mo 添加量为16. 18 vol %～24. 88 vol %,材料仅在 6、10、14、18 GHz? 4个频率点出现了明显的谐振峰。根据渗流模型对电阻率数据进行拟合,得到导电相渗流阈值V_c和相应电阻率分别为14. 87 vol %和11. 59 Ω·m。当Mo 体积分数V >V_c时 , 复相材料的衰减特性由宽频向选频转变。      

氨基膦酸型螯合树脂吸附Ce(Ⅳ)的性能及机理研究

测定了氨基膦酸型螯合树脂 (D4 12 )对 Ce( )的吸附容量 ,讨论了溶液 p H、粒径、时间、温度等因素对其吸附性能的影响。测得了不同粒径的树脂的吸附速率常数 ,判断其吸附控制类型为孔隙扩散限制。并采用红外及化学分析方法 ,推测出 D4 12螯合树脂对 Ce( )的吸附机理。     

铝酸锶系长余辉发光粉的制备及其光学性能

用化学共沉淀法制备铝酸锶系荧光粉,采用两种沉淀剂草酸和氨水同时加入的方法,成功地获得了组成符合要求、混合均匀的SrC2O4、Al(OH)3和Eu(OH）3的共沉淀。用这种共沉淀物可以在较低的温度下（1100℃）合成单相的SrAl2O4:Eu^2 荧光粉。测定了这种荧光粉的激发光谱的发射光谱及余辉时间。     

AlN-SiC微波衰减陶瓷在X波段的选频衰减性能

以氮化铝、碳化硅为原料,氧化钇为烧结助剂,在1900℃、氮气气氛中,采用热压烧结工艺制备了AlN-SiC复相微波衰减材料。借助网络分析仪,研究了该材料在8~12GHz的微波衰减性能。结果表明,当SiC质量分数从0增加到9%时,该材料的谐振损耗峰所对应的频率从10.86GHz降低到10.11GHz,所对应的峰值从3.2dB降低到0.7dB,而该材料的有效衰减带增大;在900~1000℃、氢气(纯度≥99.99%)气氛中保温30~50min后,该材料的谐振频率维持在10.65~10.62GHz,谐振峰峰值略微减小;这表明在氢气气氛中的热处理对该材料的微波衰减性能影响较小。     

利用共振隧穿器件制作太赫兹波源

太赫兹波是振荡频率在100GHz～10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制等特点;此外,还适宜用Si透镜进行功率合成,增大其总发射功率。给出几种重要太赫兹共振隧穿器件的结构、制造工艺和器件性能,作为太赫兹技术领域的研究人员选择太赫兹波源器件的参考。     

电子束辐射对LED发光性能的影响

研究了低能电子束辐照对发光二极管(Light emitting diode,LED)发光性能的影响。利用实验室加速器提供的电子束模拟空间电子辐射,分别对发不同颜色的光的LED进行不同剂量的辐照,并对比辐照前后的LED的电学性质及光学性质的变化。在电子束辐照下,LED的发光强度提高,同时在统计了大量LED后,发现这些LED的发光强度的离散性变好。对经电子束辐照后的LED进行电流加速老化实验,发现电子束辐照后的LED的发光强度下降趋势相比未经辐照的LED更为明显。同时利用电子束辐照机理对实验结果进行分析和讨论。