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SiC MOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiC MOSFET工艺尚未取得满意结果。通过在N0中高温退火可以显著地提高4H—SiC MOSFET的有效沟道迁移率;采用H2中退火制作的4H—SiC MOSFET阈值电压为3.1V,反型沟道迁移率高于100cm^2/Vs的栅压的安全工作区较宽。N20退火技术由于其的安全性而发展迅速并将取代N0。 相似文献
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近年来,随着人们生活水平的不断提高,健康、节能、环保居住环境越来越受到关注。因此,如何规划经济适用房和单体建筑设计、在满足使用功能的前提下,提高经济适用房的卫生防疫功能、增强其对疾病的“免疫力”是大势所趋,也是建设单位首先要考虑的问题。 相似文献
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<正> 采煤机螺旋滚筒的性能好坏对整个采煤机的受力状况、传动装置中负荷的脉动程度、采煤机工作的稳定性等有着重大影响。早期的研究主要是通过实验对截齿和滚筒上的负荷进行研究。随着计算机模拟技术的出现,为螺旋滚筒负荷的研究开辟了一条广阔的道路。使得定量研究采煤机负荷成为可能。本文介绍对螺旋滚筒上的平均负荷进行的模拟研究。一、截齿和滚筒平均负荷的数学模型在一般情况下,应以磨钝截齿上的负荷进行研究。这时,沿三个互相垂直方向的分力可按下式确定。 相似文献
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为了让IP城域网稳定、高效地运行,以及减少后期维护难度,从路由、VLAN(虚拟局域网)以及VPN(虚拟专用网)等配置方面提出了优化思路. 相似文献
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用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜, 为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶.首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)=280 mL:120 mL:4drops(4滴HF溶液)配比的腐蚀液在室温下对未结晶的PZT压电薄膜进行了湿法腐蚀微细加工;然后,对图形化好的压电薄膜进行再结晶的热处理,实验结果表明这种方法可用于压电薄膜微器件的制备. 相似文献
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PowerPC 603e是一款高性能、低成本、低功耗的32位超标量RISC微处理器。本文简要介绍了PowerPC 603e结构,详细介绍了PowerPC 603e动态功耗管理、静态功耗管理设计技术及一些低功耗技术。最后给出了PowerPC的发展现状. 相似文献