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41.
42.
43.
多孔硅电致发光性质的研究对于实现硅基光电集成具有重要的应用价值。采用蒸镀-阳极氧化法制备了多孔硅异质结(ITO/PS/p-Si/Al)电致发光器件,在7.5V较低电压下实现了数小时连续电致发光,并给出了该器件的发光和电学性能的测量结果。结果表明,要制备较好发光性能和伏安特性的多孔硅电致发光器件,顶部电极应同时具有较高的透光率和电导率。  相似文献   
44.
利用透射电镜(TEM)和能量色散X射线(EDX)光谱仪研究了中国低活化马氏体(CLAM)钢在高能铁离子辐照下微结构的变化。结果表明,辐照前钢中的析出相主要为大尺寸M_(23)C_6析出相和小尺寸MX析出相。在400℃/0. 61 dpa的辐照条件下,大尺寸析出相发生粗化现象并诱发形成σ-FeCr金属间化合物,基体中析出大量80~90 nm的富Cr析出相。在700℃/0.75 dpa的辐照条件下,大小析出相的尺寸都减小,在基体观察到大量10~30 nm富Cr析出相,这些析出相的Cr含量较400℃辐照诱发形成的析出相有所增加。  相似文献   
45.
在电化学阳极氧化法制备的多孔硅(porous silicon,PS)衬底上用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD)在250℃和350℃下生长ZnS薄膜。XRD图样显示,制备的ZnS薄膜沿β—ZnS(111)方向择优生长,较高的生长温度下,衍射峰强度较大。SEM结果表明,250℃生长的Z...  相似文献   
46.
基于泡沫混凝土和轻钢龙骨的优点,提出了一种由泡沫混凝土、钢丝网和轻钢龙骨组成的轻钢龙骨泡沫混凝土墙板。为研究该类墙板的抗弯性能,采用通用有限元分析软件建立了其数值分析模型,通过对比分析,验证了有限元分析模型参数选取的有效性。在此基础上,研究了钢丝直径、龙骨和泡沫混凝土等参数变化对该类墙板抗弯承载力的影响,并对比了风荷载下墙板的正常使用情况。推导出了该类墙板开裂弯矩、挠度和极限承载力的计算公式,并与有限元分析结果进行了对比。研究结果表明:该墙板具有良好的整体刚度和弹塑性变形能力,其开裂弯矩、挠度和极限承载力计算公式具有较高的计算精度,可为该类墙板的工程应用提供理论依据。  相似文献   
47.
制备参数和后处理对ZnO薄膜光学性质的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用脉冲激光沉积技术在不同生长气氛氧压(10-3pa1、0-2Pa、10-1Pa、1Pa、10Pa)和生长衬底温度(250~600℃)下制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。光致发光(PL)光谱表明,氧压和衬底温度对ZnO的光学性质有重要影响。制备紫外(UV)发射强的ZnO薄膜,要综合考虑氧压和衬底温度两个参数,衬底温度升高,氧气氛压强要相应升高。进一步研究表明,在化学配比失衡的情况下,升高衬底温度和退火会在ZnO中产生缺陷和杂质束缚电子态,束缚电子态引起的晶格弛豫使局域电子态发生多声子无辐射跃迁,ZnO深能级发射由辐射复合变为无辐射复合。  相似文献   
48.
为了制作性能良好的光电子集成、光波导等器件,研究纳米多孔氧化硅膜的制备和表征具有重要意义。采用高温氧化多孔硅的方法制备了纳米多孔氧化硅,进行了两种样品的荧光光谱和傅里叶变换红外吸收谱对比检测。相比于多孔硅,多孔氧化硅的发光峰值向短波方向"蓝移"并且发光强度明显降低。多孔硅表面基本是由氢饱和的,而经氧化后的多孔氧化硅表面的Si—H键大部分被Si—O键所代替。结果表明,量子限制效应是样品的荧光光谱"蓝移"的原因,而发光强度的降低则归因于样品表面辐射复合中心的减少和内部纳米硅柱(硅晶粒)尺寸的减小。  相似文献   
49.
用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了Cu纳米夹层结构ZnO透明导电膜。用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪和原子力显微镜等测试手段对薄膜样品进行表征。室温制备的Cu夹层ZnO薄膜,随着Cu层厚度的增加,ZnO层结晶性变差,可见光区域光学透过率减小,透射曲线蓝移,电阻率先迅速下降后缓慢下降。基底温度对薄膜表面形貌和粗糙度影响显著,随着基底温度的增加,薄膜在可见光区域光学透过率增加,电阻率随基底温度增加而增加。  相似文献   
50.
通过改变二次氧化过程中的氧化电压,制备了不同孔径的多孔Al(PAA)模板;采用交流电沉积的方法,制备了含Cu阳极PAA膜.X射线衍射(XRD)分析表明,阳极PAA膜上确有Cu生成;扫描电镜(SEM)显示,Cu纳米线粗细均匀,具有很好的线栅结构.Cu/PAA复合膜的透射光谱及偏振光谱表明:这种含Cu纳米线PAA膜在近红外光区有较好的透射率和消光比,且随着膜板孔径(Cu纳米线直径)的增加,样品的透射率下降而其消光比却明显提高.因此,可以通过优化模板参数,制备出实用的Cu/PAA偏振器.  相似文献   
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