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分析了SiC 单晶片研磨过程的材料去除机理,采用统计方法描述了磨粒粒度的分布规律,推导出参与研磨过程的活动磨粒数量计算公式。依据SiC 单晶片-磨粒和研磨盘-磨粒接触处的变形情况,建立了SiC 单晶片研磨过程材料去除率( MRR) 的预测模型。以该模型为基础,讨论了研磨盘硬度、压力和磨粒粒度等因素对MRR 的影响,并进行了相同条件下的研磨试验。理论计算与试验结果对比分析表明:所建立的模型可以较准确地预测SiC 单晶片研磨过程的MRR;为其他单晶材料研磨过程MRR 的预测和控制提供了参考依据。 相似文献
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