（Sr,Pb）TiO3陶瓷的PTCR现象

通过化学共沉淀工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于７０Ω·ｃｍ，升阻比超过１０＾６，烧结温度可以降低至１１００℃以下。     

功能陶瓷材料及应用研究新进展

功能陶瓷及其元器件在电子信息、通信技术、集成电路、计算机、自动控制、航空航天、海洋超声、汽车和精密仪器等现代高新技术领域应用日益广泛。随着以数字化、网络化、集成化为主要特征的电子信息技术的迅速发展,作为新型电子元器件的关键基础材料,功能陶瓷面临严峻的挑战和空前的发展机遇。它是新世纪最具发展活力的新型无机非金属材料之一。高性能、低成本、片式化和微型化是功能陶瓷及其元器件的发展趋势。本文主要介绍功能陶瓷的主流材料铁电压电陶瓷及其应用研究的某些新进展,包括钛酸钡基高介电常数温度稳定型多层陶瓷电容(ML…     

AlN—BN复合陶瓷的介电性能

以ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷为研究对象，着重探讨了ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷的极化机理，应用基本的介电介质物理理论，结合ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷组成和结构特点，研究了ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷介电性能（介电常数，介电损耗角正切值）随测量温度，测量频率变化而发生变化的温度特性和频率特性。     

稀土氧化物掺杂BaTiO3陶瓷的击穿问题研究

研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明Y2O3掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由Y2O3在瓷体中的缺陷化学反应所决定,在掺杂质量分数≤1.0%范围内,在≤0.5%之前,瓷体击穿场强呈下降趋势,之后则保持不变或稍有上升;MnO2掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由MnO2在瓷体中的缺陷化学反应与MnO2在瓷体晶界层的分布共同决定,总体表现为随掺杂浓度的增加瓷体击穿电压逐渐下降;Y2O3和MnO2共同掺杂时,它们之间对钛酸钡瓷体击穿场强的调制规律是相对独立的,只是在击穿场强的绝对值方面有所影响;氧分压越低的烧结机制,越容易引起瓷体击穿场强的下降.     

多层压电陶瓷的相关基础科学问题

多层压电陶瓷是一种重要的换能材料,具有优良的机电耦合效应和对外场响应迅速且体积小、驱动电压低的特点,在机电换能及自动控制等领域得到了广泛应用.本文概述了多层压电陶瓷的几个基础科学问题,包括:无铅压电陶瓷材料、高温压电陶瓷材料、晶粒定向技术以及多层压电陶瓷常见的迟滞、疲劳等问题,并总结了各个方面的研究现状和发展前景.     

纳米钛酸钡陶瓷的制备及其结构和性能

应用放电等离子烧结(SPS)制备了不同尺寸的纳米钛酸钡陶瓷,考察了不同的晶粒尺寸对钛酸钡陶瓷结构和性能的影响.SEM,XRD和介温谱表明随着晶粒尺寸的减小,钛酸钡陶瓷结构中四方相所占比例逐渐减少;四方-立方相变温度降低,居里点向低温移动;同时纳米钛酸钡陶瓷的Raman光谱声子模也随着晶粒尺寸的变化而变化.     

CeO2掺杂BaTiO3基X7R材料的介温特性

研究了ＣｅＯ２与Ｎｂ２Ｏ５和Ｃｏ２Ｏ３共掺杂的ＢａＴｉＯ３基Ｘ７Ｒ材料的介温特性。系统在Ｘ７Ｒ温度范围内体现出高介（〉４０００）、稳定、低损耗（〈２％）的特点。介电温谱表明相同工艺条件下，ＣｅＯ２含量增加可提高室温介电常数和介电变化率；适当提高邓烧温度有助于介温谱的平化，且其介温特性表现出更为明显的多峰效应。系统可在１２２０～１２４０℃的较低温度下烧成。     

复合陶瓷薄膜的制备及其分离应用

介绍了复合陶瓷薄膜的制备研究以及它们在气体、液体分离方面的应用。复合陶瓷薄膜继承了单纯组分陶瓷薄膜的优点，并且由于其丰富的表面特性，在表面改性和分离应用方面展现了巨大的潜力。     

低温烧结Li铁氧体及其频率特性

报道了通过Ｂｉ２Ｏ３的掺杂而获得的较低温度（８８０℃左右）下烧成的Ｌｉ铁氧体的烧结工艺、结构特征及其磁导率的频率特性。发现材料实现低烧的同时也有效地克服了烧结过程中的Ｌｉ挥发，用Ｚｎ和Ｃｏ部分地替代Ｌｉ可有效地提高材料的起始磁导纺和截止频率。