基于高性能I/O技术的Memcached优化研究

内存对象缓存系统在通信方面受制于传统以太网的高延迟,在存储方面受限于服务器内可部署的内存规模,亟需融合新一代高性能I/O技术来提升性能、扩展容量.以广泛应用的Memcached为例,聚焦内存对象缓存系统的数据通路并基于高性能I/O对其进行通信加速与存储扩展.首先,基于日益流行的高性能远程直接内存访问(remote direct memory access, RDMA)语义重新设计通信协议,并针对不同的Memcached操作及消息大小设计不同的策略,降低了通信延迟.其次,利用高性能NVMe SSD来扩展Memcached存储,采用日志结构管理内存与外存2级存储,并通过用户级驱动实现对SSD的直接访问,降低了软件开销.最终,实现了支持JVM环境的高性能缓存系统U2cache.U2cache通过旁路操作系统内核和JVM运行时与内存拷贝、RDMA通信、SSD访问交叠流水的方法,显著降低了数据访问开销.实验结果表明,U2cache通信延迟接近RDMA底层硬件性能;对大消息而言,相较无优化版本,性能提高超过20%;访问SSD中的数据时,相比通过内核I/O软件栈的方式,访问延迟最高降低了31%.     

超薄Ti膜吸收率的尺寸效应

研究了超薄Ｔi膜吸收率和直流电导率与薄膜厚度的关系,结果表明,超薄Ｔi膜的吸收率具有尺寸效应,并具有极大值,其结构特征变化是导致吸收率尺寸效应的重要原因。     

ZnO:Al薄膜的组织结构与性能

用直流磁控反应溅射合金制备了ＺｎＯ薄膜,研究了衬底温度和退火温度对薄膜的结构及电学和光学性能的影响。衬底温度升高能改善薄膜的电学特性,其原因是薄膜晶粒尺寸的增大。温度升高导致薄膜基本光学吸收边向短波移动,但对高透射区（４５０～８５０ｎｍ）的透射率影响不大。     

ARM系统中DMA方式在数据采集中的应用

讨论了ARM系统中DMA通道的工作原理,并利用DMA技术设计了基于S3C2410和FPGA的CCD相机采集系统,给出了数据采集接口设计方案,以及Linux操作系统下接口的设备驱动程序.测试结果表明系统工作稳定,数据采集速率可以达到4 MHz.     

AlTiCrN-DLC涂层刀具对Inconel718高温合金的切削性能研究

针对B8W2-3型管螺纹车刀的工况,制备了AlTiCrN和AlTiCrN-DLC涂层,分析了复合涂层的膜层厚度、膜基结合力和摩擦磨损行为,并对涂层刀具的切削性能进行了研究,分析了DLC膜层对涂层刀具磨损状态的影响。研究表明:AlTiCrN-DLC涂层中AlTiCrN膜层厚度约为3.5μm,DLC膜层厚度约为2.5μm,其中DLC膜层为典型非晶态结构,AlTiCrN-DLC涂层压痕等级为HF3,低于AlTiCrN涂层,AlTiCrN涂层摩擦系数为0.54,AlTiCrN-DLC涂层摩擦系数为0.13,且无明显犁沟痕和大面积涂层脱落现象。在切削速度为50m/min、切削长度为0-60m时,AlTiCrN-DLC涂层可明显降低涂层刀具后刀面磨损量和粘结磨损,减少积屑瘤和微崩刃的产生。     

气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究

在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。XRD及TEM实验结果得出,制备的硅薄膜的晶粒尺寸为12~16 nm,属纳晶硅薄膜。薄膜结晶度随镀膜时Ar流量增大而增大,而悬挂键密度则先迅速减小而后缓慢增大。当Ar流量为70 ml/min(标准状态)时,薄膜的悬挂键密度达到最低值4.42×1016cm-3。得出最佳Ar流量值为70 ml/min。     

GIS技术在建筑保护与智能化的应用前景研究

对GIS技术保护历史建筑与城市、维护缝补城市原有肌理的应用前景进行了探讨,分析了当前GIS技术在建筑智能化领域应用中遇到的问题,以期通过GIS技术对智能建筑进行更深层次的研究。     

安塞油田杏河区体积压裂候选井多级模糊决策方法

安塞油田是典型的低渗、低压、低产油藏,压裂是油田增产稳产的的一个重要措施。目前常规压裂实施后产液量、含水率大幅度上升,产油量变化不大,无法实现油井增产的目的,为此应用了体积压裂改造储层的方法。影响体积压裂的主要因素有储层特征、产能和工程三方面,这三方面又可细分为很多影响因素,将层次分析法和多级模糊决策方法结合起来应用于体积压裂候选井的评判上,对杏河区30口井进行了优选。结果表明,该方法较以往凭经验选择体积压裂候选井更为科学、合理。