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81.
李桂荣  杨继明 《水泥》1996,(12):8-9
调整入磨物料粒度提高4R雷蒙磨粉磨效率李桂荣,杨继明,曹怡江苏省苏州市光华水泥厂(215001)1雷蒙磨工作原理雷蒙磨的主要部件是垂直磨辊,它随垂直轴公转同时又自转,上端悬挂于梅花架上,可以向外摆动,下部为辊子,受离心力作用向外紧压于磨环而滚转,与磨...  相似文献   
82.
83.
瑞士Staubli公司是在生产多臂开口机构和提花开口机构方面起主导作用的制造商。在OTEMAS’97展览会上,Staubli演示了五十多种凸轮开口机构。多臂开口机构和提花开口机构证实了它在织造准备工序中的统治地位,而准备工序则是完美的织造过程中不可少的一道工序。  相似文献   
84.
为研究低频电磁场下铝基原位复合材料的合成机制,以A356-Zr(CO3)2反应组元制备出Al-Z-O系复合材料,在低频旋转电磁场条件下原位合成了微米级颗粒增强铝基复合材料.研究表明:当感应线圈内输入电流150A,频率4Hz时,对应磁场强度为0.25T,X射线衍射结果显示基体中增强相为Al3Zr和Al2O3;SEM观察该条件下合成的复合材料凝固组织发现,生成的增强颗粒细小,粒径1~2μm,而且在基体中均匀弥散分布.对原位反应的热力学和动力学过程分析表明:反应的关键环节是高温铝液和ZrO2固液相间反应,电磁场力作用加大了反应体系的混合对流运动,提高了传热传质和物质扩散速度,并促进了颗粒在基体中的弥散分布.  相似文献   
85.
通过热力学分析计算,给出了镍钼矿直接热还原的ΔGΘ-T图,用于直观分析不同温度下镍钼矿中矿物的还原过程,并在此基础上进行低品位镍钼矿加钙焙烧及硅铁直接热还原实验。研究表明:镍钼矿原有工艺的焙烧温度为580~620℃,反应速率低,焙烧时间长,升温会增加钼的挥发,加钙氧化焙烧可以将焙烧温度提高到700℃,提高了反应速率,并且可以将钼固定在矿物中,生成稳定的钼酸钙,减少氧化钼的挥发,起到良好的固钼作用。对镍钼矿氧化焙烧、硅铁直接还原过程进行分析,绘制镍钼矿中硅铁还原在不同温度下各反应的热力学状态图。分析研究表明,低温下的固-固反应中,硅铁均可还原氧化钼,但铁对氧化钼的还原能力较弱,Fe不能还原Ca Mo O4;液-固反应中,硅可还原氧化钼、钼酸钙,但铁没有还原能力;在铁浴反应阶段及钢渣界面的反应,起还原作用的主要是硅。实验室中加钙焙烧-硅铁直接热还原工艺制备镍钼铁合金,镍、钼的收得率均在85%以上,焙烧过程中硫被Ca O固定在熔渣中,有利于环保。  相似文献   
86.
研究了脉冲磁场冲击处理时固态金属基复合材料的组织演变规律,观察微观组织演变并进行了机制分析。通过熔体直接反应法制备了原位纳米Al2O3颗粒增强7055铝基原位复合材料,颗粒平均粒径42.3 nm,颗粒与基体无明显取向关系,存在较高错配度和内应力,处于结构失稳状态。在磁感应强度1 T、2 T和3 T条件下对片状复合材料进行脉冲冲击处理,处理后的试样中位错表现出"高密度、多形貌"特征。计算表明,脉冲磁场的磁压强小于材料的室温屈服强度,塑性变形的主要诱因是磁致塑性效应。此时位错具有顺磁性障碍的特征,磁场降低位错形核能、促进位错运动、提高位错密度并促进内应力释放,位错密度随磁感应强度增加而增加。磁感应强度为3 T时,在得到最大位错密度的同时完全释放内应力。位错形貌呈现出多样化特征,有线型、缠绕型、环型和螺线型等,其中环型位错是位错运动和内应力释放的主要模式,并有助于提高材料强度。在铸态试样中原子排布规则,脉冲磁场冲击处理后出现了错排原子面、原子排列转向、层错和变形孪晶组织,证实了塑性变形的存在。高密度位错运动分离形成了层错,层错动态叠加形成了变形孪晶。  相似文献   
87.
区域磁性界面对于盆地构造单元划分、资源量计算、区域地温场研究、远景区预测等具有重要意义.利用区域磁力资料可以得到盆地的基底起伏和区域磁性层的顶底界面深度,应用功率谱法计算地质体顶底深度的可靠程度与反演磁力数据的滑动窗口、拟合频段范围有很大关系.研究表明,当计算埋深为h的地质体时,磁力数据窗口的大小应为4~6倍的埋深,拟...  相似文献   
88.
通过强力带式输送机在井下的成功设计与应用,解决了强力皮带机机头因峒室等原因只能安装在井上的难题,解决了机头水平安装与巷道交角的难题,解决了吊挂输送机机身稳定性的难题,使强力带式输送机应用更加广泛。  相似文献   
89.
羊肉发酵香肠的研制   总被引:7,自引:1,他引:7  
为了获得质量、口感较好的羊肉发酵香肠,通过发酵剂适应性试验,选择用植物乳杆菌、啤酒片球菌和木糖葡萄球菌按一定比例混合生产羊肉发酵香肠,完全符合发酵肉制品对发酵剂的要求,并可使3种菌的优势得到互补,使发酵速度加快,提高营养价值。试验表明采用这3种菌生产发酵香肠是切实可行的。  相似文献   
90.
NTD硅探测器     
采用国产NTD硅单晶,研制了性能较好的NTD硅探测器。用它精确测定14MeV中子能量和作为γ射线计数器均取得了较满意的结果。其性能指标为:反向偏压1kV,漏电流≤5μA,26℃;对~(241)Am α源,FwHM为31-50KeV,26℃;对~(137)Cs 625 keV的内转换电子,FwHM为6.85LeV,-2℃。  相似文献   
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