钙铝硅涂层增强建筑陶瓷的制备及性能研究

以硅灰石、石英、Al₂O₃为原料制备具有较低膨胀系数的钙铝硅质涂层。通过调整涂层的组成来对基体产生适当的压应力,从而提高陶瓷的抗折强度。研究了涂层热膨胀系数、厚度及保温时间对抗折强度的影响,分析了涂层材料的物相组成。结果表明：当涂层中Al₂O₃含量为8.1 wt%、涂层厚度约为101μm,球磨时间3 h,烧成温度为1170℃,保温为30 min时,可获得抗折强度最优的钙铝硅质涂层复合陶瓷。此时基体和涂层的膨胀系数分别为8.73×10^-6℃^-1和6.06×10^-6℃^-1,制得的涂层复合陶瓷抗折强度(103±3 MPa)比无涂层样品(66±2 MPa)提高了56%。     

透锂长石质低膨胀陶瓷的研制

以天然矿物透锂长石为主要原料,添加适量高岭土、石英、氧化锌和碳酸钡等原料,研制了透锂长石质低膨胀陶瓷坯和釉配方.通过研究坯体的吸水率、体积密度等性能与烧成温度之间的关系,确定了基本烧成制度.透锂长石质低膨胀陶瓷可在1310 ℃下保温30 min烧结.坯料配方中透锂长石的加入量为60%和适量高岭土和石英,坯体热膨胀系数为0.95×10-6/℃,抗折强度达82 MPa;釉料配方中透锂长石70%,添加适量石英、高岭土、滑石、氧化锌和碳酸钡,能制备出与坯体具有良好适应性,膨胀系数为0.88×10-6/℃,呈丝绢光泽的低膨胀釉,其白度达到67.8,显微硬度为525 kg/mm2.     

熔盐法合成晶体的研究现状与进展

介绍了一种新型的人工晶体的合成方法-熔盐法,详细综述了该方法在降低合成温度,合成各向异性晶体以及提高材料性能方面的应用,并指出其研究方向,该方法具有广阔的应用前景.     

基于十字交叉法的陶瓷胶粘剂剪切蠕变性能研究

本研究设计了十字交叉法陶瓷胶粘剂剪切蠕变试验装置,选取刚性环氧树脂及柔性硅酮结构胶进行剪切蠕变试验,研究了环境温度、剪切应力、粘结面积等因素对胶粘剂剪切蠕变的影响,通过模型拟合对胶粘剂的剪切蠕变行为进行了分析和预测,探究了两种胶粘剂的蠕变破坏模式.结果表明:采用十字交叉法能够准确便捷地测试陶瓷胶粘剂的蠕变性能.增大...     

大规格抛光砖抛后变形问题的初步探讨

针对目前全国较多抛光砖生产企业中存在的大规格抛光砖抛后变形的问题,本文对抛光砖的坯料及瓷坯分别做了化学成分分析和吸水率测试,并利用扫描电对瓷坏进行了显微分析。结果表明,一方面坯料中Ｎａ２Ｏ和ＳｉＯ２含量偏高,ＣａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３含量偏低,导致瓷坯中存在较多的钠长石玻璃相;另一方面,大规格抛光砖较厚,抛光砖上下层存在明显的吸水率梯度,瓷坯在抛光及放置的过程中吸水后产生不可逆的吸湿膨胀,不同部分     

不同组成LBC熔块对CSLST微波介质陶瓷低温烧结的影响

采用添加质量分数为12.5％的Li2CO3-B2O3-CuO(LBC)熔块对(Ca0.9375 Sr0.0625)0.3(Li0.5 Sm0.5)0.7 TiO3(CSLST)微波介质陶瓷进行低温烧结.系统的研究了LBC熔块的组成(质量比M(B2O3-CuO)∶M(Li2CO3) (MBc∶MLi) =2.5-20∶1)对CSLST陶瓷的晶体结构、烧结特性、润湿行为及微波介电性能的影响.结果表明:添加不同组成的LBC熔块后材料中均产生了杂相.熔块能有效的降低CSLST陶瓷的烧结温度至900℃.当MBc∶ MLi =10∶1熔块对陶瓷基体的润湿最为理想.添加12.5％组成为MBc∶ MLi=10∶1的LBC熔块CSLST陶瓷在900℃下保温5h可以完全烧结,并获得最佳的微波介电性能:εr,=77.7,Q×f=1845 GHz,Τf=21.35×10-6/℃.     

(1-x)Na0.5 Bi0.5 TiO3-xNaNbO3系无铅压电陶瓷的机电性能

采用传统陶瓷的制备方法,制备了(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xNaNbO3(r=0～0．08)压电陶瓷。X射线衍射分析表明：所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABOx)型固溶体。不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有典型的弛豫铁电体特征,且随着x的增加,其弛豫性特征愈明显。室温下陶瓷材料的饱和电滞回线表明：所研究组成均为铁电体．材料的剩余极化强度P1在x=0．02时具有最大值。检测了不同组成陶瓷的雎电性能,发现材料的压电常数d33和平面机电耦合系数Kp随着x值的增加先增加后降低,在x=0．02时．陶瓷的d33=88pC／N,Kp=0．1792,为所研究组成中的最大值．材料的介电常数εI3/ε0和介电损耗tanδ则随x值的增加而增加。     

ZnO和CuO烧结助剂对KNN压电陶瓷性能的影响

以微波水热法制备的KNN粉体为原料,添加1mol%ZnO、1mol%CuO烧结助剂,采用传统电子陶瓷制备方法,研究了烧结助剂对KNN陶瓷的陶瓷体积密度、显微结构和电性能的影响,结果表明:添加烧结助剂ZnO和CuO可以降低KNN陶瓷的烧结温度,提高KNN陶瓷的体积密度;与此同时,ZnO和CuO添加后降低了KNN无铅压电陶瓷的压电常数d33、介电常数ε33T/ε0,但机械品质因数Qm得到很大的提高,介电损耗tanδ明显降低。其中CuO烧结助剂可以使KNN陶瓷的d33由142 pC/N降低至118 pC/N,Qm值由82提高至427,tanδ由2.46%降低至0.64%。     

NBT基无铅压电陶瓷的研究进展

由于环境保护的要求，无铅压电材料越来越受到关注，NBT基压电陶瓷是目前研究较多的一种无铅压电材料，采取各种掺杂措施可以提高其压电性能，获得具有实用价值的无铅压电陶瓷材料。     

氧化铝粉体性能对流延法制备氧化铝陶瓷基片的影响研究

采用流延法制备了96氧化铝陶瓷基片。研究了氧化铝粉体的粒度、粒度分布、微观形貌等粉体性能对氧化铝陶瓷基片的烧结性能、微观结构的影响。研究结果表明:粒径分布均匀且无明显团聚的氧化铝粉体有利于获得平整度高,表面光滑的高质量流延膜片,并具有较好的性能。